• 激光二极管ftld-1600-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.600um 输出功率: 5mW

    FTLD-1600-05S是基于AlInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-05S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1600-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.600um 输出功率: 10mW

    FTLD-1600-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1620-01s-btf 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.620um 输出功率: 1mW

    FTLD-1620-01S-BTF是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-01S-BTF是连续单模注入半导体激光器。它采用蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1620-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.620um 输出功率: 5mW

    FTLD-1620-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1625-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 5mW

    FTLD-1625-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1625-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 10mW

    FTLD-1625-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1630-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.630um 输出功率: 5mW

    FTLD-1630-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1630nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1630-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 5mW

    FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 10mW

    FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1660-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.660um 输出功率: 5mW

    FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1660-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.660um 输出功率: 10mW

    FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1670-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.670um 输出功率: 5mW

    FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1670-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.670um 输出功率: 10mW

    FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1690-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.690um 输出功率: 5mW

    FTLD-1690-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1690-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.690um 输出功率: 10mW

    FTLD-1690-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • LD405-100-1 CW半导体激光器 半导体激光器
    中国大陆
    厂商:Z-Optics
    中心波长: 405um 输出功率: 100mW

    LD405‐100‐1连续波半导体激光器。

  • LD405-200-1 CW半导体激光器 半导体激光器
    中国大陆
    厂商:Z-Optics
    中心波长: 405um 输出功率: 200mW

    LD405‐200‐1连续波半导体激光器。

  • LD635-5-1半导体激光器 半导体激光器
    中国大陆
    厂商:Z-Optics
    中心波长: 635um 输出功率: 5mW

    LD635‐5‐1连续波半导体激光器。

  • LG标准CW半导体激光器 半导体激光器
    德国
    厂商:LaserTechs eK
    中心波长: 0.638um 输出功率: 100mW

    LaserTechs提供在可见光波长范围(例如375,405、445,473、520、635,650、660、670、690nm)和近红外范围(780-1550nm)发射的OEM激光模块。还提供紧凑型绿色DPSS模块和LED模块。我们的产品基于“积木式”设计。这意味着您可以从不同的选项和变化中进行选择,以较好地满足您的规格,从而轻松地将我们的激光模块集成到您的系统中。

  • 低噪音紫光二极管激光器,波长395纳米 半导体激光器
    美国
    厂商:Opto Engine
    中心波长: 0.395um 输出功率: 100mW

    低噪声395nm紫外半导体激光器组件具有体积小、寿命长、成本低、操作方便等特点,主要用于测量、通讯、光谱分析等领域。