探测器采用GaAs高迁移率异质结构，在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性（像素到像素的偏差响应度在20%的范围内）。在10 GHz—1 THz频率范围内，每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W，具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。矫正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备，需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器，具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号，我们还提供定制的解决方案，以满足不同的配置和几何要求。

索尼公司的IMX661是一款127 MP CMOS固态图像传感器，像素尺寸为3.45×3.45μm.它的分辨率为13400（H）X 9528（V）像素，在全像素扫描模式（127 MP）下最大帧率为21.8 FPS.该图像传感器需要3.3 V（模拟）、1.2 V（数字）或1.8 V（接口）的电源电压，并支持11/12/14位ADC分辨率。IMX661基于索尼独创的全局快门像素技术“ Pregius ”，可捕捉无失真图像。它采用晶片上芯片（chip-on-wafer）工艺，将具有特定功能的芯片堆叠在像素晶片的顶部，从而在不增加尺寸的情况下实现ADC的最佳定位和处理功能。该传感器具有索尼的可扩展低电压信号功能，采用嵌入式时钟（SLVS-EC）高速接口标准，使输出接口速度更快。IMX661配备了一系列信号处理功能，例如用于在高速检查期间控制成像定时的触发同步、通过仅读出所需区域来减少后期信号处理负载的感兴趣区域（ROI）、在输出所需信息时减少数据量的灰度压缩、检测移动物体轨迹的多重曝光用于高速移动的物体的无模糊成像的短曝光时间，以及在低亮度情况下增强灵敏度的像素合并读出。它还具有内置时序调整电路、H/V驱动器和串行通信电路，并具有用于曝光周期的CDs/PGA和脉冲输出功能。该器件采用LGA封装，尺寸为75 X 63.6 mm，非常适合工业应用。

IPG Photonics的GLPN-500-QCW是一款绿色单模光纤激光器，工作波长为532 nm.它提供500 W的输出功率，同时消耗高达2800 W的功率。高效超小型光学头不需要任何冷却，并连接到水冷、高效和可靠的光纤放大器。它可作为一个紧凑的OEM模块或用户友好的19机架安装控制台，控制台可以是风冷或水冷，这取决于客户的要求。该激光器是激光投影仪、半导体晶片退火、太阳能电池制造和激光表演的理想选择。

来自IPG Photonics的YLPP-100-1-100-R是在1030nm下工作的镱皮秒混合激光器。它提供脉冲能量为100μJ的脉冲，可扩展平均输出功率为100 W，客户选择的脉冲持续时间范围为1至5 PS，全工作重复率范围为50-2000 kHz.新颖的设计结构与灵活的控制电子设备一起提供了方便的短预热时间，并允许在不影响输出光束参数的情况下调整脉冲能量和重复率。该激光器为台式设备，尺寸为448 X 580 X 132 mm（80 X 245 X 61 mm激光头）。它适用于广泛的应用，包括精密微加工、表面微结构和纹理、多层聚合物薄膜切割、电池和薄金属箔切割、蓝宝石LED晶片划片、太阳能/光伏/平板显示器的薄膜烧蚀、切割和钻孔玻璃/蓝宝石、陶瓷微加工。激光器需要100至240 V的交流电源电压，功耗高达750 W.

来自Spectra-Physics的Spirit 1030-140是一款1030 nm飞秒激光器，可提供高达140 W的功率，脉冲能量高达600μJ，最小热影响区（HAZ）的脉冲持续时间为400 FS.其可调重复率（单次–30 MHz）使激光器成为消融和切割的理想光源。该激光器还具有用户可配置的突发模式，以最高的烧蚀效率进行加工。集成的脉冲选择器通过模拟输入信号的单脉冲选择和快速功率控制提供激光输出的完全控制。Spirit 1030-140激光器作为集成激光头的单元提供，适用于OLED显示器制造、半导体晶片切割、聚合物切割、金属钻孔和切割、硬脆材料的精密加工、聚晶金刚石（PCD）切割和烧蚀、蓝宝石切割和钻孔、3光子显微镜和光参量放大器泵浦应用。

Crylas GmbH生产的FQCW 266-500是一种二极管泵浦连续波固态激光器，工作波长为266 nm.该即插即用系统提供高达500mW的输出功率，线宽小于300kHz，相干长度超过1000m.激光头的尺寸为739 X 325 X 143 mm，控制单元的尺寸为483 X 409 X 184 mm.它是拉曼光谱、晶片检测和光致发光应用的理想选择。

CRYLAS的FQCW266-10-C是一种二极管泵浦连续波固态激光器，工作波长为266 nm.在单频工作模式下，该器件可提供高达10 MW的输出功率，同时工作波长为266 nm.该激光器具有超过1000m的长相干长度、窄线宽（<300kHz）、低功耗和小尺寸。这种即插即用激光器带有一个控制单元，允许通过串行（RS232和USB）接口进行按钮控制或远程控制操作。这些激光器是拉曼光谱、晶片检测和光致发光等应用的理想选择。

Crylas GmbH的FQCW 266-25-C是一种二极管泵浦连续波固态激光器，工作波长为266nm.该激光器的输出功率高达25mW，线宽小于300kHz，相干长度超过1000m.它需要90-250 V的交流电源，功耗高达120 W.激光头的尺寸为91 X 190 X 279立方毫米，控制单元的尺寸为42 X 165 X 164立方毫米。它是拉曼光谱、光刻、晶片和晶片检测、干涉测量和光致发光应用的理想选择。

Coherent的Powerline Avia NX是一款高功率紫外激光子系统，适用于高通量晶圆、PCB和IC封装切割应用。它具有40瓦固态紫外线（UV）激光器和精密扫描光学器件，可提供各种微电子材料（包括SIP、封装和PCB）的快速吞吐量和优质切割和划线。扫描光学器件可以具有足够大的视场，以覆盖300毫米的晶片或PCB，并且该系统产生具有最小热影响区（HAZ）的精细特征和窄切口。该激光器和其他系统组件都包含在一个密封外壳中，尺寸为381 X 292 X 1280.5 mm，该外壳利用经过过滤的循环空气来最大限度地减少来自外部来源的污染。

来自Passat的编译器HPRR是皮秒DPSS激光器，在532nm和1064nm波长范围内工作（355nm和266nm可选）。它在1064nm处提供65µJ/脉冲的脉冲能量，在355nm处提供15µJ/脉冲的脉冲能量，在266nm处提供10µJ/脉冲的脉冲能量。激光器的脉冲重复频率为14kHz，脉冲宽度为8ps.这种DPSS激光器可用于许多应用，如晶片切割、微纳米加工、半导体刻划、遥感。

NKT Photonics的Aeropulse FS是工业级飞秒光纤激光器，可提供超短飞秒脉冲，具有出色的长期稳定性、卓越的脉冲间稳定性、低噪声和出色的TEMOO模式质量。这些激光器的输出功率高达20W，发射波长为1030nm.系统配置包括一个19英寸机架式控制单元和一个可水平或垂直安装的超薄型激光头。这些激光器是晶片划线、薄膜烧蚀、材料加工和飞秒微加工的理想选择。整个系统既可以采用低输出功率性能的风冷，也可以采用高输出功率性能的水冷。该系统可通过RS-232接口进行远程控制。

Elixir Photonics的Dagger-15是一款355nm工业紫外激光器，采用热补偿超稳腔设计技术。它在50 kHz时提供超过15 W的输出功率，脉冲能量超过300µJ，脉冲持续时间低于20 ns.该激光器适用于各种高精度工业微加工，包括通孔钻孔、电子封装单片化、硅晶片锯切和划线、透明材料切割应用。

Brolis Semiconductors的24xx nm高功率二极管是一种连续波法布里-珀罗激光二极管，工作波长为2450 nm.单发射器可提供高达600 MW的功率，激光棒可提供超过5 W的功率。该设备基于Brolis公司专有的GaSb I型激光技术，并在Brolis公司最先进的洁净室设施中进行开发，包括在市场上最大的3英寸GaSb衬底平台上进行先进的多晶片分子束外延。这种单TE00偏振激光器需要1.4 V的电源，消耗高达6 A的电流。它采用TO-CAN封装，腔长为1.0/1.5/2.0 mm，发射极宽度为90/120/150µm，非常适合安全、医疗、研究和检测应用。

Ocean Insight的NirQuest+是一款近红外光谱仪，工作波长为900至2500 nm.其光学分辨率为3.4~10.8nm，动态范围为7500~15000∶1。该光谱仪具有16位A/D分辨率和10000：1的信噪比。它具有像素尺寸为50 X 500µm的InGaAs光电二极管阵列探测器。光谱仪需要5 V的直流电源，消耗250 mA的电流。NIRQUEST+模块尺寸为182 X 110 X 47 mm，适用于谷物水分含量测定、药物成分质量保证/质量控制检测、组织血氧测量、土壤样品成分分析、近红外激光表征、石油和天然气中的碳氢化合物分析、涂层硅晶片的光致发光以及塑料化学成分测定等应用。

3D-Micromac的MicroCellTM OTF是一种用于加工单晶硅和多晶硅太阳能电池的高效激光系统。MicroCellTM OTF通过精确的表面结构、低运营成本和较高的可用性，满足了电池制造商提高PERC太阳能电池效率的需求。即时激光处理和创新的处理概念可在大规模生产晶体太阳能电池时实现较大的吞吐量和产量。非接触式单元处理能够实现没有表面缺陷或微裂纹的处理。 产品应用：破损控制/NiO放电；RFID阅读器；数据矩阵读取器（DMC）；晶片缓冲系统；MES系统；客户规范中的装卸搬运；分束器 产品关键指标：非接触式晶圆传输；吞吐量>3800 WPH；激光器工作时间>98%；占地面积最小；维护和服务的直接访问

氩氦射线干式光刻技术在芯片制造过程中至关重要。ArF 干法光刻光源（如赛默公司的 XLA 105）可对晶片上的大量中间关键层进行图案化，同时延长模块寿命并加强关键尺寸 (CD) 控制。 随着 CD 的不断缩小，以及对最关键层更精细分辨率的需求，ArF 干光刻工具也开始对非关键层进行图案化，而这些非关键层历来是由 KrF 光源进行图案化的。赛默公司的干式光刻光源具有可靠性和成本效益，是大批量生产的理想选择。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

MALD-37345是一款四通道28G VCSEL驱动器，集成了自适应输入均衡器，可用作光学模块中完整的单芯片发射解决方案。输出以250µm为中心，与标准光学接口兼容。每个通道均可通过双线式串行接口进行控制，并包括一个具有眼图整形功能的VCSEL驱动器和一个自适应输入均衡器。MALD-37345采用3 mm X 2 mm芯片，以华夫饼包装或晶片形式提供。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。