• 激光二极管折叠-687-45s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.687um 输出功率: 45mW

    FOLD-687-45S-VBG是一种单模半导体激光器在687nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管折叠-689-45s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.689um 输出功率: 45mW

    FOLD-689-45S-VBG是一种单模半导体激光器在689nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-691-45s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.691um 输出功率: 45mW

    FOLD-691-45S-VBG是一种单模半导体激光器在691nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管 fold-785-100s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 100mW

    FOLD-785-100S-VBG是一种单模半导体激光器785nm连续输出100mW的二极管。由于集成的VBG波长固定,谱线宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-785-500-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 500mW

    FOLD-785-500-VBG是一款多模半导体激光器785nm连续输出500mW的二极管。由于集成的VBG,波长是固定的,并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管折叠-787-80s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.787um 输出功率: 80mW

    FOLD-787-80S-VBG是一种单模半导体激光器787nm连续输出功率为80mW的二极管。由于集成VBG的波长是固定的,并且光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管Fold-808-170s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 170mW

    FOLD-808-170S-VBG是一种单模半导体激光器808nm连续输出功率170mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管fted-840-150s-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 150mW

    FTED-840-150S-FP是一种单横模量子阱法布里-珀罗半导体激光器,在840nm处连续输出功率为150mW。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管ftld-1200-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.200um 输出功率: 5mW

    FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1200-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.200um 输出功率: 10mW

    FTLD-1200-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1200nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1200-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1210-20s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.210um 输出功率: 20mW

    FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1215-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.215um 输出功率: 10mW

    FTLD-1215-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1215-20s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.215um 输出功率: 20mW

    FTLD-1215-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-20S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1240-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.240um 输出功率: 10mW

    FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1250-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.250um 输出功率: 5mW

    FTLD-1250-05S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1250-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1250-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.250um 输出功率: 10mW

    FTLD-1250-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1250-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1260-20s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.260um 输出功率: 20mW

    FTLD-1260-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1260nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1260-20S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1275-25m 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.275um 输出功率: 25mW

    FTLD-1275-25M是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1275nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1275-25M是一种连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1300-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 5mW

    FTLD-1300-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1300-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1300-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 10mW

    FTLD-1300-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1300-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。