• PVI-5-1×1-TO39-NW-36 光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm

    PVI-5-1×1-TO39-NW-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。该设备针对5 µm的最大性能进行了优化。探测器元件单片集成了超半球形GaAs微透镜,以提高设备性能。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围,还可以提高高频性能,但在偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。

  • PV-5-AF series 光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: uncooled IR photovoltaic detector 活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.1±0.2µm, 2.0±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.4±0.2µm, 4.4±0.2µm 截止波长λcut-off(10%): ≥5.3µm, ≥5.3µm

    PV-5-AF系列采用先进的HgCdTe异质结构,具有卓越的性能和稳定性。采用抗条纹技术,大大减少了光学条纹效应。适用于气体检测、监测和分析。

  • SWIR FPA InGaAs 探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    暗电流: < 1 nA/cm2 响应度: > 1 A/W @ 1.55 μm 窗口材料: Sapphire

    VIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA(焦平面阵列)采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术,从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测模块。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。

  • MWIR FPA T2SL 红外探测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics

    冷却红外中波红外探测模块,采用VIGO Photonics S.A. 独特技术,提供640 x 512格式的T2SL基冷却中波红外焦平面阵列,具有可靠的探测性能,适用于苛刻应用。

  • FT-MIR ROCKET 光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    产品代码: FTMIR-L1-060-4TE, FTMIR-L1-085-4TE, FTMIR-L1-120-4TE, FTMIR-L1-160-LN2, FTMIR-L1-160-DLA 分束器材料: CaF2, ZnSe 光谱范围[cm-1]: 5000-1660, 6600-1200, 5000-830, 5000-650 光谱范围[μm]: 2-6, 1.5-8.5, 2-12, 2-16 探测器类型: MCT (4-TE cooled), DLATGS (LN2 cooled)

    ARCOPTIX FT-MIR ROCKET是一款高性能、紧凑且可靠的光谱仪,非常适合中红外的各种应用。该光谱仪通过自制的可更换干燥剂胶囊有效降低了干涉仪体积中的CO2或H2O浓度。凭借其永久对准的干涉仪和固态参考激光器,FT-MIR ROCKET在强度和波长尺度上提供了出色的稳定性。

  • FT-NIR ROCKET 近红外光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围[cm-1]: 11000-4000 光谱范围[μm]: 0.9-2.5 探测器类型: Extended type InGaAs 2-stage TE-cooled 探测器峰值D*[cm Hz1/2W-1]: >2x10^11 信噪比(SNR): >100000:1

    ARCOPTIX FT-NIR Rocket 是一款高性能、紧凑且可靠的近红外光谱仪,适用于近红外光谱的多种应用。其光纤端口使其与反射探头或比色皿等光纤附件直接兼容,用于透射分析液体等。

  • VIS-NIR-DR 宽带光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围: 350-2600nm 决议: < 5nm 测量几何结构: Diffuse illumination, 8° viewing angle 积分球直径: 50mm 积分球入口直径: 10mm

    ARCoptix VIS-NIR-DR 光谱仪是一款广谱仪器,专为可见光和近红外漫反射测量设计。它集成了多通道光栅光谱仪,用于可见光区域的测量,以及覆盖近红外区域的FT-IR。专用软件将两个仪器的信息合并,并输出覆盖 350-2600nm 波长范围的单一光谱。适用于漆料、纺织品、墨水、化妆品、塑料等的漫反射测量。

  •  VIS-NIR 宽波段光谱仪 光谱仪
    瑞士
    分类:光谱仪
    厂商:ARCoptix
    光谱范围: 350nm-2500nm 决议: <1.5nm 光纤输入: 2X SMA-905 单次采集扫描时间: 2 软件接口: Windows 7/10/11

    ARCoptix VIS-NIR 是一款高分辨率、宽波段的光谱仪,覆盖可见光和近红外范围,集成了FT-NIR和光栅光谱仪,用于高分辨率的测量,透射测量、漫反射测量、光源表征和材料识别。

  • pE-340fura 专为Fura-2比率钙成像设计的定制LED照明器 照明解决方案
    英国
    厂商:CoolLED
    性能: 340 nm & 380 nm LED照明系统 保修: 系统=36个月,LED=36个月(340 nm LED保修3000小时累计使用) 环境与安全: 环保节能,无汞无激光,长寿命,无需更换灯泡,降低眼睛损伤风险,安静运行 控制与接口: 手动:手动控制模块,远程:通过全球和单独通道TTL <20 μs全功率,连接性:通过USB(B型)远程连接以进行成像软件控制,序列运行器:单TTL输入以步进用户定义的序列,<20 μs全功率 电源要求: 100-240 VAC, 50.60 Hz, 1.4 A

    pE-340fura是一款专为Fura-2比率钙成像设计的定制LED照明器,同时支持日常荧光显微镜应用。该系统提供340 nm和380 nm的LED照明,能够实现高精度、稳定和高通量的成像,具有视频速率时间分辨率。适用于心肌细胞成像。

  • pE-800 Series 8通道LED照明 照明解决方案
    英国
    厂商:CoolLED
    触发速度: <7µs 光谱范围: 340-635nm (pE-800fura), 365-740nm (pE-800) 控制与接口: USB 2.0, TTL, RS-232 输入电压: 100-240V a.c. 50/60Hz 功率: 最大127W(8通道100%辐照度)

    pE-800系列提供了8通道LED照明,适用于钙成像、pH成像、比率测量以及日常荧光应用。该系列包括pE-800fura和pE-800型号,分别覆盖340-635nm和365-740nm的光谱范围,提供快速控制和高质量数据。适用于钙成像、pH成像、比率测量及日常荧光应用,具有快速控制和高质量数据。

  • R56-850TB 光接收模块 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 上升时间(20%到80%): ~6ps 最大功耗: 280mW 波长响应: 800~1550nm

    R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器(TIA),组装在高速适配板上,具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合,使用FC/PC连接器输入,设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用,速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。

  • V25-850M 高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: Multi mode VCSEL类型: Single mode 发射波长: 835-865nm 数据速率: Up to 28Gbit/s 峰值输出功率: 4mW (Multi mode), 1mW (Single mode)

    V25-850M用于测试目的的高速发射模块,集成了850纳米VCSEL,通过OM3多模光纤进行光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。可提供多模和单模VCSEL版本。适用于16/32G Fibre Channel系统测试、CEI-25系统测试和25G以太网通道测试。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  • Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 0.20-13 mm² 峰值波长: 632-970 nm 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 反向电压: 0-30 V

    Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米,使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用,包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

  • FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55 - +125°C 工作温度: -40 - +75°C 供电电压: +3 - +5.5V 输入光功率: --- - +5dBm 电源电流: 38 - 50mA

    FCI-H125G-010是一款针对短波长(850nm)高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器,并包括一个高增益跨阻放大器,用于产生差分输出电压,以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器,适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

  • Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 温度范围: 0°C to +70°C 存储温度: -25°C to +85°C

    Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管,以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求,所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据,以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。

  • FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55~+125°C 工作温度: -40~+75°C 焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000µm 响应度: 0.85~0.90A/W

    FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管,分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰,非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

  • 可焊接的光电二极管芯片系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号有4.7mm2到189.0mm2 峰值波长: 不同型号有370nm到8500nm 响应度: 不同型号有A/W单位 并联电阻: 不同型号有(MΩ)单位 暗电流: 不同型号有(nA)单位

    这是一系列可焊接的光电二极管芯片,提供了一种低成本的解决方案,适用于需要大活动区域的光检测器,无论是否带有飞线以便组装,或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

  • FCI-InGaAs-36C 光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    感光区直径: 36µm 芯片尺寸: 450 x 250µm x µm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器,适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面,非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用,能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。