FIDL-100M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-830X是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-830X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1060X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-100S-1064X是InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1064X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-830X是由MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-830X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-840X是连续单模注入。半导体激光二极管与内置监测光电二极管，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-850D-60是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-850D-60是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。它工作在-60ºC+60°C的宽温度范围内。激光二极管适用于军事、空间、恶劣工业应用中的各种光电系统。

FIDL-100S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于军事、空间、苛刻工业应用中的各种光电系统。

FIDL-100S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-860X是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-980X是InGaAs/GaAs单量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-980X是CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-1070X是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-680A是基于GaInAlP的680nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-680A是连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-850X是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-10S-850X-TEC是用MOCVD方法制备的AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。寿命在25°C时超过10000小时。FIDL-10S-850X-TEC是CW单模注入半导体激光二极管，采用TO-5外壳，内置监控光电二极管，可稳定输出功率和TEC。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-940X是采用MOCVD半导体激光器制作的940nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-940X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-950X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-970X是用MOCVD半导体激光器制作的970nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-970X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。