FOLD-691-45S-VBG是一种单模半导体激光器在691nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-785-100S-VBG是一种单模半导体激光器785nm连续输出100mW的二极管。由于集成的VBG波长固定，谱线宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-785-500-VBG是一款多模半导体激光器785nm连续输出500mW的二极管。由于集成的VBG，波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-787-80S-VBG是一种单模半导体激光器787nm连续输出功率为80mW的二极管。由于集成VBG的波长是固定的，并且光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-808-170S-VBG是一种单模半导体激光器808nm连续输出功率170mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-830-500-VBG是一种多模半导体激光二极管，在830nm处具有500mW的连续输出功率。由于集成的VBG，波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FTED-840-150S-FP是一种单横模量子阱法布里-珀罗半导体激光器，在840nm处连续输出功率为150mW。它适用于各种光电应用。

FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1200-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1200nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1200-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1215-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1215-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1250-05S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1250-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1250-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1250-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1260-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1260nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1260-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1275-25M是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1275nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1275-25M是一种连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1300-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1300-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1300-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1300-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1345-10S是基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1345nm激光二极管，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1345-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。