FIDL-30S-760X是由MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/Gaal单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-760X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监测光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱学设备中使用激光二极管以及在各种光电系统。

FIDL-30S-770C是770nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构迪奥迪。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-770C是CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-30S-770X是770nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构迪奥迪。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-770X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30S-947X是采用MOCVD半导体激光器制作的947nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-947X是一款连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-500S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。这些激光二极管是具有窄光谱宽度和超窄光束发散角的单模发射器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光。

FIDL-5S-730X是730nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-730X是一款CW单模注入半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mmCAN封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-5S-740X是740nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-740X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-5S-750X是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-750X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-5S-750X-M是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-750X-M是一款采用SOT-148封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付，内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

FPD-XXS-760-YY-DBR系列高功率边发射激光器基于先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。用于原子光谱学应用的设备。

Optodyne的VS-5000系列振动传感器是一种非接触式、高灵敏度的位移、速度和加速度测量方法。作为机械振动的存储示波器，VS-5000满足微电子、航空航天、汽车和研发应用的精密工程要求。单轴（VS-5010）或双轴（VS-5020）系统的测量精度为±0.5 ppm，分辨率为±0.05微英寸，速度高达200英寸/秒，频率响应从Do到400 kHz。该双轴系统（VS-5020）具有极高的信噪比，允许用户同时测量目标和背景现象，同时保持每次测量的完整性。

我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm，功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择，包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm，功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择，包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm，功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择，包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm，功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择，包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm，功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择，包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

掺杂三价镱（Yb3+）的晶体在紧凑、高效的二极管泵浦激光系统中显示出巨大的应用潜力。[1-4]Yb3+离子只有两个流形，基态2F7/2和激发态2F5/2，它们相隔约10，000cm-1。因此，Yb3+掺杂材料具有有利于高能量1µm激光系统的光谱和激光特性。特别地，Yb3+掺杂材料不应遭受浓度猝灭、上转换或激发态吸收。Yb3+离子还具有很长的能量存储寿命（通常是相同基质中Nd3+的三到四倍）和非常小的量子亏损，这减少了激光过程中的热量产生。在基质材料YAG的特定情况下，Yb3+的存储寿命为950µs，量子亏损仅为8.6%。Yb3+：YAG还具有940nm的宽泵浦线，其比Nd3+：YAG中的808nm泵浦线宽10倍，使得系统对泵浦二极管波长的热漂移不太敏感。这些材料特性与940nm长寿命InGaAs泵浦二极管的发展相结合，使该材料成为二极管泵浦高能激光器的优秀候选材料。据报道，基于SM的升级Yb3+：YAG激光器系统的CW输出功率超过430 W，[1]准CW输出功率为600 W，[4]光光效率为60%。[2]据报道，此类系统可在千瓦级的输出功率下进行缩放。掺杂Yb3+的YAG晶体可以从1%-100%的各种掺杂剂浓度获得（例如镱铝石榴石-YbAg）。

三硼酸锂（LiB3O5）是较优秀的非线性光学晶体之一，具有高损伤阈值和非吸水性。

LBO（三硼酸锂，LiB3O5）是一种优良的非线性光学晶体，具有许多独特的特性：从160nm到2600nm的宽透明范围光学均匀性高（δn≈10-6/cm），无夹杂较大的有效SHG系数（约为KDP的三倍）高损伤阈值（对于1.054μm的1.3ns激光，18.9GW/cm²）宽接受角和小走离宽I型和II型非临界相位匹配（NCPM）范围LBO晶体非常适合于各种非线性光学应用：Nd：YAG，Nd：YLF，Nd：YVO4和Nd：YAP激光器的倍频（SHG）和三倍频（THG）钛宝石、紫翠宝石和铬酸锂-硫（LiSAF）激光器的倍频和三倍频I类和II类相位匹配的光参量振荡器（OPO）连续和准连续辐射转换的非临界相位匹配