• FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上,适用于高速光通信等应用,为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

  • FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管,适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管,安装在带引线的陶瓷封装上。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5V

    FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸,封装在4针TO-46或TO-52封装中,为高速信号放大提供了理想条件。

  • Dual LED series 辐射测量仪器 激光扫描和测距
    美国
    活动区域: 0.81-8.4mm 光谱响应: A/W 暗电流: nA 反向电压: V 工作温度范围: °C

    Dual LED series系列产品包括一个660nm(红色)LED和一个配套的IR LED(如880/895, 905, 或940nm)。这些产品广泛应用于医疗分析和监测设备的辐射测量中。它们也可以用于需要低成本双波长光源的应用。提供两种引脚配置:1)三引脚共阳或共阴,2)两引脚并联背靠背连接。产品有两种封装方式:透明引线框架侧视型和无引线陶瓷基底。

  • 1948RxM 超低功耗14xx/15xx nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    目标波长: 1420-1510nm 中心波长偏差: -0.5nm +0.5nm 操作泵浦功率: 300mW-500mW 最小操作泵浦功率: 50mW 带内功率: 80%

    1948RxM Ultra-Low Power Consumption 14xx/15xx nm泵浦模块,专为拉曼放大设计,采用内部芯片技术,提供卓越的性能、功耗和可靠性。

  • 1064CHP 500 mW 1060 nm冷却种子/泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 500-525 mW 峰值波长: 1050-1070 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.2 W

    1064CHP 1060 nm高功率单模激光模块是为需要在1050-1070 nm波长范围内工作的脉冲和连续波(CW)光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用。

  • 1064CHP 1030 nm高功率单模激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 150-170 mW 峰值波长: 1025-1045 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.0 W

    1064CHP 150 mW 1030 nm高功率单模激光模块是为需要在1025-1045 nm范围内工作波长的脉冲和CW光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用,具备高工作功率和宽温度范围。

  • 1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0至75°C 无折射功率: >275mW 封装类型: mini-DIL 波长锁定: Fiber Bragg Grating (FBG) 静态放电防护: 5kV

    3SP Technologies的1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块专为需要紧凑尺寸和低功耗的应用而设计,采用mini-DIL封装,内置新开发的用于宽温范围(0至75°C)无冷却操作的激光芯片,芯片完全符合Telcordia建议。可提供超过275mW的无折射功率。波长通过位于单模偏振保持光纤(PMF)尾纤中的光纤布拉格光栅(FBG)来锁定。

  • 1999UMM 980nm非制冷泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100 mA 标称工作功率: 50-250 mW 正向电流: 300-500 mA 正向电压: 1.9 V 峰值波长容差: ±0.5 nm

    1999UMM是最新一代980纳米非制冷泵浦模块,采用公司内部芯片技术,专为需要紧凑性和功率效率的应用而设计。该模块采用超紧凑的3针微型封装,提供高达250毫瓦的工作功率。适用于高比特率相干收发器和掺铒光纤放大器。

  • 1999UMM 275 mW 980纳米未冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 50-250mW 正向电流: 300-500mA 正向电压: 1.9V 峰值波长容差: ±0.5nm

    1999UMM 275 mW Kink-Free FBG Stabilized 980纳米未冷却泵浦激光模块,采用超紧凑封装,不集成NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,适用于需要紧凑型和功率效率的应用场景,掺铒光纤放大器和传感器。

  • 1999UMM系列 980nm 3-pin无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0-80°C 波长锁定技术: 光纤布拉格光栅(FBG) 芯片合格标准: 超过Telcordia推荐 电静态放电阈值: 2000V 最大外壳温度: 80°C

    3SP Technologies的1999UMM系列980nm 3-pin无冷却泵浦模块专为尺寸超紧凑和低功耗的应用而设计。该产品具有3-pin“披萨盒”尺寸优化封装,内置专为无冷却操作而开发的激光芯片,可在0至80°C的宽温度范围内运行,芯片完全符合Telcordia推荐标准。波长通过模块封装内的光纤布拉格光栅(FBG)锁定在单模光纤(SMF)尾纤上。

  • 1999CMB 605mW FBG稳定的980纳米冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50 mA 标称工作功率: 150-550 mW 无故障功率: 290-620 mW 正向电流: 680-870 mA 正向电压: 1.9 V

    1999CMB是一款新一代980纳米波长的陆上泵浦模块,采用内部芯片技术,通过完全合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用系统。

  • 1999CHB 750mW FBG稳定的980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 70mA 标称工作功率: 550-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1000-1150mA 正向电压: 1.9V

    3SP Technologies的1999CHB是一款750mW无折点、FBG稳定的980nm冷却泵浦激光模块,适用于高输出功率EDFAs和CATV。具有高稳定性和低功耗特点,可在宽温度范围运行。

  • 1999CHB 750mW泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 70mA 标称工作功率: 540-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1100-1150mA (Pnom=680mW) 正向电压: 1.9V @ 680mW

    1999CHB是一款新一代980纳米波长的陆地泵浦模块,具有低功耗、不会产生折点且具有PM光纤尾纤的特点。模块在宽温度范围内运行,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。1999CHB 750mW泵浦激光模块专为高波长和功率稳定性的EDFA和CATV应用设计,具有低功耗和扩展的工作温度范围。

  • 1999CVB 1050mW 泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 700-950mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: -1520mA 正向电压@950mW: 2V

    1999CVB是一款新一代980nm陆地泵浦模块,采用公司内部芯片技术,充分经过验证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块在低功耗的同时,提供高波长和功率稳定性。

  • 1999CVX 980 nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 700 - 950mW 无折点功率: 1.1 x Pnom - mW 正向电流: 80 - 1575mA 正向电压@950mW: 2V

    3SP Technologies的1999CVX是一款980 nm冷却泵浦激光模块,适用于高输出功率低噪声掺铒光纤放大器和密集波分复用掺铒光纤放大器等应用。980 nm冷却泵浦激光模块,提供高达950mW的操作功率,具有小型封装、无突跳功率和高波长及功率稳定性。

  • Laser Controller C150 温度和激光驱动的设备 半导体激光器驱动器
    电源选项1: +12 V/2 A -12 V/0.5 A 电源选项2: +12V/0.5 A -12V/0.5A +5V /1.5A 激光电流控制: 0 - 250 mA 恒流输出电压: > 4.0 V 设置精度: 2 % fs

    C150结合了集成的温度驱动器和激光驱动器于一体。温度控制完全线性;激光TEC可以使用单独的电源。TEC控制可以通过内置的PI环路或外部信号。激光驱动具有250 kHz的模拟带宽;通过SMB连接器提供单独的快速TTL兼容开关。激光电流具有250 mA的硬件限制,除非定制,否则不能超过。适用于光谱学、激光和精密仪器等应用,具有高精度和线性温度控制功能。