• PGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • PGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • 针孔镜 光圈
    美国
    分类:光圈
    厂商:Lenox Laser
    针孔直径: 100um 安装: Unmounted 部件直径: 25.4mm

    实心铝基板中的针孔镜具有独特的光处理特性。这些反射镜的平面度为1-2波,是激光、干涉测量、高功率望远镜、成像和其他应用的理想选择,在这些应用中,通孔可能是有用的或需要用于选择性的光传输和反射。这些反射镜可用于高功率应用,在这些应用中,薄涂层玻璃基板通常会劣化。其他应用包括信号处理、距离测量、激光滤波、天文学等。针孔镜的标准配置是在120°螺栓圆的反面(非抛光)上有3个2-56-TPI螺纹孔。您的针孔镜将标配安装34/40螺丝,以帮助处理/安装组件。

  • QFLD-405-10SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 404nm 输出功率: 10.4mW

    QFLD-405-10SAX光纤耦合二极管

  • QFLD-405-20S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 406nm 输出功率: 20mW

    QFLD-405-20S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-450-10S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 451nm 输出功率: 10mW

    QFLD-450-10S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-450-15SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 448nm 输出功率: 15.2mW

    QFLD-450-15SAX光纤耦合激光二极管

  • QFLD-488-20S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 488nm 输出功率: 20mW

    QFLD-488-20S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-488-20SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 488nm 输出功率: 20.1mW

    QFLD-488-20SAX光纤耦合激光二极管

  • QFLD-505-10S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 504nm 输出功率: 10mW

    QFLD-505-10S光纤耦合激光二极管

  • Qioptiq iFLEX-Adder - 405nm 半导体激光器配件

    iFlex-Adder™是一款光纤耦合光束组合器,可轻松扩展现有激光系统或工作台的波长范围。该系统与大多数可见激光器完全兼容,包括已建立的Qioptiq系列光纤和光纤耦合激光器。400至640nm范围内的多达5个单独的激光器可以组合并耦合到单模保偏光纤传输系统中,然后可以直接集成到您的仪器或实验中。

  • Qioptiq iFLEX-Adder - 488nm 半导体激光器配件

    iFlex-Adder™是一款光纤耦合光束组合器,可轻松扩展现有激光系统或工作台的波长范围。该系统与大多数可见激光器完全兼容,包括已建立的Qioptiq系列光纤和光纤耦合激光器。400至640nm范围内的多达5个单独的激光器可以组合并耦合到单模保偏光纤传输系统中,然后可以直接集成到您的仪器或实验中。

  • Qioptiq iFLEX-Adder - 532nm 半导体激光器配件

    iFlex-Adder™是一款光纤耦合光束组合器,可轻松扩展现有激光系统或工作台的波长范围。该系统与大多数可见激光器完全兼容,包括已建立的Qioptiq系列光纤和光纤耦合激光器。400至640nm范围内的多达5个单独的激光器可以组合并耦合到单模保偏光纤传输系统中,然后可以直接集成到您的仪器或实验中。

  • Qioptiq iFLEX-Adder - 633nm 半导体激光器配件

    iFlex-Adder™是一款光纤耦合光束组合器,可轻松扩展现有激光系统或工作台的波长范围。该系统与大多数可见激光器完全兼容,包括已建立的Qioptiq系列光纤和光纤耦合激光器。400至640nm范围内的多达5个单独的激光器可以组合并耦合到单模保偏光纤传输系统中,然后可以直接集成到您的仪器或实验中。

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。