GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

磷酸钛氧钾（KTP，KTiOPO4）晶体是Nd：YAG/Nd：YVO4激光系统中较有效的倍频晶体。KTP是用于1064nm泵浦OPO的较佳非线性光学晶体。

KTP：磷酸钛氧钾广泛用于商用和军用激光器，包括实验室和医疗系统、距离探测器、激光雷达、光通信和工业激光系统。KTP较常用于倍频Nd：YAG和其他掺钕激光器，尤其是在低到中等功率的激光器中。到目前为止，利用KTP进行腔内和腔外倍频的掺钕激光器已经逐渐取代了可见光染料激光器和可调谐蓝宝石激光器。在许多工业研究中，这种类型的激光器被广泛用作绿色光源。Crystrong提供-晶体尺寸可达20x20x40 mm-单带和双带AR和BBAR涂层-标准和定制安装件和外壳

AgSe2 AgGaSe2（AgGa（1-X）InxSe2）晶体具有0.73和18µm的能带边缘。其有用的传输范围（0.9–16µm）和宽相位匹配能力为各种不同激光器泵浦的OPO应用提供了极好的潜力。当用2.05µm的Ho：YLF激光器泵浦时，获得了2.5–12µm的调谐范围；以及在1.4–1.55µm泵浦时在1.9–5.5µm范围内的非临界相位匹配（NCPM）操作。AgGaSe2（AgGaSe）是一种高效的红外CO2激光倍频晶体。

GaSe在0.65和18μm处有带边，已成功地用于Co_2激光的高效倍频，脉冲Co_2和化学DF激光（λ=2.36μm）的倍频；Co和CO2激光辐射到可见范围的上转换；通过钕和红外染料激光或（f）-中心激光脉冲的差频混合产生红外脉冲；OPG光产生在3.5–18μm范围内；100–1600μm范围内的高效太赫兹产生。由于材料结构（沿（001）面劈裂）限制了应用领域，因此不可能切割特定相位匹配角度的晶体。

GaSe在0.65和18μm处有带边，已成功地用于Co_2激光的高效倍频，脉冲Co_2和化学DF激光（λ=2.36μm）的倍频；Co和CO2激光辐射到可见范围的上转换；通过钕和红外染料激光或（f）-中心激光脉冲的差频混合产生红外脉冲；OPG光产生在3.5–18μm范围内；100–1600μm范围内的高效太赫兹产生。由于材料结构（沿（001）面劈裂）限制了应用领域，因此不可能切割特定相位匹配角度的晶体。

利用连续微片激光器的窄线宽辐射，通过注入种子实现了单纵模和单横模发射。激光器以8至15kHz的重复率在M2<1.2的衍射极限光束中提供持续时间为T<12ns的短输出脉冲。种子激光输出的光谱带宽为ν<80MHz。由于S<1%的高脉冲-脉冲稳定性，这些激光器非常适合于科学应用。在1064nm处平均输出功率达到10W，在倍频532nm处平均输出功率达到5W。355nm、266nm和213nm的紫外波长具有超稳定的脉冲轨迹和常规激光器无法提供的高相干长度。

KDP和KDP*P是非线性光学材料，具有高的损伤阈值、良好的非线性光学系数和电光系数。它可用于室温下Nd：YAG激光器的二倍频、三倍频和四倍频，以及电光调制器。