• 激光二极管FIDL-30S-770X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.770um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-770X是770nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构迪奥迪。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-770X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-30S-947X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.947um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-947X是采用MOCVD半导体激光器制作的947nm InGaAs/GaAs单量子阱结构,低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-947X是一款连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-500S-980X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FIDL-500S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。这些激光二极管是具有窄光谱宽度和超窄光束发散角的单模发射器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-500S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光。

  • 激光二极管FIDL-5S-730X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.730um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-730X是730nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-730X是一款CW单模注入半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mmCAN封装,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-740X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.740um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-740X是740nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-740X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-750X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.750um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-750X是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-750X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-750X-M 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.750um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-750X-M是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-750X-M是一款采用SOT-148封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管FIDL-5S-770X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.770um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付,内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

  • 激光二极管FPD-XXS-760-YY-DBR 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.760um

    FPD-XXS-760-YY-DBR系列高功率边发射激光器基于先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理,以确保高功率可靠性。用于原子光谱学应用的设备。

  • 激光多普勒位移仪VS-5000 位移测量计
    美国
    分类:位移测量计
    厂商:Optodyne Inc
    测量范围: 0.0000025 - 0.005 mm

    Optodyne的VS-5000系列振动传感器是一种非接触式、高灵敏度的位移、速度和加速度测量方法。作为机械振动的存储示波器,VS-5000满足微电子、航空航天、汽车和研发应用的精密工程要求。单轴(VS-5010)或双轴(VS-5020)系统的测量精度为±0.5 ppm,分辨率为±0.05微英寸,速度高达200英寸/秒,频率响应从Do到400 kHz。该双轴系统(VS-5020)具有极高的信噪比,允许用户同时测量目标和背景现象,同时保持每次测量的完整性。

  • 用于拉曼光谱的激光器 1064nm 半导体激光器
    美国
    厂商:Flash Photonics
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 1064nm 输出功率: 500mW

    我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm,功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择,包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

  • 用于拉曼光谱学的激光器647nm 半导体激光器
    美国
    厂商:Flash Photonics
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 647nm 输出功率: 150mW

    我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm,功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择,包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

  • 用于拉曼光谱学的激光器 785nm 半导体激光器
    美国
    厂商:Flash Photonics
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 785nm 输出功率: 500mW

    我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm,功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择,包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

  • 用于拉曼光谱学的激光器 808nm 半导体激光器
    美国
    厂商:Flash Photonics
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 808nm 输出功率: 500mW

    我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm,功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择,包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

  • 用于拉曼光谱的激光器 830nm 半导体激光器
    美国
    厂商:Flash Photonics
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-Mode 波长: 830nm 输出功率: 500mW

    我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm,功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择,包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。

  • 激光材料 Yb:YAG 激光晶体
    美国
    分类:激光晶体
    水晶类型: Yb:YAG AR 涂层: Uncoated

    掺杂三价镱(Yb3+)的晶体在紧凑、高效的二极管泵浦激光系统中显示出巨大的应用潜力。[1-4]Yb3+离子只有两个流形,基态2F7/2和激发态2F5/2,它们相隔约10,000cm-1。因此,Yb3+掺杂材料具有有利于高能量1µm激光系统的光谱和激光特性。特别地,Yb3+掺杂材料不应遭受浓度猝灭、上转换或激发态吸收。Yb3+离子还具有很长的能量存储寿命(通常是相同基质中Nd3+的三到四倍)和非常小的量子亏损,这减少了激光过程中的热量产生。在基质材料YAG的特定情况下,Yb3+的存储寿命为950µs,量子亏损仅为8.6%。Yb3+:YAG还具有940nm的宽泵浦线,其比Nd3+:YAG中的808nm泵浦线宽10倍,使得系统对泵浦二极管波长的热漂移不太敏感。这些材料特性与940nm长寿命InGaAs泵浦二极管的发展相结合,使该材料成为二极管泵浦高能激光器的优秀候选材料。据报道,基于SM的升级Yb3+:YAG激光器系统的CW输出功率超过430 W,[1]准CW输出功率为600 W,[4]光光效率为60%。[2]据报道,此类系统可在千瓦级的输出功率下进行缩放。掺杂Yb3+的YAG晶体可以从1%-100%的各种掺杂剂浓度获得(例如镱铝石榴石-YbAg)。

  • 联合晶体公司的LBO晶体和设备 晶体
    美国
    分类:晶体
    水晶类型: LBO (Lithium Triborate) 相位测量类型: Not Applicable 安装: Mounted, Unmounted 平整度: <= Lambda/8 表面质量: 10-5

    三硼酸锂(LiB3O5)是较优秀的非线性光学晶体之一,具有高损伤阈值和非吸水性。

  • LBO非线性晶体160nm - 2600nm 晶体
    中国大陆
    分类:晶体
    水晶类型: LBO (Lithium Triborate) 相位测量类型: Type I, Type II 安装: Unmounted 宽度: 3mm 高度: 10mm

    LBO(三硼酸锂,LiB3O5)是一种优良的非线性光学晶体,具有许多独特的特性:从160nm到2600nm的宽透明范围光学均匀性高(δn≈10-6/cm),无夹杂较大的有效SHG系数(约为KDP的三倍)高损伤阈值(对于1.054μm的1.3ns激光,18.9GW/cm²)宽接受角和小走离宽I型和II型非临界相位匹配(NCPM)范围LBO晶体非常适合于各种非线性光学应用:Nd:YAG,Nd:YLF,Nd:YVO4和Nd:YAP激光器的倍频(SHG)和三倍频(THG)钛宝石、紫翠宝石和铬酸锂-硫(LiSAF)激光器的倍频和三倍频I类和II类相位匹配的光参量振荡器(OPO)连续和准连续辐射转换的非临界相位匹配

  • LDCM-4371 激光二极管控制器安装 半导体激光器配件
    美国
    厂商:PSE TECHNOLOGY

    高度集成的LDCM-4371激光二极管控制器支架将行业RST精密可编程高带宽调制激光驱动器与两级高功率温度控制相结合,集成到紧凑型激光二极管电池支架中。不要让紧凑的尺寸欺骗你,该仪器包括众多功能,旨在确保绝对的波长稳定性和精确的亚皮米可调性和控制。LDCM-4371为许多要求苛刻的应用提供了高价值的解决方案。例如,它是满足可调谐二极管激光吸收光谱(TDLAS)所需的具有挑战性的波长精度的理想控制器。该产品的另一个显著特点是能够独立衰减传输到多个LDCM-4371仪器的单个调制信号。这在诸如多路复用光谱学的应用中是至关重要的,其中多个激光器被同步扫描(从单个函数发生器)。独立调谐调制信号的能力确保用户可以调整每个单独的激光扫描宽度,以精确地测试感兴趣的独特吸收特征。

  • LDR1000E 1A数字激光电流和TEC控制器模块 半导体激光器配件
    英国
    厂商:OptoSci Ltd

    LDR1000E激光驱动器模块为激光二极管、SOA、SLD、980nm泵浦激光器等的稳定电流和TEC控制提供了一个多功能和用户友好的平台。完全集成的数字欧洲卡模块专为设备特性、原型开发和实验系统而设计,并提供简单的设备集成、全PC控制和监控,或利用板载EPROM进行设置和遗忘操作。LDRE模块包括用于14针蝶形封装的ZIF安装和散热器、插入式电源、USB接口、PC通信电缆和全V-Drive控制软件,开箱即可轻松操作。