• SLD-480-MP-920非制冷单模自由空间SLD 半导体激光器
    爱尔兰
    中心波长: 0.92um 输出功率: 20mW

    SLD-480-MP-TO9-PD-920:中等功率TO-9封装自由空间SLD,920 nm。

  • SLD-480-UHP-960非制冷单模自由空间SLD 半导体激光器
    爱尔兰
    中心波长: 0.96um 输出功率: 90mW

    SLD-480-UHP-TO9-PD-960:960 nm超高功率TO9封装自由空间SLD。

  • Sone Pomax 250mW 405nm 激光二极管 SLD3235VF 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 250mW

    索尼POMAX 250mW 405nm激光二极管SLD3235VF,日本制造输出功率:POMAX 250MW工作电流:<250mA工作电压:5V包装:5.6mm工作寿命:>10000小时

  • 索尼405nm 65mW激光二极管SLD3234VFI 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 65mW

    高品质SONE 405nm 65mW激光二极管SLD3234VFI,日本制造输出功率:CW 65mW,POMAX 170mW工作电流:<110mA工作电压:5V封装:3.8mm工作寿命:>10000小时

  • 索尼SLD3134VL 405nm 20mW 蓝紫色激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:BeamQ Lasers
    中心波长: 0.405um 输出功率: 20mW

    索尼405nm SLD3134VL 20mW蓝紫激光二极管,带PD名字;新型蓝紫激光二极管原产地:日本输出功率:CW 15mW工作电流:小于32mA工作电压:4.7V包装:T018(5.6mm)工作寿命:10000小时以上

  • 超连续光源SC-5-FC 激光器模块和系统
    中国大陆
    带宽: 2000nm 中心波长: 1064nm 输出功率: 800mW 极化: Unpolarized

    超连续源SC-5-FC是一种具有成本效益的超连续激光器,具有单模FC连接器输出。该系统总输出功率超过800mW,覆盖450nm~2400nm的宽光谱范围,是光纤成分表征、光纤传感、Oct等领域的理想光源。该系统基于自行设计的高度可靠的种子激光器,提供独特的可靠性和性能。在许多应用中,SC-5-FC可以取代传统的ASE、SLD和LAMP系统。

  • 直流和交流/直流电子负载Sorensen SL 系列 激光器模块和系统
    功率: 75-14400 W 电压: 60-500 V 电流: 1-720 A

    Sorensen SL 系列电子负载以较灵活的平 台提供较高的价值。台式,模块式和标 准独立式的直流和交流输入负载都有75- 1800W 的广阔范围。 SLM 主机 SLM主机选择包括方便的台式/桌面式应用 的单个模块配置或多个如ATE要求的4个模 块配置。任一个机架都兼容SLM-和SLD-负 载。每个机架都包含非易失存储能力,可 存储多达150个模块的设置和9个16步的 序列供自动化、独立地测试。或者更多复 杂的序列测试。 主机带有GPIB (SLM- 1上 可选)和RS-232标准接口。 SLM 家族 SLM家族包括9个完全可编程的、单个输 入交流或直流的模块化电子负载。直流模 块可测试电源、电池充电器、电池放电、 电源瞬态响应并集成进ATE系统。交流模 块是理想的低功率逆变器测试的产品。 直流模式支持在恒定电流(CC)、恒定 电压(CV)、恒定电阻(CR)或恒定功 率(CP)模式下运行和进行短路模拟。工 程师通过使用模拟输入或CC动态模式可对电流波形进行基本的控制。模拟输入( 单输入直流型号)使用外部0- 10V信号允 许任意的电流波形高达20kHz。在动态模 式,脉冲发生器允许在两种程控的电流等 级之间快速地转换状态 (斜率和驻留时间 可程控)。

  • SLD1254JFR-V 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 to 645 nm 输出功率: 90 mW 工作电压: 2.5 to 2.9 V 工作电流: 150 to 185 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD1254JFR-V是一款激光二极管,波长为635至645 nm,输出功率为90 MW,工作电压为2.5至2.9 V,工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD259VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 to 250 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V 工作电流: 210 to 270 mA

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW,工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装,非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • SLD266ZS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 785 to 800 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.6 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.035 A

    索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管,工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作,发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率,同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装,是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。

  • SLD291VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 350 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 400 to 470 mA

    索尼半导体解决方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation)的SLD291VS是一款激光二极管,波长为840至860 nm,输出功率为350 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为400至470 mA.有关SLD291VS的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD301V 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 770 to 840 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 1.9 to 3 V 工作电流: 0.25 to 0.4 A

    Sony Semiconductor Solutions Corporation的SLD301V是波长为770至840 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为1.9至3 V、工作电流为0.25至0.4 A、阈值电流为150至200 mA的激光二极管。有关SLD301V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD302V 半导体激光器
    技术: Double-Hetro Type 工作模式: Pulsed Laser 波长: 770 to 840 nm 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 to 3 V

    SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为770至840 nm,输出功率为0.2 W,工作电压为1.9至3 V,工作电流为0.35至0.5 A,阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD322V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    SLD322V是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为790至840 nm,输出功率为0.5 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为0.75至1.2 A,阈值电流为180至300 mA.有关SLD322V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD323V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2.1 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD323V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2.1至3 V,工作电流为1.4至2 A,阈值电流为300至500 mA.有关SLD323V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD326YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 4 W 工作电压: 2.4 to 2.8 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD326YT是一款激光二极管,波长为790~840 nm,输出功率为4 W,工作电压为2.4~2.8 V,工作电流为4~8 A,阈值电流为1000~2000 mA.有关SLD326YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD332F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 to 3.0 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD332F是一种激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为1 W,工作电压为1.8至3.0 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为400至500 mA.有关SLD332F的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD333V 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 to 840 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管,波长为790至840 nm,输出功率为1 W,工作电压为2至3 V,工作电流为1.2至1.5 A,阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD334YT 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 795 to 840 nm 输出功率: 2 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管,波长为795至840 nm,输出功率为2 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为2.2至3.6 A,阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD335F 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 波长: 805 to 811 nm 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 to 3 V

    SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,其波长为805至811 nm,输出功率为5 W,工作电压为2.2至3 V,工作电流为5.2至6.5 A,阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息,请联系我们。