TOPAS-PRIME-HE是一款高能飞秒光参量放大器，以TOPAS-PRIME为基础，增加了一个高能低色散放大级，允许使用高达60 mJ的泵浦脉冲能量，同时在输出端保持尽可能短的脉冲。 标准型号TOPAS-PRIME-HE可接受高达15 mJ @ 35 - 70 fs（高达27 mJ @ 100 - 200 fs）的泵浦脉冲能量，而TOPAS-PRIME-HE-PLUS可接受更高的泵浦脉冲能量，高达35 mJ @ 35 - 70 fs（高达60 mJ @ 100 - 200 fs）。60 mJ的泵浦脉冲能量可通过更长的脉冲实现，约150 fs。两种型号都有波长扩展选项，TOPAS-PRIME-HE的波长范围为189 nm至20 μm，TOPAS-PRIME-HE-PLUS的波长范围为240 nm至20 μm。

TOPAS-TWINS由两个独立可调的光参量放大器（OPA）组成，集成在一个外壳中。两台OPA共享相同的白光光源，为两路输出提供出色的稳定性，并在4.5 - 15 μm的调谐范围内提供CEP稳定的中红外脉冲。 两种OPA都有波长扩展选项，波长范围从240 nm到20 μm。每种OPA的输出规格与TOPAS-PRIME相同。最大泵浦脉冲能量取决于脉冲持续时间；详情请参见规格书。

TOPAS-SHBC-400结合了二次谐波带宽压缩器（SHBC）和光参量放大器（OPA），在光谱带宽为150 - 500 cm-1的飞秒脉冲泵浦下产生光谱带宽为3 - 20 cm-1的可调谐脉冲。该装置由飞秒Ti:Sapphire激光器的基谐波泵浦，波长范围为480-2400 nm。可选的混频器将调谐范围扩展至240 nm，最高可达10 μm。

TOPAS-PS-800是一款皮秒光参量放大器，由皮秒Ti:Sapphire激光器的基谐波泵浦，波长范围从1160 nm到2600 nm。 可选的混频器将调谐范围扩展至235 nm，最高可达20 μm。

得益于 PHAROS 和 CARBIDE 激光器的工业级稳定性和可靠性，ORPHEUS-OPCPA 在与我们的标准参量放大器一样紧凑的封装中提供少周期、CEP 稳定的脉冲。所有ORPHEUS OPCPA型号均采用相同的基本结构，可在800 nm、1600 nm、2000 nm和3000 nm四个中心波长之一产生CEP稳定的少周期脉冲。ORPHEUS-OPCPA可带脉冲压缩器或不带脉冲压缩器，因此可用作种子源，提供无背景脉冲，带宽接近单周期，具有出色的光谱相干性和CEP稳定性。 使用同步工业级CARBIDE或PHAROS激光器，泵浦功率可达320 W，泵浦脉冲能量可达8 mJ。可根据要求使用其他泵浦源来获得更高功率，例如薄盘激光器或innoslab激光器。

高能阿秒脉冲产生、固体目标高次谐波产生和激光电子加速等应用都受益于少周期脉冲持续时间和出色的脉冲对比度，同时需要多毫焦脉冲能量。我们强大的高能OPCPA系统可在千赫兹重复率下扩展到多TW峰值功率，同时保持几周期的脉冲持续时间。因此，它们能够满足苛刻的要求，同时提供这种规模的系统前所未有的稳定性和可靠性。 此外，无需复杂和有损的非线性脉冲清洗技术，即可获得> 10¹²的预脉冲对比度，同时在全天运行过程中保持< 250 mrad的CEP稳定性和< 1.5%的脉冲能量稳定性，使其成为一个坚固可靠的多TW系统。

CRONUS-2P是一款飞秒激光器，提供瓦级三同步输出，具有高重复率、短脉冲持续时间和GDD控制，是非线性显微镜的终极光源。在标准配置中，两个独立的可调谐输出可单独或同时工作，分别覆盖680 - 960 nm和960 - 1300 nm，而第三个输出固定在1025 nm，可并行访问。因此，CRONUS-2P可用于在多个荧光探针、钙离子指示剂或锇蛋白的吸收最大值处同时激发它们，而二次和三次谐波发射（SHG和THG）可进行光谱偏移，以方便检测或共振增强。 两个可同时调谐的通道还可实现先进的相干反斯托克斯和受激拉曼散射（CARS和SRS）应用，包括双波段成像、更广泛的振动共振频率选择、恒差双光束调谐、共振增强等。

特点 可调正向电流高达 650mA* 温度控制在 25°C 单 +5V 电源输入

半导体光放大器 (SOAs) 特点 可调正向电流高达 650mA* 温度控制在 25°C 单 +5V 电源输入

可调正向电流高达 250mA* 温度控制在 25°C 单路+5V电源输入

可靠性高，低电流和低电压，可根据要求提供其他配置。

高度均匀性 每通道数据传输速率 > 2.5 Gbps 可根据要求提供其他配置

带 m-PD 的 1.25/2.5Gbps 850nm VCSEL TO-46 罐封装

650nm RCLED 芯片 用于数据通信的 RCLED 芯片

用于传感器的 25mW 850 nm VCSEL 芯片

用于传感器的 100mW 850 nm VCSEL 芯片

用于传感器的 8mW 940 nm VCSEL 芯片

用于传感器的 850 nm VCSEL 芯片

用于传感器的 650nm LED 芯片

用于传感器的 650 纳米 RCLED 芯片