• 4PN-101 半导体激光器
    美国
    应用行业: Military, Space, Medical 工作模式: CW Laser 波长: 1450 nm 输出功率: 3.8 W 工作电压: 1.6 V

    Seminex的4PN-101是一款4针光纤耦合激光模块,工作波长为1450 nm,可提供4 W的CW输出功率。多模激光器具有10nm的光谱宽度。该激光器需要1.6 V电源,阈值电流为0.5 A.它采用高功率Seminex激光二极管芯片,与光电二极管或热敏电阻一起安装在方便的低成本封装中。该封装采用105/125.22NA光纤和SMA 905连接器。该激光模块适用于OEM医疗、DPSS泵浦源、激光雷达、自由空间通信和军事/航空航天应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ARR97C020 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 25 A

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR97C020是一种传导冷却激光二极管阵列,中心波长为808nm(也可选择790-1550nm)。输出功率为20W,电光转换效率为47%。激光二极管阵列具有1.8nm的光谱宽度。该器件的工作电压为1.7 V,阈值电流为8 A.激光二极管阵列采用直接粘合的尖端光电C封装,尺寸为24.89 X 24.89 X 11.18 mm.该封装基于诺斯罗普·格鲁曼公司的Golden Bullet技术,该技术能够在每个封装中使用多个条。ARR97C020可安装到激光系统中,也可用于直接二极管应用。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • FPL-1650-14BF 半导体激光器
    俄罗斯
    厂商:Nolatech
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1620 to 1650 nm 输出功率: 0.02 W 工作电压: 2.5 V 工作电流: 0.15 to 0.2 A

    FPL-1650-14BF-200是200 MW单模激光二极管模块,设计用于光学测量和通信。该激光器采用14引脚标准蝶形封装,配有监控光电二极管和热电冷却器(TEC)。模块尾纤为0.7-1.0米单模保偏光纤,并通过FC/PC连接器连接。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 3.3 to 4.0 V 工作电流: 36 A

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为3.3至4.0 V,工作电流为36 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详情见下文。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 3.3 to 4.0 V 工作电流: 35 A

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为0.5至8 W,工作电压为3.3至4.0 V,工作电流为35 A,输出功率(CW)为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 500 to 1000 W 工作电压: 35 to 75 V 工作电流: 15 to 51 A

    美国Leonardo Electronics的F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管,波长为760至830 nm,输出功率为500至1000 W,工作电压为35至75 V,工作电流为15至51 A,输出功率(CW)为500至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详细信息见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 200 to 1000 W 工作电压: 35 to 75 V 工作电流: 15 to 51 A

    美国Leonardo Electronics生产的F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管,波长为830至1100 nm,输出功率为200至1000 W,工作电压为35至75 V,工作电流为15至51 A,输出功率(CW)为200至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • 水冷激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 760 to 830 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.85 V 工作电流: 90 to 105 A

    美国莱昂纳多电子公司(Leonardo Electronics US)生产的760-830nm水冷激光二极管是一种波长为760-830nm、输出功率为0.5-8W、工作电压为1.85V、工作电流为90-105A、阈值电流为15000mA的激光二极管。水冷激光二极管760-830纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 水冷激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器
    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 工作模式: CW Laser 波长: 830 to 1100 nm 输出功率: 0.5 to 8 W 工作电压: 1.85 V

    美国Leonardo Electronics的水冷激光二极管830-1100nm是波长为830-1100nm,输出功率为0.5-8W,工作电压为1.85V,工作电流为90-105A,阈值电流为15000mA的激光二极管。水冷激光二极管830-1100 nm的更多细节可以在下面看到。

  • ADL-83Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V

    ADL-83Y51TL是一种低成本解决方案,适用于任何需要具有纵向单模光束轮廓的强大NIR激光二极管的应用,例如相机支持的手势控制。二极管在830nm的NIR范围内发射,并且具有250mW的CW功率。在脉冲操作中,它可以过驱动到高达500 MW.该器件采用紧凑的TO-56密封外壳,允许工作温度高达60°C.该器件配有集成式监控光电二极管,用于功率控制和稳定。激光二极管是光源和工业应用的理想选择。

  • ALBALUX FM 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Medical, Industrial, Defense 波长: 450 nm 工作电压: 12 V 工作电流: 2 A 激光颜色: White

    Laser Components的Albalux FM是一款白光光纤耦合激光模块,工作波长为450 nm.该激光器提供高亮度输出,可实现用于照明应用的长投射距离、窄光束角和小光学尺寸。它提供的白光强度高达LED的100倍。激光器通常提供超过150流明的光纤输出。它需要12 V电源并消耗2 A电流。该激光器可用于广泛的应用,包括医疗和工业内窥镜检查、光谱诊断、生物医学仪器、专业照明和许多其他应用。

  • QLD1161-8030 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1180 nm 输出功率: 0.03 W 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    QD Laser的QLD1161-8030是一款分布式反馈(DFB)激光二极管,工作波长为1180 nm.它提供30 MW的光输出功率,需要1.7 V的直流电源。该激光二极管具有光隔离器、监视器PD和内置热电冷却器(TEC)。它需要30 mA的阈值电流,并消耗150 mA的电流。该激光二极管采用光纤尾纤14引脚蝶形封装,尺寸为34 X 20 X 7.4 mm,光纤直径为900/250μm,带FC/APC或套圈连接器。它是SHG以及科学、工业和传感应用的理想种子源。

  • QLD1261-4005 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 1240 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.5 V

    QD Laser的QLD1261-4005是一款分布反馈(DFB)激光二极管,工作峰值波长为1240 nm.它的光输出功率为10 MW,偏振消光比为20 dB.该激光二极管具有集成的光隔离器、监视器PD和热电冷却器。它需要7 mA的阈值电流,并且具有高达2 V的反向电压。该激光二极管消耗50 mA的电流。该器件采用14引脚蝶形封装,带尾纤和TEC,是传感、测试和测量应用的理想选择。

  • QLF083A 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Quantum Well 波长: 830 nm 输出功率: 220 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 225 mA

    QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗(Fabry-Perot)量子阱激光二极管,工作波长为830 nm,斜率效率为1.1 W/A,峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压,并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中,并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。

  • PulseLife G-stack 半导体激光器
    美国
    厂商:相干公司
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Quasi-CW Laser 波长: 808 nm 工作电流: 220000 mA 阈值电流: 30 mA

    来自Coherent的PulseLife G-Stack是工作在808nm的激光堆栈。这些垂直传导冷却激光器采用Coherent专有的PulseLife硬焊技术,可提供超过200W/bar的准CW输出功率,占空比为4%,脉冲宽度为500微秒。它们具有很高的工作温度,可靠性超过109次。激光堆栈采用标准封装,单个堆栈中有2至16个二极管激光棒。这些激光器堆具有400微米的条到条间距,并且需要30A的阈值电流。

  • LU0977M250。 半导体激光器
    德国
    厂商:Lumics GmbH
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 976 to 978 nm 输出功率: 0.25 W 工作电压: 1.7 to 1.8 V 工作电流: 0.44 to 0.54 A

    LUMICS的LU0977M250是一款单模光纤尾纤GaAs激光二极管模块,工作峰值波长为977 nm.它在CW/脉冲模式下工作,光谱宽度(FWHM)高达1 nm,上升/下降时间为2 ns.该激光二极管模块的阈值电流为65mA,正向电压为1.67V,功耗高达250mW.该器件采用激光焊接密封封装,尺寸为29.7 X 7.37 X 4.9 mm,非常适合泵浦、光纤激光器播种机、倍频和传感器应用。

  • 元素e24i 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 910 to 920 nm 输出功率: 400 W 工作电压: 41 to 41.5 V 工作电流: 20000 mA

    来自nLight公司的元件E24i是在910至920nm范围内工作的光纤耦合激光二极管。激光二极管从200μm光纤输出400W的功率,光谱宽度为3.6nm.它的电光转换效率为49%,数值孔径为0.22。该二极管尺寸为68 X 125 X 17 mm,是工业光纤激光器、光纤激光放大器和直接二极管材料处理系统应用的理想选择。

  • FPL785P 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 180 to 220 mW 工作电流: 500 to 550 mA 阈值电流: 80 to 150 mA

    Thorlabs的FPL785P是一款法布里-珀罗激光二极管,工作波长为775至795nm.它提供200 MW的CW输出功率,光谱带宽(RMS)为0.5 nm.该单模光纤的正向电压为2.1V,工作电流CW为500mA,阈值电流高达80mA.它的偏振消光比为16dB,斜率效率为0.53W/A.该激光器基于量子阱外延层生长,具有高度可靠的脊形波导结构。它采用蝶形封装,集成监控光电二极管、TEC和热敏电阻,可对激光二极管进行温度控制。