来自OnSemi的MT9V115是一款CMOS图像传感器，具有百万像素0.3 MP，电源电压1.8 V（数字），2.8 V（模拟），2.8 V（MIPI），帧速率30帧/秒，动态范围64 dB，灵敏度1.88 V/Lux-sec.有关MT9V115的更多详细信息，请联系我们。

OnSemi的MT9V126是一款CMOS图像传感器，具有百万像素0.3 MP，帧速率30帧/秒。有关MT9V126的更多详细信息，请联系我们。

OnSemi的MT9V128是一款CMOS图像传感器，具有百万像素0.3 MP，帧速率60帧/秒。有关MT9V128的更多详细信息，请联系我们。

Teledyne Imaging的IC-49-12K2F-00-R是一款CMOS图像传感器，分辨率为12288 X 2（每个全色波段）和3072 X 4（每个多光谱波段）像素。它有一个全局快门，可提供38 kHz（全色波段）和9.5 kHz（多光谱波段）的最大线速率，并具有65 dB以上的动态范围。这款前照式图像传感器的像素尺寸为7µm X 7µm（全色波段）和28µm X 28µm（多光谱波段），RMS噪声高达34 e-（全色波段）和100 e-（多光谱波段）。它具有70k e-（对于Pb）和280k e-（对于Ms）的全阱容量和高达4 nA/cm²的平均暗电流。IC-49-12K2F-00-R在CMOS芯片上结合了电荷域时间延迟积分（TDI）CCD功能，提供了两种技术的最佳选择。它具有四个滤波多光谱波段和两个全色波段，全部集成在一个CMOS芯片和封装中。每个多光谱波段的水平分辨率为3072，每个全色波段的水平分辨率为12288，加上横向抗晕光（LAB）和连续垂直时钟，这些传感器保证了具有非常高的调制传递函数（MTF）的出色图像。在水平和垂直方向上具有半像素（3.5μm）偏移的两个全色波段允许超分辨率成像以进一步提高分辨率。它可以通过CML接口进行控制，并使用12位片内ADC进行输出。该图像传感器功耗为6 W，采用裸片封装。它是地球观测、遥感和空中侦察应用的理想选择。

STMicroelectronics的VD55G0是一款CMOS图像传感器，分辨率为640 X 600像素。它具有1/9英寸光学格式的全局快门，在全分辨率下可提供高达210 FPS的帧速率，在VGA分辨率下可提供高达260 FPS的帧速率。这款3D堆叠式图像传感器基于BSI像素技术，支持全CDTI（电容深沟槽），并提供出色的QE（量子效率）、高达近IR的MTF（调制传递函数）和PLS（快门效率）。它可以通过快速模式+I2C接口进行控制，并使用单通道发射器MIPI CSI-2（每通道1.2 Gbps）进行输出。VD55G0支持自动暗校准、动态缺陷校正和镜像/翻转读出功能。它集成了温度传感器，支持模拟分档、2倍/4倍分档和二次采样功能。这款图像传感器采用紧凑型裸片封装，尺寸为2.6 X 2.5 mm，非常适合高性能计算机视觉应用，包括AR/VR、个人和工业机器人、无人机、条形码、生物识别、手势、嵌入式视觉、场景识别、红外传感等。

来自Cree LED的C4SMT-BJS是正向电压为3.2 V、发光强度CD为10000000CD、发光强度MCD为1000MCD、波长为470 nm的LED.有关C4SMT-BJS的更多详细信息，请联系我们。

来自Cree LED的C4SMT-GJS是正向电压为3.4 V、发光强度为3500000000 CD、发光强度为MCD 3500 MCD、波长为527 nm的LED.有关C4SMT-GJS的更多详细信息，请联系我们。

Cree LED的C4SMT-RJS是一款正向电压为2 V、发光强度CD为1700000000 CD、发光强度MCD为1700 MCD、波长为621 nm的LED.有关C4SMT-RJS的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的VLMT3100是一款LED，正向电压为2.2至2.9 V，正向电流为2 mA，发光强度CD为1100000 CD，发光强度MCD为1.1 MCD，波长为612至625 nm.有关VLMT3100的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的VLMTG1300是一款LED，正向电压为3.2至3.6 V，正向电流为20 mA，发光强度CD为71000000 CD，发光强度MCD为71-450 MCD，波长为525 nm.有关VLMTG1300的更多详细信息，请联系我们。

来自Vishay Intertechnology的VLMTG41S2U1是一款LED，正向电压为3.2至4.2 V，正向电流为10 mA，发光强度为380000000 CD，发光强度MCD为380 MCD，波长为530 nm.有关VLMTG41S2U1的更多详细信息，请联系我们。

Marktech Optoelectronics的MTE6063M-Uhr是一款630nm红色LED，专为需要高准确度和精度的应用而设计。它采用TO-42封装，带有半球形透镜，是光学传感、光学仪器和机器视觉应用的理想选择。

来自OSRAM的GW QTLQS1.LM是具有125-165lm的光通量和157lm/W的发光效率的LED.该LED具有3000K、3500K、4000K、5000K、5700K和6500K的相关色温（CCT）。它的正向电压为5.6-6.4 V，正向电流为10-200 mA.这款LED采用白色SMT卷带封装，尺寸为180 X 8 mm，非常适合区域灯、筒灯/聚光灯和以人为中心的照明应用。

来自OSRAM的GW QTLTS2.QM是具有24-40.5 LM的光通量和195 LM/W的发光效率的LED.该LED具有2200K、2700K、3000K、3500K、4000K、5000K、5700K和6500K的相关色温（CCT）。它的正向电压为2.5-2.9 V，正向电流为10-200 mA.这款LED采用白色SMT封装，尺寸为330 X 8 mm，非常适合区域灯、筒灯/聚光灯和以人为中心的照明应用。

欧司朗的KW DELSS2.CC是一款符合汽车标准的LED，可为环境白光照明提供卓越的光质。它基于EPI-Sapphire芯片技术，通过使用具有从非常冷的白色到非常暖的白色色温的高CRI的专用荧光粉，实现了出色的显色性。LED的色温为2700至6500 K，CRI为90，采用SMT封装，非常适合按钮背光、电子设备和室内照明（如环境地图）应用。

来自KingbrightUSA的AA2214QBS/D-AMT是发光强度CD 200 CD、发光强度MCD 0.0002 MCD、波长470 nm、工作温度-40至85摄氏度、存储温度-40至85摄氏度的LED.有关AA2214QBS/D-AMT的更多详细信息，请联系我们。

来自KingBrightUSA的AA2214QR51S/D-AMT是一款LED，发光强度CD 500 CD，发光强度MCD 0.0005 MCD，波长470 nm，工作温度-40至85摄氏度，存储温度-40至85摄氏度。有关AA2214QR51S/D-AMT的更多详细信息，请联系我们。

来自KingbrightUSA的AA2214QWS/D-AMT是发光强度为CD 700 CD、发光强度为MCD 0.0007 MCD、波长为461.53 nm、工作温度为-40至85摄氏度、存储温度为-40至85摄氏度的LED.AA2214QWS/D-AMT的更多详细信息见下文。

KingbrightUSA的AA2214SES/J3-AMT是一款发光强度为CD 1900 CD、发光强度为MCD 0.00 19 MCD、波长为625 nm、工作温度为-40至85摄氏度、存储温度为-40至85摄氏度的LED.有关AA2214SES/J3-AMT的更多详细信息，请联系我们。

来自KingbrightUSA的AA2214SURSK-AMT是发光强度CD 400 CD、发光强度MCD 0.0004 MCD、波长630 nm、工作温度-40至85摄氏度、存储温度-40至85摄氏度的LED.有关AA2214SURSK-AMT的更多详细信息，请联系我们。