OT-37是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-37提供超过2 MJ的脉冲能量，半高宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-37还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

OT-39是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态（DPSS）激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内，OT-39提供超过3 MJ的脉冲能量，半高宽（FWHM）脉冲宽度为10 ns，脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz，在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm，光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-39还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

用于功率测量的PC接口。单通道，USB输出。

用于功率测量的PC接口。单通道，RS-232输出。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

光纤光栅在光通信、激光技术和传感系统中有着广泛的应用。光纤光栅被广泛应用于光纤反射镜和窄带光学滤波器中。FBG可用作应变和温度测量的敏感元件。

掺磷光纤PDF-5/125系列专为在1.1-1.6µm光谱范围内工作的高效拉曼激光器和放大器而设计。

Gentec-EO光电探测器，用于测量皮焦耳/脉冲的极低能量范围内的激光输出能量。

Gentec-EO PH硅光电探测器，用于VIS至NIR光谱范围内的激光输出功率测量和低于0.1W的功率范围。

Gentec-EO pH光电探测器，用于测量可见光至低近红外（NIR）光谱范围内的激光输出功率。

Gentec-EO PH锗光电探测器，用于测量近红外（NIR）光谱范围内的激光输出功率/能量。

用于宽光谱范围激光功率测量的Gentec-EO Pronto-Si光电探测器

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

•高灵敏度/宽动态范围

OSI激光二极管公司LDPA 0003R PINFET为光接收机系统提供了出色的解决方案