• FOL1439 Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~3000mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mA

    FOL1439系列(带FBG)是为光学传输系统中使用的各种光学放大器设计的,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的拉曼放大器。

  • 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。

  • 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。

  • 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。

  • C30902SH Series(系列) 雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μm

    Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD,能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式(Vop > VBD)以检测单光子,或者在Linear模式(Vop < VBD)下工作,增益可达250。

  • C30817EH series(系列)硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    封装: TO-5 有用面积: 0.5mm² 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees

    C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管,采用双扩散“穿透”结构制造,可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

  • C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gain

    C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD,专为各种宽带低光级应用而设计,涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

  • C30659 Series(系列)带混合前置放大器的硅(Si)或InGaAs雪崩光电二极管(APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)

    Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管(APD)与混合前置放大器,在同一个密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。

  • C30737CH Series 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-160Volts 工作电压: 100-150Volts 增益: M=100 响应度: 35A/W@635nm

    C30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装,适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。

  • C30737LH-300-7XN Series 低电容硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 工作电压: 95-155Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°C

    Excelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管,封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中,适用于高体积激光测距和测距应用。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块集成了APD、热电制冷器(TEC)以及放大电路,所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管(APD)设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度,并具有大约5纳秒的上升和下降时间,下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Circular 封装: TO-5/TO-8 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135Degrees

    Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应(即>900nm)得到增强,同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长,适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

  • SS-4-VCR-2-GR-VS激光打孔流动限制垫片 光圈
    美国
    分类:光圈
    厂商:Lenox Laser
    部件直径: 11.9 mm 厚度: 0.7 mm 材料: Stainless Steel

    激光打孔流动限制垫片可用于临界流动、减压、颗粒分离、注射混合、真空和微衰减。这些经济单位有一个预适合的设计,允许快速变化,以适应您的应用程序的需要。光学测量孔不能保证满足规定的流量。

  • IM-1550-20系列 20GHz强度调制器 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Optilab
    输入光功率: 100 mW max. 工作波长: 1530 nm to 1610 nm 啁啾值: < ±0.2 插入损耗: < 5 dB max. 消光比: > 25 dB min.

    Optilab IM-1550-20强度调制器设计用于TDM和WDM 20 Gb/s传输,支持高达20 GHz的模拟调制,适用于卫星链路、天线远程和光纤射频传输。适用于卫星链路和RF over Fiber等多种应用。

  • AxCIS Series系列 800.125 mm – 800 mmCOMS图像传感器 CMOS图像传感器
    加拿大
    厂商:1stVision
    视场角: 800.125 mm – 800 mm, 400.125 mm – 400 mm 分辨率: 28,608 pixels – 800 mm (900 dpi), 14,304 pixels – 400 mm 像元尺寸: 28 µm (900 dpi) 线路速率: 120 kHz (single), 60 kHz x 2 (dual exposure), 50 kHz x 3 (color) 最小线速: 0 Hz – external trigger, 300Hz – Internal trigger

    AxCIS系列是Teledyne DALSA推出的一款突破性CMOS接触图像传感器(CIS)格式模块,具有前所未有的速度、灵敏度和低噪声。适用于平板显示器、纺织品和电路板检查等高通量应用,具有高分辨率和快速成像能力。

  • Linea HS系列 4K-32K的CMOS TDI线扫描相机 CMOS图像传感器
    加拿大
    厂商:1stVision
    成像格式: 高速度CMOS TDI 像元尺寸: 5.0µm x 5.0µm 最大线速: 400kHz 工作温度: +0°C to +65°C 输入电源: +12V to +24V DC

    Teledyne DALSA推出了突破性的CMOS TDI线扫描相机格式,具有前所未有的速度、响应度和极低的噪声。 LG HS™ TDI相机的分辨率范围从4k到32k像素,专为高速应用而设计。适合LCD和OLED显示器检测等高通量应用。

  • 1290nm垂直腔面发射激光器(VCSEL) 激光发射器
    美国
    分类:激光发射器
    厂商:Optilab
    波长: 1290nm 驱动电流: 低 数据速率: 最高2.5Gbps 封装类型: TO封装 温度稳定性: 内置TEC

    1290nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)封装在紧凑的同轴外壳中,配有单模光纤尾纤。适用于光纤传感、激光传输和光通信应用,具有低驱动电流和温度稳定性。

  • Optilab DFB-1470-DL 单模双线DFB激光器 发光二极管
    美国
    分类:发光二极管
    厂商:Optilab
    输出功率: 8 mW 波长范围: 1470nm - 1480nm

    Optilab DFB-1470-DL单模双线DFB激光器是一种性价比高的1470nm – 1480nm波长激光源,具有8 mW的输出光功率、高侧模抑制比(SMSR)、低残余啁啾,并配备内置的热电冷却器、热敏电阻和后面监控光二极管以进行外部光功率控制。适用于模拟链路和数字通信。