• CryLaS MOPA 532-700 mW 激光器模块和系统
    德国
    厂商:CryLaS GmbH
    波长: 532nm 平均值功率: 0.7W 重复频率: 1 - 20 kHz 空间模式: 1 脉宽: 1ns

    Crylas提供被动调Q激光系统(DPSS),发射波长为213nm、266nm、355nm、532nm和1064nm,光束质量极佳。

  • cyfl-giga连续波镱光纤激光器 激光器模块和系统
    法国
    厂商:Keopsys
    波长: 1083nm 输出功率: 20W 光束质量: 1.1 运行模式: Continuous Wave (CW)

    Keopsys CYFL-Giga是掺镱光纤激光器,发射波长为1083 nm,功率高达20 W。这种非常特殊的激光器提供了1至2 GHz的线宽,其中填充了大量的单纵模。这尤其允许实现气体原子跃迁的高泵浦效率。该系统设计为主振荡器功率放大器(MOPA),可在100GHz范围内连续调谐,并可进行锁定调制。在1083nm处,激光器可以重叠3个He跃迁C3至C9以及4个He跃迁D0至D2。激光器安装在3U机架台式系统中,包括直接从前面板设置输出功率和波长的所有必要控制。

  • F -10 PULSED & PULSED UHS光纤激光器 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:MACSA ID SA
    波长: 1062nm 平均输出功率: 10W 脉宽: 100 - 100 ns 最大脉冲重复率: 100kHz

    F Duo激光器专为高速在线集成和独立工作站而设计。它们是要求苛刻的金属标记应用的理想选择,但也适用于其他材料,如塑料和复合材料。F Duo激光器使用寿命长,维护成本低,拥有成本极低。F Duo脉冲光纤激光器的产品范围已扩展到包括MOPA激光器。

  • F -100 PULSED & PULSED UHS光纤激光器 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:MACSA ID SA
    波长: 1062nm 平均输出功率: 100W 脉宽: 100 - 100 ns 最大脉冲重复率: 100kHz

    F Duo激光器专为高速在线集成和独立工作站而设计。它们是要求苛刻的金属标记应用的理想选择,但也适用于其他材料,如塑料和复合材料。F Duo激光器使用寿命长,维护成本低,拥有成本极低。F Duo脉冲光纤激光器的产品范围已扩展到包括MOPA激光器。

  • F - 20 MOPA光纤激光器 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:MACSA ID SA
    波长: 1062nm 平均输出功率: 20W 脉宽: 200 - 200 ns 最大脉冲重复率: 1000kHz

    MOPA技术允许用户控制和选择波形的形状和持续时间,以优化高精度打标和微加工应用的条件。较短的脉冲宽度是标记塑料或薄材料等精密基材的理想选择。扩展的频率范围使得能够使用更高的重复率和更短的脉冲宽度,这导致更高的生产率。较长的脉冲宽度是深度雕刻和其他块状材料去除应用的理想选择。高精度打标应用的关键是精确的热管理,并具有8个可选择和可编程的脉冲与DS。F MOPA激光是高要求、高附加值应用的完美工具。

  • F -20 PULSED & PULSED UHS光纤激光器 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:MACSA ID SA
    波长: 1062nm 平均输出功率: 20W 脉宽: 100 - 100 ns 最大脉冲重复率: 100kHz

    F Duo激光器专为高速在线集成和独立工作站而设计。它们是要求苛刻的金属标记应用的理想选择,但也适用于其他材料,如塑料和复合材料。F Duo激光器使用寿命长,维护成本低,拥有成本极低。F Duo脉冲光纤激光器的产品范围已扩展到包括MOPA激光器。

  • F -30 PULSED & PULSED UHS光纤激光器 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:MACSA ID SA
    波长: 1062nm 平均输出功率: 30W 脉宽: 100 - 100 ns 最大脉冲重复率: 100kHz

    F Duo激光器专为高速在线集成和独立工作站而设计。它们是要求苛刻的金属标记应用的理想选择,但也适用于其他材料,如塑料和复合材料。F Duo激光器使用寿命长,维护成本低,拥有成本极低。F Duo脉冲光纤激光器的产品范围已扩展到包括MOPA激光器。

  • F - 50 MOPA光纤激光器 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:MACSA ID SA
    波长: 1062nm 平均输出功率: 50W 脉宽: 200 - 200 ns 最大脉冲重复率: 1000kHz

    MOPA技术允许用户控制和选择波形的形状和持续时间,以优化高精度打标和微加工应用的条件。较短的脉冲宽度是标记塑料或薄材料等精密基材的理想选择。扩展的频率范围使得能够使用具有更短脉冲宽度的更高重复率,这导致更高的生产率。较长的脉冲宽度是深度雕刻和其他块状材料去除应用的理想选择。高精度打标应用的关键是精确的热管理,并具有8个可选择和可编程的脉冲与DS。F MOPA激光是高要求、高附加值应用的完美工具。

  • F -50 PULSED & PULSED UHS光纤激光器 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:MACSA ID SA
    波长: 1062nm 平均输出功率: 50W 脉宽: 100 - 100 ns 最大脉冲重复率: 100kHz

    F Duo激光器专为高速在线集成和独立工作站而设计。它们是要求苛刻的金属标记应用的理想选择,但也适用于其他材料,如塑料和复合材料。F Duo激光器使用寿命长,维护成本低,拥有成本极低。F Duo脉冲光纤激光器的产品范围已扩展到包括MOPA激光器。

  • FDL-1010-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.010um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-1060-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-765-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.765um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主Oszillator功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPaseTUP的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光学陷阱或拉曼光谱。

  • FDL-765-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.765um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-780-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-780-2W-TA用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-785-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-785-2W-TA用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-800-0.5W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.800um 输出功率: 500mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近500mW的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-850-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-850-2W-TAL 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。