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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 752 # 像素（高度）: 480 像素大小: 6.0um 全帧速率: 60fps具有W-VGA分辨率的数码相机模块，可直接连接SOM接口（彩色）。VM-010-COL-LVDS配备AptinAMT9V024彩色CMOS传感器。图像数据格式为8位拜耳模式。该相机模块配备了SerialPhyCam-S+接口。它可以直接连接到SOM LVDS摄像头接口。所有PHYTEC PHYCARD和PHYFLEX SOM都提供此接口，该接口在PCB上实现。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 2592 # 像素（高度）: 1944 像素大小: 2.2um 全帧速率: 15fps数码相机模块具有500万像素分辨率，可与SOM接口（单色）直接连接。VM-011-BW配备了Aptina单色CMOS传感器MT9P031。Aptina的DigitalClarity技术可提供出色的图像质量。500万像素分辨率（2592H X 1944V）专为需要高分辨率图像的应用而设计。
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传感器类型: CMOS 决议: 5MP # 像素 (H): 2592 # 像素: 1944 像素大小: 2.2um相机在系列产品中的完美集成带有PhyCam接口的相机板可直接连接到PhyTec微处理器板的数码相机接口。这使得相机技术能够集成到紧凑的定制产品中。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 2592 # 像素（高度）: 1944 像素大小: 2.2um 全帧速率: 15fps数码相机模块具有500万像素分辨率，可直接连接SOM接口（彩色）。VM-011-COL配备了Aptina MT9P006彩色CMOS传感器。Aptina的DigitalClarity技术可提供出色的图像质量。500万像素分辨率（2592H X 1944V）专为需要高分辨率图像的应用而设计。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 2592 # 像素（高度）: 1944 像素大小: 2.2um 全帧速率: 7.8fps具有500万像素分辨率的数码相机模块，可直接连接LVDS SOM接口（彩色）。VM-011-COL-LVDS配备了Aptina MT9P006彩色CMOS传感器。Aptina的DigitalClarity技术可提供出色的图像质量。500万像素分辨率（2592H X 1944V）专为需要高分辨率图像的应用而设计。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 1280 # 像素（高度）: 1024 像素大小: 4.8um 全帧速率: 37fps数码相机模块，具有130万像素分辨率，可直接连接SOM接口（单色）。VM-012-BW配备了席恩半导体单色CMOS传感器VITA 1300。该传感器具有全局和滚动快门（可调）。即使在近红外范围（NIR）内，该传感器也具有高达4.6 V/Lux-s的高灵敏度。
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传感器类型: CMOS # 像素（宽度）: 1280 # 像素（高度）: 1024 像素大小: 4.8um 全帧速率: 37fps数码相机模块，具有130万像素分辨率，可直接连接LVDS SOM接口（单色）。VM-012-BW-LVDS配备了席恩半导体单色CMOS传感器VITA 1300。该传感器具有全局和滚动快门（可调节）。即使在近红外范围（NIR），该传感器也具有高达4.6 V/Lux-s的高灵敏度。由于分辨率降低，读出速度可以提高。因此，在VGA分辨率下，帧速率可以高达150fps。客户可以定义多达8个感兴趣区域（ROI），并仅传输这些区域所需的像素。
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传感器类型: CMOS 决议: 1.3MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 4.8um相机在系列产品中的完美集成带有PhyCam接口的相机板可直接连接到PhyTec微处理器板的数码相机接口。这使得相机技术能够集成到紧凑的定制产品中。
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传感器类型: CMOS 决议: 5MP # 像素 (H): 2592 # 像素: 1944 像素大小: 2.2um相机在系列产品中的完美集成带有PhyCam接口的相机板可直接连接到PhyTec微处理器板的数码相机接口。这使得相机技术能够集成到紧凑的定制产品中。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.08MP # 像素 (H): 320 # 像素: 256 像素大小: 25um我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的内部动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs2D探测器（短波红外传感器）。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 10um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 5.6um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 1.3MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 6.8um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.9MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 720 像素大小: 5.6um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 15um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 1.3MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 10.6um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 6.8um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。
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材料: Calcite, a-BBO, YVO4, Custom 波长范围: 190 - 5000 nm 最大消光比: >= 100,000:1, >= 10,000:1, >= 1,000:1, >= 100:1 透射波前误差: <= Lambda/20,<= Lambda/10,<= Lambda/6,<= Lambda/4 表面质量: 10-5, 20-10, 40-20, 60-40PhotonChina的Wollaston偏振器可以将入射光束分成两束光线：非寻常光和寻常光，其偏向角取决于波长。两条光线都透过另一个表面。规格：材料：A-BBO、方解石、YVO4、石英波长范围：A-BBO：190-3500纳米，方解石：350-2300纳米，YVO4：400-5000纳米，石英：200-2300纳米消光比：方解石、石英：<5x10-5；A-BBO，YVO4：<5x10-6平行度：<1较小弧度表面质量：20/10光束偏差：<3弧分波形失真：λ损伤阈值：>500 MW/cm2涂层：单层MgF2底座：黑色阳极氧化铝
产品选型就用光电查
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