LD85F6S-A/B/C是波长为845~865nm的半导体激光器，输出功率为0.01W，工作电压为1.9~2.5V，工作电流为0.01 5~0.035A，阈值电流为5~20mA.有关LD85F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

PL 520B是一种波长为515~530nm的半导体激光器，输出功率为0.08W，工作电压为6.4~8V，工作电流为200~240mA，阈值电流为40~70mA.PL 520B的更多详情见下文。

7xxnm系列-光纤输出半导体激光器（FiberCoupled 7xxnm Laser Diode Module）为光纤耦合输出的半导体激光器，其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量以及高功率密度等特性，赋予了它独特的优势。同时，高电光效率、稳定性能和长寿命更是使它在各种应用场景中脱颖而出。

8xxnm系列-光纤输出半导体激光器为光纤耦合输出的半导体激光器，具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特点，提供稳定的性能和长寿命。

7xxnm系列-光纤输出半导体激光器为光纤耦合输出的半导体激光器，具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量及高功率密度等特性，具有高电光效率、稳定性能和长寿命，在多种应用场景中表现出色。

9xx系列光纤输出半导体激光器具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特性，性能稳定，宽温环境适应，适用于光纤激光器泵浦、工业加工、机器视觉以及光电检测等领域。

7xxnm系列-光纤输出半导体激光器（Fiber Coupled 7xxnm Laser Diode Module）具有紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量以及高功率密度等特性，提供高电光效率、稳定性能和长寿命，适用于中红外激光泵浦、光电检测、激光干扰以及生物医疗等领域。

8xxnm系列光纤输出半导体激光器（Fiber Coupled 8xxnm Diode Module）以其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特点具有显著优势。此外，该激光器还具有稳定的性能和长寿命，适用于多种应用领域。

波长1550nm的脉冲单管半导体激光器是使用半导体材料作为工作物质的激光器，单个芯片封装，以脉冲模式工作，输出波长属于人眼安全波段，可广泛用于工业、医疗、通信等行业。

该激光器是多边形形式封装的准连续半导体激光器（QCW Laser Diode Shaped G-Stack），作为泵浦源使用，具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。适用于测泵浦，是固体激光器系统的重要组成部分。

环形准连续半导体激光器叠阵(Annular QCW Laser Diode Stack)属于高功率固体激光器领域，适用于棒状增益介质。由环形半导体激光阵列和热沉组成，多个半导体激光阵列组成一个完整的圆形泵浦腔，该泵浦方法可以显著提高泵浦密度和泵浦均匀性。

该激光器是带有快轴准直和防尘窗口的准连续半导体激光器(FAC QCW Laser Diode G-Stack)，作为泵浦源使用，具有结构紧凑、光斑集中、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

连续半导体侧泵增益模块是一种使用固体激光材料作为工作物质的新型激光器。它通过连续工作模式的半导体激光器输出固定波长，取代了传统的氪灯或氙灯对激光晶体的泵浦，提供了高效率、长寿命、光束质量高、稳定性好、结构紧凑和小型化的特点，在科学研究、空间通讯、光学图像处理及宝石和钻石等高反材料加工方面具有独特的应用前景。

该激光器为光纤耦合输出的半导体激光器，具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、性能稳定、寿命长等优点。

准连续半导体侧泵增益模块（QCW Diode Pumping Laser）是使用固体激光材料作为工作物质的新型激光器。这种激光器采用准连续工作模式的半导体激光器输出固定波长进行泵浦，具有高效率、长寿命、光束质量高、稳定性好、结构紧凑和小型化等特点。

该激光器是叠阵形式封装的准连续半导体激光器(QCW Laser Diode G-Stack)，作为泵浦源使用，具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

该激光器是面阵（多组叠阵）形式封装的准连续半导体激光器（QCWLaser Diode G-Stack），作为泵浦源使用，具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

该激光器是叠阵形式封装的短巴条准连续半导体激光器（QCW Mini-Bar G-Stack），用作泵浦源，具有结构紧凑、体积小、重量轻、功率密度高、电光效率高、性能稳定、寿命长等优点。

808nm半导体激光器（GaAlAs）广泛用于泵浦掺Nd增益介质。较近，这些二极管激光器被应用于牙科手术、疼痛治疗、塑料焊接和各种其他应用。808 nm激光源提供SLM和纵向多模选项，TEM00操作。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。