• FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39 半导体激光器
    德国
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAsP/AlGaAs 波长: 760 nm 输出功率: 0.25 mW 工作电压: 2 V

    Frankfurt Laser Company的FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39是GaAsP/AlGaAs二极管VCSEL(垂直腔面发射激光器),工作波长为760nm.最小输出功率0.25mW,壁插效率12%,斜率效率0.3W/A,谱宽100MHz,发散角10°~25°。它的正向电压为1.8 V,阈值电流为0.5 mA.该激光器具有ESD保护,并具有内部TEC、热敏电阻和PD.该器件采用TO-39封装,尺寸为Ø9.14 mm,非常适合TDLAS应用。

  • V940-12GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1 to 2.5 mW 工作电压: 2.2 to 2.8 V

    Inneos的V940-12GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为940 nm.光输出功率为2.5 MW,斜率效率为0.3-0.6 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在小于9.0GHz的带宽下具有12Gbps的数据速率。它的光谱宽度为1nm,光束发散半角为15度。V940-12GWA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为0.75 mA,反向电压高达8 V.它需要2.2 V的直流电源,消耗6 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和航空航天应用。

  • V980-10GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 2 to 2.7 mW

    Inneos的V980-10GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.它提供高达10 Gbps的数据速率和2.7 MW的光输出功率。这种单通道顶发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为7.5GHz,斜率效率为0.5-0.6mW/mA.它的阈值电流为1.25毫安,光束发散半角为13度,微分电阻为68欧姆。该激光二极管需要1.7-2.7 V的直流电源,并消耗5 mA的电流。它采用尺寸为0.25 X 0.25 X 0.20 mm的裸片封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的发射器光学子组件、高性能收发器和恶劣环境传感器。

  • V980-10GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-10GXA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为1.6 W,斜率效率为0.5-0.75 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在超过7.75GHz的带宽下具有10Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为16度。V980-10GXA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为2 mA,反向电压高达8 V.它需要2-3.15 V的直流电源,消耗3 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和汽车应用。

  • V980-6GUA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 2.7 mW

    Inneos的V980-6GUA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为2.7 MW,斜率效率为0.4-0.6 MW/mA.这种单通道顶部发射VCSEL在小于4.5GHz的带宽下具有6Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为13度。V980-6GUA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为1 mA,反向电压高达8 V.它需要1.9-3.0 V的直流电源,消耗5 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.20 X 0.25 mm,非常适合恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • EYP-RWE-0760-02010-1500-SOT12-0000 半导体激光器
    德国
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 760 nm 输出功率: 0.08 W 横模: TEM00

    Toptica Eagleyard的EYP-RWE-0760-02010-1500-SOT12-0000是一种AR涂层的法布里-珀罗激光二极管,工作波长为760nm.它的输出功率为80mW,监测探测器的响应度为1-40μA/MW.该TM偏振激光二极管消耗180mA的电流。它具有长度为1500μm的腔和高度为3.5-3.7mm的发射平面。该激光二极管采用密封SOT外壳,非常适合用于外腔二极管激光器(ECDL)、监测和光谱应用。

  • EYP-RWE-1060-10020-0750-SOT01-0000 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1060 nm 输出功率: 0.07 W 工作电流: 0.18 to 0.2 A 激光增益介质: GaAs

    来自Eagleyard的EYP-RWE-1060-10020-0750-SOT01-0000是可在960至1080nm范围内调谐的GaAs半导体激光二极管。该可调谐1060nm法布里-珀罗激光二极管提供高达100mW的输出功率。它采用TO-CAN封装,非常适合光谱应用。

  • EYP-RWL-1060-00750-4000-FLW01-0006 半导体激光器
    德国
    技术: Fabry-Perot (FP) 波长: 1060 nm 输出功率: 0 to 650 mW 工作电流: 940 mA 阈值电流: 65 mA

    EYP-RWL-1060-00750-4000-FLW01-0006是一款1060 nm单模Fabry-Perot激光二极管,输出功率超过650 MW.它在单个横向谐振器模式下工作,导致衍射受限的输出。然而,可能出现多个轴向(纵向)模式,这可能导致不同的光学频率。频率由激光器芯片的反射面给出的谐振器的自由光谱范围分开。该激光器采用带窗口的小型扁平封装,是传感应用的理想选择。

  • TO56m-100-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 8 W

    Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • TO56m-200-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 13 W

    Seminex的TO56M-200-173是一款工作波长为1250 nm的红外激光二极管。该激光器的脉冲输出功率为13W,斜率效率为0.2W/A,快轴发散角为30°(FWHM),慢轴发散角为14°(FWHM)。它需要7.9 V的直流电源,功耗高达35 A.该激光二极管采用TO56封装,适用于军事/航空航天、激光雷达、OEM医疗、专业医疗和照明应用。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • BMU100/120-976S-02-R 半导体激光器
    波长: 976 nm 输出功率: up to 120 W 工作电压: 30 V 工作电流: 10 A 阈值电流: 500 to 700 mA

    II-VI Incorporated的BMU100/120-976S-02-R是976 nm泵浦激光模块,具有高达120 W的波长稳定输出功率。该模块采用新一代多模激光二极管,具有E2前镜钝化功能,可防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤(COD)。激光二极管串联连接,以实现快速电流切换。该模块包括一个反馈保护滤波器,可保护激光二极管免受有害的光纤激光器波长反馈光的影响。精确的波长稳定性减少了激光系统的预热时间和维护,提高了生产率。这种波长稳定的泵浦激光器模块是超快光纤激光器泵浦、超连续谱、医疗、分析和直接应用的理想选择。

  • CM97-1000-76PM 半导体激光器
    波长: 976 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅 (FBG) 工作模式: CW

    来自II-VI Incorporated的CM97-1000-76PM波长为976±1nm,被设计为掺铒光纤放大器(EDFA)应用的泵浦源。CM97-1000-76PM泵浦模块采用光纤布拉格光栅(FBG)设计,以增强波长和功率稳定性。该产品的设计可确保优于驱动电流和外壳温度的波长锁定。可提供1000mW的无扭结输出功率,可应用于光纤激光器,传感技术,EDFA。有关CM97-1000-76PM的更多详细信息,请联系我们。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • Monsoon Series 模块化激光二极管棒 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • SES22-9xx-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 22 W 激光颜色: Infrared 类型: Free Space Laser Diode

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上,热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长(其他可根据要求提供)。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • nanoplus FP HPFP 1950-2350nm 半导体激光器
    德国
    厂商:nanoplus
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 1950 to 2350 nm 输出功率: 1000 mW 工作电压: 2.5 V

    Nanoplus的Nanoplus FP HPFP 1950-2350nm是一种法布里-珀罗激光二极管,工作波长为1950至2350nm.它提供1000 MW的连续输出功率,并且具有高效率。激光二极管需要2.5 V的直流电源,阈值电流高达300 mA.它基于nanoplus&rsquos FP激光技术,是气体传感应用的理想选择。

  • RLD78MFA7 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 790 nm 输出功率: 0.003 to 0.0045 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.035 A

    Rohm Semiconductor的RLD78MFA7是波长为790nm的激光二极管,输出功率为0.00 3至0.0045W,工作电压为1.9V,工作电流为0.035A,阈值电流为25mA.有关RLD78MFA7的更多详细信息,请联系我们。

  • ADL-94Y01EY-F2 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.35 to 0.4 A 阈值电流: 45 to 65 mA

    Laser Components的ADL-94Y01EY-F2是一款940nm红外激光二极管,可提供220 MW的光输出功率。该激光器需要45mA的阈值电流。它采用3.5 X 3.5 X 0.75 mm表面贴装封装,非常适合激光测距、光纤激光器泵浦和3D传感应用。