FLX-860-6600M-400是一款多模半导体激光器。860nm连续输出功率为6600mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。适用于各种光电子器件应用程序。

FLX-885-2500M-100是一款多模半导体激光器。885nm连续输出功率2500mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-885-5000M-150是一款多模半导体激光器。885nm连续输出5000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。适用于各种光电子器件。应用程序。

FLX-900-2000M-100是一款多模半导体激光器。900nm连续输出功率为2000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-915-3000M-100是一款多模半导体激光器。915nm连续输出功率为3000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-915-5000M-150是一款多模半导体激光器。在915nm处具有5000mW连续输出功率的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。它适用于各种光电应用。

FLX-940-3000M-100是一款多模半导体激光器。940nm连续输出功率为3000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-940-5000M-150是一款多模半导体激光器。在940nm连续输出功率为5000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。它适用于各种光电应用。

FLX-980-1500M-500是一款多模半导体激光器。980nm连续输出功率为1500mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-980-3000M-100是一款多模半导体激光器。980nm连续输出3000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。它适用于各种光电应用。

FLX-980-5000M-150是一款多模半导体激光器。980nm连续输出5000mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和赫赫尔。适用于各种光电子器件。应用程序。

FNLD-05S-1053A是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1053nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1053A是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1064D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1064D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1260D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1260nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1260D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1650是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1650nm激光二极管，采用MOCVD技术制备。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-05S-1650是连续单模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-100S-1030X是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-100S-1030X是一款连续单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10M-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10M-1060D是连续多模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1055D是一款1055nm激光二极管，MOCVD制备InGaAsP/GaAs单量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1055D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1270D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1270nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1270D是连续单模注入半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。