• FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

    OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

  • FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mA

    FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器,如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器,封装在密封的4针TO-46封装中,适用于高速信号放大。

  • FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

    FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器,具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中,为高速信号检测和放大提供了理想条件。

  • FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

    FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层,能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度,支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座,适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外,500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上,适用于高速光通信等应用,为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

  • FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管,适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管,安装在带引线的陶瓷封装上。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

    FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装,具有75微米和120微米的活动区域,适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准,并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

  • FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5V

    FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸,封装在4针TO-46或TO-52封装中,为高速信号放大提供了理想条件。

  • 1999PLU 980纳米未冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 85 mA 标称工作功率: 100-300 mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 225-600 mA 正向电压: 1.75-2.1 V

    1999PLU是一款新一代980纳米未冷却泵浦模块,采用内部芯片技术,专为紧凑型和功率效率要求高的应用设计,通过Telcordia GR-468-CORE认证,符合RoHS标准。具备高达300mW的工作功率,适用于EDFA、多泵浦架构和传感器等应用。

  • 1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0至75°C 无折射功率: >275mW 封装类型: mini-DIL 波长锁定: Fiber Bragg Grating (FBG) 静态放电防护: 5kV

    3SP Technologies的1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块专为需要紧凑尺寸和低功耗的应用而设计,采用mini-DIL封装,内置新开发的用于宽温范围(0至75°C)无冷却操作的激光芯片,芯片完全符合Telcordia建议。可提供超过275mW的无折射功率。波长通过位于单模偏振保持光纤(PMF)尾纤中的光纤布拉格光栅(FBG)来锁定。

  • 1999UMM 980nm非制冷泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100 mA 标称工作功率: 50-250 mW 正向电流: 300-500 mA 正向电压: 1.9 V 峰值波长容差: ±0.5 nm

    1999UMM是最新一代980纳米非制冷泵浦模块,采用公司内部芯片技术,专为需要紧凑性和功率效率的应用而设计。该模块采用超紧凑的3针微型封装,提供高达250毫瓦的工作功率。适用于高比特率相干收发器和掺铒光纤放大器。

  • 1999UMM 275 mW 980纳米未冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 50-250mW 正向电流: 300-500mA 正向电压: 1.9V 峰值波长容差: ±0.5nm

    1999UMM 275 mW Kink-Free FBG Stabilized 980纳米未冷却泵浦激光模块,采用超紧凑封装,不集成NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,适用于需要紧凑型和功率效率的应用场景,掺铒光纤放大器和传感器。

  • 1999UMM系列 980nm 3-pin无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0-80°C 波长锁定技术: 光纤布拉格光栅(FBG) 芯片合格标准: 超过Telcordia推荐 电静态放电阈值: 2000V 最大外壳温度: 80°C

    3SP Technologies的1999UMM系列980nm 3-pin无冷却泵浦模块专为尺寸超紧凑和低功耗的应用而设计。该产品具有3-pin“披萨盒”尺寸优化封装,内置专为无冷却操作而开发的激光芯片,可在0至80°C的宽温度范围内运行,芯片完全符合Telcordia推荐标准。波长通过模块封装内的光纤布拉格光栅(FBG)锁定在单模光纤(SMF)尾纤上。

  • 1999CMB 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 200-500mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 580-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMB是一款新一代980nm地面泵浦模块,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。该模块集成了热电制冷器(TEC)、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,供高达500mW的输出功率和高波长稳定性,适用于EDFA、光纤激光器等应用。

  • 1999CMB 605mW FBG稳定的980纳米冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50 mA 标称工作功率: 150-550 mW 无故障功率: 290-620 mW 正向电流: 680-870 mA 正向电压: 1.9 V

    1999CMB是一款新一代980纳米波长的陆上泵浦模块,采用内部芯片技术,通过完全合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用系统。

  • 1999CHB 750mW FBG稳定的980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 70mA 标称工作功率: 550-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1000-1150mA 正向电压: 1.9V

    3SP Technologies的1999CHB是一款750mW无折点、FBG稳定的980nm冷却泵浦激光模块,适用于高输出功率EDFAs和CATV。具有高稳定性和低功耗特点,可在宽温度范围运行。