• 激光二极管 faxd-980-250s-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 250mW

    FAXD-980-250S-XX是一种单模半导体激光器980nm连续输出功率250 MW的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-980-300s-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 300mW

    FAXD-980-300S-XX是一种单模半导体激光器980nm连续输出功率为300mW的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-980-350s-xx 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 350mW

    FAXD-980-350S-XX是一种单模半导体激光器在980nm处具有350mW连续输出功率的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 faxd-980-500s-c3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.980um 输出功率: 500mW

    FAXD-980-500S-C3是一种单模半导体激光器980nm连续输出500mW的二极管。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FF-14YY-XXXS-BTF-FBG 半导体激光器
    德国
    输出功率: 360mW

    FF-14YY-XXXS-BTF-FBG系列设计用于各种光放大器,例如用于光传输系统的拉曼放大器,尤其是密集波分复用(DWDM)系统。应变多量子阱激光二极管芯片与热电制冷器(TEC)、热敏电阻和PIN光电二极管集成在一个密封的14针蝶形封装中。双透镜系统将来自激光器芯片的圆形光有效地耦合到光纤,并使输出功率高达360mW。激光模块符合TelcordiaTM GR-468要求中所述的电信要求,并在ISOTM9001认证生产线上制造。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1020X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.020um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1064X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用INSOT-148外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-1070X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用11.4mm外壳,内置监控光电二极管以稳定输出功率,并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-804X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.804um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-804X是804nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-804X光源是连续多模式注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-808D-TO3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-808D-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-1000M-808D-TO3光源是一种连续多模注入半导体激光二极管。采用TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-1000M-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-830X是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,配有监控光电二极管以稳定功率输出。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-850X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-860X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.860um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-860X光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-895D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.895um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-895D是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-895D光源是一种CW多模注入式半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻,以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-900X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.900um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-900X是900nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-900X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-905X-TO3 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-905X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-905X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,采用TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-910X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.910um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-910X是910nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M 910X光源是一款CW多模式注入半导体激光二极管,采用9mm TO型外壳和TO-3外壳,内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管,以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-915X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.915um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-915X是915nm InGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-915X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-1000M-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 1000mW

    FIDL-1000M-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-1000M-950X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。