• 激光二极管FNLD-30S-1035C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.035um 输出功率: 30mW

    FNLD-30S-1035C是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1035nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-30S-1035C是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-30S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 30mW

    FNLD-30S-1060D是用MOCVD方法制备的1035nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-30S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1030D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.030um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1030D是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1030D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1045D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.045um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1045D是用MOCVD半导体激光器制备的1045nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1045D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1053D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.053um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1053d是用MOCVD半导体激光器制作的1053nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1053D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1060D是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1060D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1070D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制备的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1070D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1082A 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.082um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1082A是用MOCVD半导体激光器制备的1082nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1080A是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1090D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.090um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1090D是用MOCVD半导体激光器制备的1090nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1090D是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1300D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1300D是连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管 FNPL-10S-1590-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.590um 输出功率: 10mW

    FNPL-10S-1590-FP是工作波长为1590nm的连续半导体激光二极管。它采用标准TO-5.6和TO-9封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和蝶形封装。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-10S-2330-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 2.330um 输出功率: 10mW

    FNPL-10S-2330-FP是工作波长为2330nm的连续半导体激光二极管。它采用标准TO-5.6和TO-9封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和蝶形封装。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-5S-2700-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 2.700um 输出功率: 5mW

    FNPL-5S-2700-FP是工作波长为2700nm的连续半导体激光二极管。它采用标准TO-5.6和TO-9封装,可选监控二极管以稳定功率输出,而TO-5封装则集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 fold-405-12s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 12mW

    FOLD-405-12S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-405-25s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 25mW

    FOLD-405-25S-VBG是一种单模半导体激光器405nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 折-405-40s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 40mW

    FOLD-405-40S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-406-12s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 12mW

    FOLD-406-12S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-406-25s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 25mW

    FOLD-406-25S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 折-406-40s-vbg-col 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.406um 输出功率: 40mW

    FOLD-406-40S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-638-20s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.638um 输出功率: 20mW

    FOLD-638-20S-VBG是一种单模半导体激光器638nm连续输出功率为20mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。