• 808LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Butterfly single mode

    808nm蝶形激光二极管。高达250 mW CW.配有900µm光纤缓冲器和FC-APC光纤连接器的Hi780光纤。与选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)兼容。

  • 808LD-3-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter

    高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤(NA=0.22)发出高达35 W的功率,并配有SMA905光纤连接器。与选项7:高功率准直器(见下文)兼容。

  • 808LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Multimode single emitter

    高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤(NA=0.22)发出高达10 W的功率,并配有SMA905光纤连接器。与选项7:高功率准直器(见下文)兼容。

  • 808LD-4-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter

    高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤(NA=0.22)中发射高达60 W的功率。裸光纤输出。兼容Option-6(高功率SMA连接器)和Option-7:高功率准直器(见下文)。

  • 808LD-5-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter

    在200/220/250µm多模激光二极管(NA=0.22)中,高功率激光二极管在808 nm处发射高达100 W的功率。裸光纤输出。

  • 808LD-6-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter

    在200/220/250µm多模激光二极管(NA=0.22)中,高功率激光二极管在808 nm处发射高达220 W的功率。裸光纤输出。与选项6和选项7兼容。

  • 808LD-7-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 808 nm 技术: Multimode multi emitter

    在200/220/250µm多模激光二极管(NA=0.22)中,高功率激光二极管在808 nm处发射高达220 W的功率。裸光纤输出。与选项6和选项7兼容。

  • 1053LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode

    1053nm蝶形激光二极管。高达120 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时,达到1053 nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 1053LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 1053 nm 技术: Butterfly single mode

    1053nm蝶形激光二极管。高达300 MW CW.带FC/APC光纤连接器的HI1060光纤输出。与选项1bis:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)兼容。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在10和20°C之间时,达到1053 nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 785LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 785 nm 技术: Butterfly single mode

    785nm蝶形激光二极管。高达150 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和35°C之间时,达到785nm波长(所有航空二极管驱动器包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • DFB-1030-PM-50-OI 半导体激光器
    德国
    厂商:Innolume
    波长: 1030 nm

    特点: •输出功率>50mW(光纤前)@1020nm-1120nm •无跳模连续调谐 •单独老化和热循环筛选 •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •内置监测光电二极管(可选配) •直插式光隔离器(可选配) •900um松管(可选配)

  • DFB-1030-PM-30-VO 半导体激光器
    德国
    厂商:Innolume
    波长: 1030 nm 输出功率: 5-30 mW

    特点: •集成自由空间光隔离器 •输出功率>30mW(光纤前)@1020nm-1120nm •无跳模连续调谐 •单独老化和热循环筛选 •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •内置监测光电二极管(可选配) •900um松管(可选配)

  • LDD-14pin-2A 半导体激光器驱动器
    德国
    厂商:Innolume
    输出电流: 0.06-2 A

    用于驱动/控制激光二极管、SLD和SOA的紧凑型单元: •独立外壳组合: ♢设备电流驱动器(2A) ♢器件TEC驱动器(3A) ♢14针蝶形器件底座 ♢控制电路和固件 无需激光控制器和/或TEC电缆 外部调制功能、USB接口和控制应用 卓越的便利性和工学设计

  • 790LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 790 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW

    790nm蝶形激光二极管。高达250 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。与选项1兼容:PM光纤、选项2(窄发射@792nm,带FBG-TM3+泵浦的理想选择)和选项3(3mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准法布里-珀罗激光二极管。当激光二极管芯片稳定在30和40°C之间时,可达到792 nm TM3+泵浦波长(所有航空二极管可选驱动器都具有高效的激光二极管芯片温度调节)。

  • 830LD-1-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Butterfly single mode 输出功率(脉冲): 400 mW 输出功率: 200 mW

    单独的830nm蝶形激光二极管。高达200 MW CW.带FC/APC光纤连接器的Hi780光纤输出。兼容选项1:PM光纤、选项2(带FBG的窄发射)和选项3(3 mm准直器)。注:未选择选项2(FBG)时,激光二极管表现为标准Fabry-Perrot激光二极管。当激光二极管芯片稳定在15至35°C之间的给定温度时,可达到830 nm波长(所有航空二极管驱动器均包括高效激光二极管芯片温度控制器)。

  • 830LD-2-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Butterfly MULTIMODE with VBG 输出功率(脉冲): 600 mW 输出功率: 600 mW

    单独的830nm蝶形激光二极管。窄线宽发射高达600 MW CW,830±1 nm多模105/125µm光纤输出,具有900µm缓冲涂层和FC/PC光纤连接器。与上述选项-3(3 mm准直器)兼容-见上文。采用特殊的体布拉格光栅(VBG)实现了非常稳定的窄发射线宽。蝶形1型封装。

  • 830LD-3-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Multimode single emitter 输出功率(脉冲): 2000 mW

    105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达2 W的高功率激光二极管。FC/PC光纤连接器输出(可按需提供SMA)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。

  • 830LD-4-0-0 半导体激光器
    法国
    厂商:AeroDIODE
    波长: 830 nm 技术: Multimode multiemitter 输出功率(脉冲): 20000 mW

    105(核心)/125/250/900µm多模激光二极管(NA=0.22)在830 nm处发射高达20 W的高功率激光二极管。SMA光纤连接器输出(FC/PC按需提供)。与选项6兼容:高功率准直器(见下文)。

  • EP1512-DM-B 半导体激光器
    爱尔兰
    厂商:Eblana Photonics
    波长: 1500-1530 nm 波长公差: -1-1 nm 斜率效率: 0.1-0.15 mW/mA 输出功率: 7-10 mW 热敏电阻: 9.5-10.5 kW

    Eblana Photonics在设计时考虑到了氨气传感EP1512-DM-B激光二极管非常适合集成到用于NH3的TDLAS系统中。Eblana的离散模式(DM)技术是提供经济高效的解决方案,具有无跳模可调性和出色的SMSR。

  • 热释电激光探测器 420M7-25 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    封装类型: TO-5 输入功率: 5W/cm2 储存温度: -55-125 Degree C 带宽: 100-1000000 nm 工作温度显示: -55-125 Degree C

    型号420M7由单个钽酸锂传感元件组成,密封在TO - 5型晶体管外壳中,并带有光学滤波器(可选)。 采用一种特殊的元件安装技术对传感元件进行散热,允许其在高功率水平下进行检测。 在低负载(50Ω)的情况下,快速脉冲分辨率是可实现的。采用ELTEC Model320阻抗变换器等高阻抗变换器可实现集成模式。