• 激光二极管 faxd-975-5w-200-hlw 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 5000mW

    FAXD-975-5W-200-HHLW是一种多模半导体连续输出功率为5W的975nm激光二极管。发射极尺寸为200µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-5w-200-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 5000mW

    FAXD-975-5W-200-XX是一款多模半导体激光器在975nm处具有5W CW输出功率的二极管。发射器大小为200µm。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-6w-200-hlw 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 6000mW

    FAXD-975-6W-200-HHLW是一种多模半导体连续输出功率为6W的975nm激光二极管。发射极尺寸为200µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-6w-200-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 6000mW

    FAXD-975-6W-200-XX是一款多模半导体激光器在975nm处具有6W连续输出功率的二极管。发射器大小为200µm。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 faxd-975-7.5w-fc200 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 7500mW

    FAXD-975-7.5W-FC200是一种光纤耦合多模连续输出功率为7.5W的半导体激光器975nm。它配备了内部热敏电阻,TEC和光电二极管,并适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-8w-400 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 8000mW

    FAXD-808-8W-975是一款多模半导体激光器。在975nm处具有8W连续输出功率的二极管。发射器大小为400µm。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxD-975-8W-400-HHLW 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 8000mW

    FAXD-975-8W-400-HHLW是一种多模半导体8W连续输出975nm激光二极管。发射器尺寸为400µm。它被封装在一个有窗口的高热负荷封装中,适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-975-8w-90 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.975um 输出功率: 8000mW

    FAXD-975-8W-90是一种多模半导体激光二极管在975nm处具有8W的连续输出功率。发射器大小为90µm。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 faxd-976-35w-600 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.976um 输出功率: 35000mW

    FAXD-976-35W-600是一款多模半导体激光器在976nm处具有35W CW输出功率的二极管。它是合适的用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-980-250s-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 250mW

    FAXD-980-250S-XX是一种单模半导体激光器980nm连续输出功率250 MW的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-980-300s-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 300mW

    FAXD-980-300S-XX是一种单模半导体激光器980nm连续输出功率为300mW的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-980-350s-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 350mW

    FAXD-980-350S-XX是一种单模半导体激光器在980nm处具有350mW连续输出功率的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-980-500s-c3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FAXD-980-500S-C3是一种单模半导体激光器980nm连续输出500mW的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FF-14YY-XXXS-BTF-FBG 半导体激光器
    德国
    输出功率: 360mW

    FF-14YY-XXXS-BTF-FBG系列设计用于各种光放大器,例如用于光传输系统的拉曼放大器,尤其是密集波分复用(DWDM)系统。应变多量子阱激光二极管芯片与热电制冷器(TEC)、热敏电阻和PIN光电二极管集成在一个密封的14针蝶形封装中。双透镜系统将来自激光器芯片的圆形光有效地耦合到光纤,并使输出功率高达360mW。激光模块符合TelcordiaTM GR-468要求中所述的电信要求,并在ISOTM9001认证生产线上制造。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1020X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.020um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用INSOT-148外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1070X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用11.4mm外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-804X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.804um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-804X是804nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-804X光源是连续多模式注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-808D-TO3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-808D-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-1000M-808D-TO3光源是一种连续多模注入半导体激光二极管。采用TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-1000M-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。