-
波长: 266nm 平均值功率: 0.140W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以被配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
-
波长: 351nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
Q2系列二极管泵浦、完全风冷、调Q激光器,专为需要高峰值功率脉冲的广泛应用而设计。我们创新的无水激光晶体端面泵浦技术可以产生类似高斯的低发散激光束。同时,Q2是一个多功能平台,可以以多种方式进行配置。它可以在10Hz脉冲重复率下配置为80 MJ脉冲能量。对于高重复率配置,激光器在100Hz时可以产生高达20mJ的能量。激光器可以配置为分别从Nd:YLF或Nd:YAG激光晶体发射1053nm或1064nm波长。由于Nd:YLF晶体的无热特性,在1053nm处,激光器可以从单次脉冲到较大脉冲重复频率工作,而不改变光束发散角或轮廓。在短腔配置中,与标准配置相比,脉冲持续时间可以减少50%。当脉冲能量达到60mJ时,脉冲峰值功率可达30mW以上。基于温度控制系统的热电冷却器消除了与水冷却相关的风险(泄漏、有机污染等)并降低维护成本。如有要求,可将标准风扇冷却散热器从激光器主体上拆下,并将激光器安装在用户提供的冷板或其他冷却系统上。
-
波长: 1064nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 0.001 - 100 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 0.4ns
我们的Microchip系列的SB1-1064-2-100是一款短纳秒脉冲、2uJ、低SWAP、超紧凑、100 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Microchip系列可在1064、946、532、473、355、266和236.5nm下使用,能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲间不稳定性<3%。Microchip系列标配MLD-019激光控制器,可提供高度监测和控制以及实时反馈。Microchip激光器系列可进行定制,以满足各种应用要求。Microchip激光器系列目前在该领域拥有超过3,000台设备,已被证明是一种多功能、可靠的激光器解决方案,适用于从天基LIBS到3D扫描和激光播种的广泛应用。
-
波长: 532nm 平均值功率: 0.075W 重复频率: 0.001 - 5 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns
我们的Microchip系列的SB1-532-15-5是一款短纳秒脉冲、15uJ、低SWAP、超紧凑、5 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Microchip系列可在1064、946、532、473、355、266和236.5nm下使用,能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲间不稳定性<3%。Microchip系列标配MLD-019激光控制器,可提供高度监测和控制以及实时反馈。Microchip激光器系列可定制,以满足各种应用要求。Microchip激光系列目前在该领域拥有超过3,000台设备,已被证明是一种多功能、可靠的激光解决方案,适用于从基于空间的LIBS到3D扫描和激光播种的广泛应用。
-
单色仪类型: Not Specified 有效焦距: 200mm 光栅炽热波长: 600nm 光谱范围: 190 - 1100 nm
SE 200是一种中阶梯光栅摄谱仪,代表了一种与二维CCD成像阵列一起使用的不同的摄谱仪设计方法。扫描光栅以覆盖宽波长范围已成为过去。SE 200在CCD的整个波长范围内实现了高光谱分辨率,没有移动部件。来自光栅的多个衍射级在CCD上成像之前由交叉色散棱镜分离。CCD检测器变成数千个像素的阵列,其在一个图像中采样从大约190nm到1100nm范围内的波长。即使光源或样品随时间变化,也能以较高精度记录光谱。被称为色散模块的用户可变光学器件可以将光谱仪输出与CCD的格式相匹配。