• EYP-RWS-0760-00040-1500-TOS52-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 760 nm 输出功率: 0.01 to 0.04 W 阈值电流: 70 mA 类型: Free Space Laser Diode

    Eagleyard的EYP-RWS-0760-00040-1500-TOS52-0000是一种稳定的脊波导激光器,工作波长为760nm.该单频激光器具有小于0.1pm的窄线宽,阈值电流为70mA.激光二极管采用TO56封装,适用于氧气传感和计量应用。

  • EYP-RWS-0780-00080-1500-TOV01-0000 半导体激光器
    德国
    波长: 778 to 783 nm 输出功率: 20 to 80 mW 工作电流: 180 mA 阈值电流: 70 mA 类型: Free Space Laser Diode

    来自Eagleyard的EYP-RWS-0780-00080-1500-TOV01-0000是一种稳定的脊形波导激光器,其输出功率高达80 MW,工作波长为780 nm.它的边模抑制比(SMSR)为45 dB.该激光器采用8引脚封装,包括监控二极管、热电冷却器和热敏电阻。它适用于计量和干涉测量应用。

  • 6507-0003 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    工作模式: CW Laser 波长: 795 nm 输出功率: 180 W 工作电压: 14.3 to 15 V 工作电流: 40 to 50 A

    来自QPC Lasers的6507-0003是795nm光纤耦合激光器模块,可提供超过180 W的输出功率。该激光器是自旋交换光泵浦(SEOP)的理想光源。其光谱宽度小于0.25nm,纤芯直径为1000μm.

  • BrightLase 7315-0010 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    应用行业: Industrial 工作模式: CW Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 15 W 工作电压: 7 V

    QPC Lasers LLC的BrightLase 7315-0010是一款1550 nm激光二极管,可从100µm宽度的发射器提供超过15W的峰值功率。该器件采用TO-18封装,非常适合传感、人眼安全测距、隐蔽照明和工业计量应用。

  • BrightLock®单模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1550 nm 输出功率: up to 500 mW 工作电压: 1.9 to 3.9 V

    QPC Lasers的BrightLock®单模激光器在1550 nm下工作时,可提供高达500 MW CW的输出功率。这些激光器具有500kHz的窄线宽和稳定的光谱。它们采用蝶形封装,非常适合于光纤播种、激光通信、激光雷达和测距应用。

  • ML562G84 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 638 nm 输出功率: 0 to 2.5 W 工作电压: 2.4 V 占空比: up to 40%

    来自三菱的ML562G85是中心波长为639nm的连续波(CW)红色激光二极管(LD)。它提供2.1 W的输出功率,产生250流明。激光二极管具有41%的高插拔效率。它采用9 mm TO-CAN封装,是投影仪的理想选择。

  • B-103 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 6.2 W 工作电压: 1.8 V

    Seminex公司的B-103是中心波长为1310nm的激光二极管。该器件采用1.8 V电源供电,输出功率为6.2瓦。该激光二极管采用B-mount封装,是自由空间光通信、军事/航空航天、激光雷达和医疗激光设备应用的理想选择。

  • TO56迷你型 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 8 to 15 W 工作电压: 7.3 to 8.6 V

    Seminex Corporation的TO56 Mini是一款激光二极管,工作波长为1250 nm和1550 nm.它提供了15W的脉冲输出功率,并且具有28.8nm的光谱宽度(FWHM)。这款激光二极管采用紧凑型56英寸封装,带有1.9 mm底座和可选的2.8 mm电容。它是OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事和照明应用的理想选择。

  • TO56m-300 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 15 W

    Seminex公司的TO56M-300是基于InP的红外激光二极管,工作波长为1550 nm.该激光器腔长为1250μm,光谱宽度为28.8nm,输出功率为15W,斜率效率为0.2W/A,功率效率为2%。它需要8.6 V的直流电源,阈值电流为1 A.该激光二极管采用TO56封装,非常适合OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ARR97C020 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 25 A

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR97C020是一种传导冷却激光二极管阵列,中心波长为808nm(也可选择790-1550nm)。输出功率为20W,电光转换效率为47%。激光二极管阵列具有1.8nm的光谱宽度。该器件的工作电压为1.7 V,阈值电流为8 A.激光二极管阵列采用直接粘合的尖端光电C封装,尺寸为24.89 X 24.89 X 11.18 mm.该封装基于诺斯罗普·格鲁曼公司的Golden Bullet技术,该技术能够在每个封装中使用多个条。ARR97C020可安装到激光系统中,也可用于直接二极管应用。

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Industrial, Scientific 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2 V

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。

  • UMB800C100 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 112 A

    诺斯罗普·格鲁曼公司的UMB800C100是一种808 nm激光二极管棒,具有25个200 X 1µm尺寸的发射器。它提供100W的CW输出功率,并且具有1.5nm的光谱宽度。该二极管的阈值电流为16 A,需要1.8 V电源。该二极管的条形尺寸为9.6 X 135 X 2000µm.

  • BMU100/120-976S-02-R 半导体激光器
    波长: 976 nm 输出功率: up to 120 W 工作电压: 30 V 工作电流: 10 A 阈值电流: 500 to 700 mA

    II-VI Incorporated的BMU100/120-976S-02-R是976 nm泵浦激光模块,具有高达120 W的波长稳定输出功率。该模块采用新一代多模激光二极管,具有E2前镜钝化功能,可防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤(COD)。激光二极管串联连接,以实现快速电流切换。该模块包括一个反馈保护滤波器,可保护激光二极管免受有害的光纤激光器波长反馈光的影响。精确的波长稳定性减少了激光系统的预热时间和维护,提高了生产率。这种波长稳定的泵浦激光器模块是超快光纤激光器泵浦、超连续谱、医疗、分析和直接应用的理想选择。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • Monsoon Series 模块化激光二极管棒 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • SES12-9xx-03 半导体激光器
    技术: Quantum Well 输出功率: 12 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: < 12 A 阈值电流: 550 mA

    II-VI Incorporated的SES12-9xx-03是一款单发射器激光二极管,工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.它提供高达12 W的输出功率,并具有4 nm的光谱宽度(FWHM)。该激光器需要1.7 V的直流电压,阈值电流高达550 mA.它的设计采用了专有的E2前镜钝化工艺,可防止灾难性的光学损伤(COD)。激光二极管的尺寸为400 X 150 X 90µm,非常适合光纤激光器泵浦、材料加工和医疗应用。

  • SES22-9xx-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 22 W 激光颜色: Infrared 类型: Free Space Laser Diode

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上,热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长(其他可根据要求提供)。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • 905D1SxxUA-系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: up to 75 W 工作电流: 3.5 to 22 A 阈值电流: 250 to 800 mA

    Laser Components的905D1SXXUA系列是高端/低成本脉冲激光二极管,可提供高达75 W的输出功率。这些905 nm PLD采用5.6 mm密封CD封装,可用于测距、速度监控、激光雷达、安全扫描仪和激光光幕或测试和测量系统。PLD提供高可靠性和温度稳定性,并且还实现了最佳的光束特性。