光隔离器可以在任何偏振态下阻挡反向反射和反向散射。它们具有低偏振模色散（PMD）。光路不含环氧树脂，因此可实现高功率应用。它们基于微光学封装技术，具有较佳的稳定性和可靠性。产品符合Telcordia GR-1221-CORE标准。

FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1200-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1200nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1200-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1250-05S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1250-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1260-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1260nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1260-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1300-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1300-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1345-10S是基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1345nm激光二极管，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1345-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1370-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1370-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1380-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1380nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1380-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1390-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1390nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1390-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1390-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1390nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1390-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1396-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1396nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1396-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1410-05S是一种基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1410nm半导体激光器。FTLD-1410-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1430-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1430nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1430-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1430-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1430nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1430-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1440-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1440nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1440-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1450-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1450-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。