• QSL103A 激光器模块和系统
    美国
    厂商:索雷博
    类型: Laser System 技术: Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Picosecond Lasers 波长: 1030 nm

    来自Thorlabs的QSL103A是输出波长为1030nm的Q开关脉冲皮秒微片激光器系统。它提供超过80千瓦的输出功率,并在8小时内具有1%的功率稳定性。该激光器产生的脉冲能量为40-50µJ,脉冲持续时间为500 PS,重复频率为8-10 kHz.它具有10mrad的光束发散度和小于1.2的光束质量因子M2。该激光器需要100-250V的交流电源,功耗为22W.QSL103A激光系统采用紧凑型微芯片激光腔和光纤耦合泵浦激光头。激光头由光束孔上的SM05(0.535-40)内螺纹和4-40螺纹组成,与Thorlabs的30 mm笼式组件兼容,从而简化了外部准直透镜的集成。它有一条连接激光头和控制器的脐带。激光系统集成了安全联锁、温度稳定和操作所需的所有驱动电子设备。它有一个用于激光发射的LED指示灯,激光头可以监控输出脉冲和重复率,并通过电子触发器对脉冲的到达进行计时。QSL103A采用紧凑型封装,尺寸为307.4 X 299.9 X 84 mm,带SMA母头连接器,非常适合材料处理、光声成像、荧光寿命成像、谐波产生、激光雷达和激光诱导击穿光谱应用。

  • MNx系列 激光器模块和系统
    法国
    厂商:Teem Photonics
    类型: Laser Module 技术: DPSS Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 可调谐: No

    MNX系列紧凑型微芯片激光器的工作波长为1535nm、1064nm和532nm.MNE是一种人眼安全激光器,它将泵浦二极管和微腔集成在不到7厘米长的封装中。它在几纳秒内产生超过1千瓦的峰值功率。

  • PicoOne系列 激光器模块和系统
    法国
    厂商:Teem Photonics
    类型: Laser System 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Picosecond Lasers 波长: 532 to 1064 nm 可调谐: No

    Teem Photonics的PicoOne系列是光纤放大微芯片固态激光器,可在532和1064 nm下工作时提供高达1瓦的平均输出功率。它们提供高达15μJ的脉冲能量,重复频率低于

  • STP-100F-1x0 激光器模块和系统
    法国
    厂商:Teem Photonics
    类型: Laser Module 技术: Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    TEEM Photonics的STP-100F-1x0是一款工作波长为1064 nm的触发式微芯片激光器。它产生1064nm的脉冲,该脉冲直接由二极管泵浦的被动调Q Nd:YAG微片发动机产生。该激光器以100 kHz的重复率提供超过1 kW的峰值功率(75 MW平均功率),输出能量超过0.75µJ,脉冲持续时间为350 PS.它具有0.75 ns的恒定脉冲宽度范围(FWHM)。STP-100F-1x0采用紧凑的144 X 42 X 36 mm密封SNXII封装。它适用于仪器(测距、差分吸收激光雷达、超连续谱生成、分布式温度传感和拉曼光谱)和生物光子学(细胞显微解剖、脑纳米手术和蛋白质交联)应用。

  • EP689-DM-BC 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB), Quantum well 波长: 689 to 695 nm 输出功率: 5 to 10 mW 工作电压: 2.5 V 工作电流: 150 mA

    EP689-DM-BC激光二极管模块是一款高性价比、高相干激光源,工作波长为689nm,具有高SMSR.该激光二极管采用专利的离散模式(类DFB)脊形波导技术开发,采用外延结构设计,以提供基于InP的应变量子阱激光二极管光源。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装,配有热电冷却器(TEC)和热敏电阻。

  • EYP-RWL-1060-00750-4000-FLW01-0006 半导体激光器
    德国
    技术: Fabry-Perot (FP) 波长: 1060 nm 输出功率: 0 to 650 mW 工作电流: 940 mA 阈值电流: 65 mA

    EYP-RWL-1060-00750-4000-FLW01-0006是一款1060 nm单模Fabry-Perot激光二极管,输出功率超过650 MW.它在单个横向谐振器模式下工作,导致衍射受限的输出。然而,可能出现多个轴向(纵向)模式,这可能导致不同的光学频率。频率由激光器芯片的反射面给出的谐振器的自由光谱范围分开。该激光器采用带窗口的小型扁平封装,是传感应用的理想选择。

  • 4PN-101 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1450 nm 输出功率: 3.8 W 工作电压: 1.6 V

    Seminex的4PN-101是一款4针光纤耦合激光模块,工作波长为1450 nm,可提供4 W的CW输出功率。多模激光器具有10nm的光谱宽度。该激光器需要1.6 V电源,阈值电流为0.5 A.它采用高功率Seminex激光二极管芯片,与光电二极管或热敏电阻一起安装在方便的低成本封装中。该封装采用105/125.22NA光纤和SMA 905连接器。该激光模块适用于OEM医疗、DPSS泵浦源、激光雷达、自由空间通信和军事/航空航天应用。

  • 未装配的芯片 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片760-830nm是波长为760至830nm的激光二极管,输出功率为0.5至8W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.未安装芯片760-830纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 未装配的芯片 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.8 to 2 V 工作电流: 0.5 to 8.5 A

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片830-1100nm是波长为760至830nm的激光二极管,输出功率为0.5至8W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.未安装芯片830-1100纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 20XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2025 nm 输出功率: 0.0405 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的20xx nm SAF增益芯片是波长为2025 nm、输出功率为0.0405 W、工作电压为1 V、工作电流为0.3 A、阈值电流为50 mA的激光二极管。有关20xx nm SAF增益芯片的更多详细信息,请联系我们。

  • 23XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2250 nm 输出功率: 0.016 to 0.01 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的23xx nm SAF增益芯片是一种激光二极管,波长为2250nm,输出功率为0.016至0.01W,工作电压为1V,工作电流为0.3A,输出功率(CW)为0.016至0.01W.23xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 24XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 2380 nm 输出功率: 0.005 to 0.095 W 工作电压: 1 V

    来自Brolis Semiconductors的24xx nm SAF增益芯片是一款激光二极管,波长为2380 nm,输出功率为0.005至0.095 W,工作电压为1 V,工作电流为0.3 A,输出功率(CW)为0.005至0.095 W.24xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • PLANEX 1550纳米激光二极管 半导体激光器
    应用行业: Communications, Defense and Security, Oil & Gas 技术: External Cavity Lasers 工作模式: CW / Pulsed 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 30 mW

    来自Redfern Integrated Optics的Planex 1550 nm激光二极管是一种窄线宽外腔激光二极管,工作波长为1530至1565 nm.它提供30 MW的输出功率,并提供超过40 dB的光隔离。激光二极管具有小于1kHz的窄线宽,并且对振动和声学噪声不敏感。它由增益芯片和包含布拉格光栅的平面光波电路(PLC)组成。激光二极管是声学和地震传感、国防和安全、石油和天然气勘探和生产、激光雷达和遥感、干涉光纤传感、计量、射频和微波光子学以及相干通信应用的理想选择。

  • PLANEXTM 半导体激光器
    应用行业: Metrology, Infrastructure, Security, Wind, Oil & Gas 技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 20 mW

    Redfern Integrated Optics的Planex™是一款中心波长为1530至1565 nm的光纤耦合外腔激光器(ECL)。它提供高达20 MW的功率,并具有40 dB的光隔离。单频激光器支持CW、调制和脉冲操作,并且具有30pm的波长调谐范围和从DC到200kHz的调制带宽。该激光器具有低相位噪声和小于1kHz的窄线宽。它具有集成增益芯片和包括布拉格光栅的平面光波电路(PLC)。该激光器适用于遥感、分布式温度、应变或声学光纤监测、高分辨率光谱学、激光雷达和精密计量应用。

  • H11系列 半导体激光器
    美国
    厂商:Lumentum
    技术: Distributed Feedback (DFB) 波长: 980 nm 输出功率: up to 250 mW 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    Lumentum的H11系列是激光泵模块,在980 nm下工作时可提供高达250 MW的功率。它们采用Lumentum独特的980nm分布式反馈激光器芯片,该芯片将高功率激光器和光栅集成到单个高可靠性激光器芯片中。即使在温度、驱动电流和光学反馈变化的情况下,它也能提供无噪声的窄带光谱。这些非制冷(0至75摄氏度)激光器采用3引脚平面封装,尺寸为14.0 X 4.8 X 3.2 mm.这些模块符合Telcordia GR-468-CORE标准,可满足电信行业的严格要求,适用于小尺寸和可插拔EDFA、高比特率、低信道数EDFA、CATV分配、高比特率收发器模块(CFP2、CFP4)内的集成放大应用。

  • ST系列。ST2 半导体激光器
    美国
    厂商:Lumentum
    工作模式: CW Laser 波长: 915 nm 输出功率: 0 to 200 W 工作电压: 25 V 工作电流: 18 A

    Lumentum的ST系列:ST2是中心波长为915 nm的光纤耦合二极管泵浦激光二极管。它在0.15数值孔径的135微米芯光纤内提供200 W的功率。该激光器采用新一代高功率专有芯片,针对高功率下的可靠性进行了优化。多模泵浦模块提供高亮度、小尺寸和简化的热管理。二极管作为分布式热源运行,允许风冷或水冷架构具有可预测的高可靠性。它是光纤激光器泵浦和材料加工应用的理想选择。

  • LD-1470-0020-DFB-1 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1470 nm 输出功率: 0.02 W 类型: Free Space Laser Diode

    Toptica Photonics的LD-1470-0020-DFB-1是一款分布式反馈(DFB)激光二极管,工作波长为1470 nm.它提供20mW的输出功率,并且在激光芯片内具有频率选择结构,该结构将激光发射限制为单纵模。通过改变驱动电流或芯片温度来调节该激光二极管的激射波长。它可以在没有任何模式跳变的情况下保持超过几百GHz的单频操作。这款激光二极管采用蝶形尾纤封装,内置热敏电阻和热电冷却器。

  • ML1006 半导体激光器
    芬兰
    厂商:Modulight Inc.
    应用行业: Communications 技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1535 to 1560 nm 输出功率: 0.003 W

    Modulight的ML1006是一款分布式反馈(DFB)激光二极管芯片,工作波长为1535至1560 nm.裸片激光器提供高达3mW的功率,边模抑制比(SMSR)为40 dB,工作电压为1.2 V.发射波长由内部光栅控制。该激光器的尺寸为300 X 300 X 100微米,设计用于调制速度高达3.125 GB/s的数字光通信网络。

  • SPL DP90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    工作模式: Pulse 波长: 898 to 912 nm 输出功率: 65 W 工作电流: 20 A 阈值电流: 300 mA

    来自OSRAM的SPL DP90_3是在898至912nm范围内工作的纳米堆叠脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为65瓦,脉冲宽度为100 ns,占空比为0.1%。该装置的平行和垂直光束发散度分别为10/25度。它具有3个垂直纳米堆叠的发射体,并且具有窄的发射宽度。该激光二极管以芯片形式提供,是闭路电视监控、激光雷达、预碰撞、ACC、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)和行人保护/车道偏离警告应用的理想选择。本产品的鉴定测试计划基于AEC-Q102《汽车应用分立光电半导体基于失效机理的应力测试鉴定》指南。

  • CAC940D001 半导体激光器
    中国大陆
    厂商:Vertilite
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 180 to 210 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V 工作电流: 250 mA

    Vertilite的CAC940D001是一款垂直腔面发射激光二极管阵列,工作波长为940 nm.该激光器的输出功率为210mW,功率转换效率为36%,斜率效率为1W/A,光谱宽度(RMS)为2.5nm,光束全发散角为23°,阈值电流为30mA.它需要2.3 V的直流电源,功耗为250 mA.这款激光二极管阵列采用芯片封装,尺寸为212 X 241 X 100µm,非常适合手势识别、汽车传感、飞行时间和红外照明应用。