FIDL-50M-698B是用MOCVD方法制备的698nm GaInAlP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50M-698B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-1040X是InGaAs/GaAs多量子阱MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-1040X是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-1060D是1060nm InGaAs/GaAs单量子用MOCVD方法制备了半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-1060D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用5.6mm和9mm TO CAN和TO-3窗口封装，集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S 1070D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9毫米TOCAN和TO-3窗口封装，集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光学功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-850D是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-850D是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-880D是用MOCVD半导体激光器制作的880nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-880D是一款连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-760X是760nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-760X是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-242 5.6mm封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。激光二极管适用于氧气检测以及其他各种光电系统。

FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付，内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

FKLD-100S-830-60-WPD是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-100S-830-60-WPD是一种连续单横模注入半导体激光器。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

FKLD-10S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FKLD-3S-785-60X-L是用MOCVD半导体激光器制备的785nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-3S-785-60X-L是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

FKLD-50S-685-60X是685nm InGaAlP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-50S-685-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FKLD-5S-670-70X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-670-70X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FKLD-5S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-401#403是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1270-1330nm激光二极管，采用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电子器件系统。