HL6545Mg AlGaInP半导体激光器。

HL6714G AlGaInP半导体激光器

HL6738Mg AlGaInP半导体激光器

HL6748Mg AlGaInP半导体激光器

HL6750mg AlGaInP半导体激光器。

HL6756MG AlGaInP半导体激光器。

HL7001MG/02MG InGaAsP半导体激光器

HL7301MG/02MG InGaAsP半导体激光器。

HL8337Mg/38Mg GaAlAs半导体激光器。

HL8340MG/41MG GaAlAs半导体激光器。

HL8342Mg/43Mg GaAlAs半导体激光器。

HLX-F产品基于固态、二极管泵浦和被动调Q激光器。凭借我们的专有专利设计，我们的激光器可在单模光纤中产生1064 nm的单脉冲，持续时间短至450 PS，重复频率高达70 kHz，平均功率高达400 MW，能量高达10μJ。极其可靠和坚固的微芯片设计是先进的OEM工业和科学应用的完美选择。紧凑的设计较适合几乎任何系统集成。

IPG Photonics的Ho：YAG锁模皮秒激光器可在2090 nm波长下提供高达20 W的输出功率，重复频率为80至200 MHz。锁模Ho：YAG激光头由IPG高效可靠的铥光纤激光器泵浦。Ho：YAG-2090脉冲激光器适用于非金属材料加工、科学和医疗应用。

HLX-G产品基于固态、二极管泵浦和被动调Q激光器。凭借我们的专有专利设计，我们的激光器可产生532 nm的单脉冲，持续时间短至350ps，重复率高达50 kHz，平均功率高达200 MW，能量高达20μJ。极其可靠和坚固的微芯片设计是先进的OEM工业和科学应用的完美选择。紧凑的设计较适合几乎任何系统集成。

HLX-I产品基于固态、二极管泵浦和被动调Q激光器。凭借我们的专有专利设计，我们的激光器可产生1064 nm的单脉冲，持续时间短至450 PS，重复频率高达70 kHz，平均功率高达500 MW，能量高达50μJ。极其可靠和坚固的微芯片设计是先进的OEM工业和科学应用的完美选择。紧凑的设计较适合几乎任何系统集成。

专为解决问题而构建HNU在标准交钥匙设计中为各种低光成像应用提供较大灵敏度，以实现快速轻松的集成。通过NuVuCameras技术，HNU提供了高质量热电冷却EMCCD相机所期望的所有性能：较低的背景噪声；较高EM增益；读出速率高达20 MHz，采集速度较快；高品质的光学器件，提供卓越的量子效率；直观的NuPixel软件用于控制、采集和分析；第三方软件的各种驱动程序，以及可实现较大可定制性的软件开发工具包（SDK）。http：//www.nuvucameras.com

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为性能而打造HNU在标准交钥匙设计中为各种低光成像应用提供较大灵敏度，以实现快速轻松的集成。通过NuVuCameras技术，HNU提供了高质量热电冷却EMCCD相机所期望的所有性能：较低的背景噪声；较高EM增益；读出速率高达20 MHz，采集速度较快；高品质的光学器件，提供卓越的量子效率；直观的NuPixel软件用于控制、采集和分析；第三方软件的各种驱动程序，以及可实现较大可定制性的软件开发工具包（SDK）。http：//www.nuvucameras.com

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