OmniVision的OV64B是一款64MP CMOS图像传感器，像素尺寸为0.7微米。它使高端和高主流移动设计人员能够以1/2光学格式创建最薄的智能手机。该传感器基于OmniVision的PureCelPlus堆叠式芯片技术，可提供静态图像捕捉和具有电子图像稳定（EIS）功能的卓越4K视频录制，以及每秒30帧（FPS）的8K视频。这些功能使OV64B成为多相机配置中主、广角、超广角或长焦后置相机的理想选择。这款图像传感器支持3次曝光、交错HDR时序，最高可支持1600万像素视频模式。它集成了一个4单元彩色滤光片阵列和片上硬件Re-Mosaic，可实时提供高质量的64MP拜耳输出。在低光照条件下，该传感器可以使用近像素合并来输出具有4倍灵敏度的1600万像素图像，为预览和静态捕捉提供1.4微米的等效性能。在这两种情况下，OV64B都可以持续捕捉最佳质量的图像，同时支持2倍数字裁剪变焦，分辨率为16 MP，并可快速切换模式。OV64B提供Type-2、2x2微透镜相位检测自动对焦（ML-PDAF），以提高自动对焦精度，尤其是在光线较暗的情况下。它还提供CPHY接口，使用更少的引脚实现更大的吞吐量，并支持240 FPS的1080p和480 FPS的720p慢动作视频。其他输出格式包括每秒15帧的64 MP、每秒30帧的8K视频、每秒30帧的4单元像素的16 MP捕获、每秒60帧的4K视频以及每秒30帧的EIS的4K视频。

OmniVision的OV64C是一款64MP CMOS图像传感器，像素尺寸为0.8微米。它支持1/1.7英寸光学格式的高分辨率智能手机相机。OV64C提供Type-2、2x2微透镜相位检测自动对焦（ML-PDAF），以提高自动对焦精度，尤其是在光线较暗的情况下。该传感器提供多种分辨率和帧率配置选项，包括每秒15帧（FPS）的64MP、每秒30帧的8K视频、每秒30帧的4单元像素的16MP拍摄、每秒60帧的4K视频和每秒30帧带EIS的4K视频。此外，OV64C支持高达1600万像素视频模式的3次曝光、交错HDR时序。这款传感器基于OmniVision的PureCel®Plus堆叠式芯片技术，可为高端智能手机提供领先的静态图像捕捉和卓越的4K视频性能以及电子图像稳定（EIS）功能。OV64C还提供广泛的功能，例如用于全分辨率拜耳输出和数字裁切变焦的4单元RemoSAIC，以及使用更少引脚实现更大吞吐量的CPHY接口，使其成为多相机配置中主后置摄像头的理想选择。该图像传感器集成了片上4单元彩色滤光片阵列和硬件重新马赛克，可实时提供高质量的64MP拜耳输出。在低光照条件下，该传感器可以使用近像素合并来输出具有4倍灵敏度的1600万像素图像，为预览和静态捕捉提供1.6微米的等效性能。在这两种情况下，OV64C都可以持续捕捉最佳质量的图像，并支持2倍数字裁剪变焦，分辨率为16 MP，模式切换速度快。

索尼的IMX540是一款2455万像素固态CMOS图像传感器，具有19.3 mm（1.2型）对角线图像和用于彩色相机的方形像素阵列。该有源像素型传感器接受37.125、74.25和54 MHz输入频率。它具有可变电荷积分时间的全局快门功能。该传感器的帧速率为23至34 FPS，灵敏度为2030至2571位。专有的背照式像素结构可实现仅2.74μm见方的紧凑单元尺寸，但仍可保持灵敏度和饱和信号电平等像素特性。它的全局快门功能可以在不扭曲移动物体的情况下进行成像。IMX540采用模拟3.3、2.9V、数字1.1V和接口1.8V四倍电源供电。它具有内置的时序调整电路，H/V驱动器和串行通信电路。其读出帧速率大约是传统图像传感器速度的2.4倍。这是由于背照式像素结构的高度灵活的布线布局，以及由索尼开发的具有嵌入式时钟的可扩展低电压信号（SLVS-EC）高速接口标准的使用。该传感器采用230引脚陶瓷LGA封装。它专为使用高速带宽的高端FA及其摄像机而设计。除了支持5G BPS的标准模型补充了USB 3.0和5GigE应用中的扩展外，还减少了各种应用的测量和检查过程所需的时间，包括检查、图像识别、识别和测量。

Cree的CLV1A-FKB是一款RGB LED，工作波长范围为619-624 nm（红色）、520-535 nm（绿色）和460-475 nm（蓝色）。它提供505-1010 MCD（红色）、900-2240 MCD（绿色）和224-450 MCD（蓝色）的发光强度。该LED消耗100-130mW的功率，并且具有24-38nm的光谱带宽。它的正向电压为2-4 V，正向电流为25-50 mA.这款LED采用PLCC4 3合1 SMD封装，尺寸为3.2 X 2.8 mm，非常适合室内全彩视频屏幕、装饰性照明和娱乐应用。

来自东芝公司的TL1F2-DW0，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为550 mA，光通量为135 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。TL1F2-DW0，L的更多详细信息可参见下文。

来自东芝公司的TL1L2-DW0，L是一种LED，其正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为135 LM，反向电流为100 uA，工作温度为-40至100摄氏度。

东芝公司的TL1L3-DW0，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为145 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-DW0，L的更多详细信息如下所示。

东芝公司的TL1L3-DW0，L4A5B是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为1000 mA，光通量为140 LM，工作温度为-40至100摄氏度，存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-DW0，L4A5B的更多详细信息如下所示。

东芝公司的TL1L4-DW0，L是一款LED，正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为135至160 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。TL1L4-DW0，L的更多详细信息见下文。

东芝公司的TL1L4-DW0，L4A5B是一款LED，正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为140 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。TL1L4-DW0，L4A5B的更多详细信息如下所示。

东芝公司的TL1L4-DW0，L5A5B是一款LED，正向电压为2.6至3.2 V，正向电流为1500 mA，光通量为150 LM，工作温度为-40至125摄氏度，存储温度为-40至125摄氏度。TL1L4-DW0，L5A5B的更多详细信息如下所示。

东芝公司生产的TL1WK-DW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.1 V，正向电流为180 mA，光通量为21.8 LM，工作温度为-40至120摄氏度，存储温度为-40至120摄氏度。TL1WK-DW1，L的更多详细信息见下文。

东芝公司的TL2FL-DW1，L是一款LED，正向电压为2.7至3.3 V，正向电流为100 mA，光通量为22.9 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。

东芝公司生产的TL2WU-DWJ，L是一种LED，正向电压为2.5~3.0V，正向电流为20mA，光通量为1.8lm，发光强度CD为0.22cd，发光强度MCD为220mcd.下面可以看到TL2WU-DWJ，L的更多详细信息。

来自东芝公司的TL3GB-DW1，L是一种LED，其正向电压为5.5至6.1 V，正向电流为200 mA，光通量为68 LM，反向电压为0.75 V，工作温度为-40至100摄氏度。

来自Rohm Semiconductor的SML-D15DW是电流为20mA、正向电压为2V、正向电流为20mA、发光强度CD为0.224cd、发光强度MCD为224mcd的LED.有关SML-D15DW的更多详细信息，请联系我们。

光电二极管公司（Opto Diode Corporation）的OD-110LISOLHT是一款GaAlAs红外LED，其输出功率超过100 MW，峰值发射波长为880 nm.LED在50%处提供55nm的光谱带宽，并且呈现7度的半强度光束角。正向电压为2 V，反向电压为5 V，连续正向电流为500 mA，峰值正向电流高达1.5 A.该LED采用2引脚TO-39封装，工作温度范围为-65°C至+150°C.

Opto Diode Corporation的OD-110WISOLHT是一款广角红外LED，输出功率超过120 MW，峰值发射波长为880 nm.该LED在50%处提供55nm的光谱带宽，并且呈现110度的半强度光束角。正向电压为1.75 V，反向电压为30 V，连续正向电流为500 mA，峰值正向电流高达1.5 A.该LED采用2引脚TO-39封装，工作温度范围为-65°C至+150°C.

Opto Diode Corporation的OD-265-001是一款紫外LED，其功率输出超过0.53 MW，峰值发射波长为260-270 nm.在该波长范围内的发射使得这些装置适用于消毒应用。50%处的光谱带宽通常为13nm.半强度光束角度为70度，正向电压通常为5 V，电容为350 PF.该LED采用TO-46密封封装，工作温度范围为-30°C至+80°C.

光电二极管公司（Opto Diode Corporation）的OD-265-003是一种紫外LED，其功率输出超过0.50 MW，峰值发射波长为260-270 nm.在该波长范围内的发射使得这些装置适用于消毒应用。50%处的光谱带宽通常为13nm.半强度光束角度为9度，正向电压通常为5 V，电容为350 PF.该LED采用TO-46密封封装，工作温度范围为-30°C至+80°C.