• DPSSL-20-1064 激光器模块和系统
    俄罗斯
    厂商:OptoSystems
    类型: Laser System 技术: Q-Switched Laser, Solid State Laser, DPSS Laser 工作模式: CW/Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自Optosystems的DPSSL-20-1064是波长为1064 nm、功率为18至20 W、输出功率(脉冲)为7至50 W、输出功率(连续波)为7至50 W、工作温度为15至30摄氏度的激光器。有关DPSSL-20-1064的更多详细信息,请联系我们。

  • DPSSL-50-1064 激光器模块和系统
    俄罗斯
    厂商:OptoSystems
    类型: Laser System 技术: Q-Switched Laser, Solid State Laser, DPSS Laser 工作模式: CW/Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    Optosystems的DPSSL-50-1064是一款波长为1064 nm、功率为45至50 W、输出功率(脉冲)为5 W、输出功率(连续波)为5 W、工作温度为15至30摄氏度的激光器。有关DPSSL-50-1064的更多详细信息,请联系我们。

  • TPG2EW1S09 半导体激光器
    美国
    应用行业: Test & Measurements, Security, Medical, Bio Medical, Aerospace / Military, Commercial 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 925 nm 输出功率: 75 to 85 W 工作电压: 13.5 V

    Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管,工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W,功率斜率为3W/A,光谱宽度(FWHM)为10nm,脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V,阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计,并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装,非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

  • CVN 63-90ECL 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 0 to 75 W 工作电流: 35 A 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管,工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒,峰值功率超过75瓦,同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴(垂直轴)和慢轴(平行轴)提供了具有等效发散值(8×8 FWHM)的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装,是关键国防应用(如现场部署的测距仪)的理想选择。

  • NDB4216E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 450 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.2 V 工作电流: 0.11 A

    来自Nichia Corporation的NDB4216E是4类激光二极管,其工作波长为450nm至460nm.它的连续波输出功率为0.1 W,斜率效率为1.2 W/A,波束指向精度为±2.5°(平行)和±3°(垂直)。这款单发射器激光二极管的光束发散角为8.5°(平行)和23°(垂直),符合RoHS规范。阈值电流为30 mA,工作电压为5.2 V,功耗为0.11 A.这款单模激光二极管采用浮动安装的CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带有一个光电二极管和一个齐纳二极管。它是评估或设计应用程序的理想选择。

  • NDU4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.07 W 工作电压: 5.4 V 工作电流: 0.11 A

    NDU4116是一款紫外激光二极管,工作波长为370-380 nm,斜率效率为1.2 W/A,光输出功率为70 MW,光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA,PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装,带一个光电二极管和一个齐纳二极管,尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

  • NDV4316 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.12 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 0.12 A

    来自Nichia Corporation的NDV4316是在405nm的波长下工作的紫色激光二极管。这种单模激光二极管的输出功率为120mW,斜率效率为1.4W/A,平行发散角为9度,垂直发散角为19.5度。它需要35 mA的阈值电流,并具有内置的齐纳二极管以防静电。它采用Ø5.6 mm封装,是测量仪器和家用电器的理想选择。

  • WLD-175-405 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    工作模式: CW 波长: 405 nm 工作电压: 5 V 工作电流: 150 mA 阈值电流: 55 mA

    World Star Tech的WLD-175-405是一款蓝紫色激光二极管,工作波长为405 nm.该激光器输出功率为175mW,斜率效率为1.1W/A,垂直发散角为20°,平行发散角为9°。要求阈值电流为55 mA,反向电压高达2 V.该激光二极管功耗为150 mA,要求直流电源为5 V.采用Ø5.6 mm封装,非常适合生物医学应用。

  • ADL-65075SL 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 0.007 W 工作电压: 2.1 to 2.5 V 工作电流: 0.025 to 0.035 A

    Roithner Lasertechnik公司的ADL-65075SL是一种激光二极管,波长为645至660 nm,输出功率为0.007 W,工作电压为2.1至2.5 V,工作电流为0.025至0.035 A,阈值电流为20至25 mA.有关ADL-65075SL的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.02 W

    Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。

  • SHD4850MG 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: InAlGaN 工作模式: CW Lasers 波长: 488 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik的SHD4850MG是一款InAlGaN青色激光二极管,工作波长为488 nm.该激光器的输出功率为50mW,斜率效率为0.8W/A,阈值电流为40mA,采用多量子阱结构,工作在TE横模。它需要6 V直流电源,功耗为105 mA.这款激光二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带平面窗口,非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

  • SLD63518240 半导体激光器
    奥地利
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 0.005 W 工作电压: 2.2 to 2.7 V

    Roithner Lasertechnik公司的SLD63518240是一种激光二极管,波长为630至640 nm,输出功率为0.005 W,工作电压为2.2至2.7 V,工作电流为0.03 8至0.04 A,阈值电流为30至35 mA.有关SLD63518240的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD65018250S 半导体激光器
    奥地利
    工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 0.005 W 工作电压: 2.2 to 2.6 V 工作电流: 0.03 to 0.04 A

    Roithner Lasertechnik公司的SLD65018250S是一款激光二极管,波长为650至660 nm,输出功率为0.005 W,工作电压为2.2至2.6 V,工作电流为0.03至0.04 A,阈值电流为23至35 mA.有关SLD65018250S的更多详细信息,请联系我们。

  • LDS-1550-DFB-2.5G-15/50 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 V

    Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管,工作波长为1550 nm.输出光功率50mW(脉冲)&15mW(连续),光谱宽度0.08nm,斜率效率0.16W/A,上升/下降时间80ps,跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF,暗电流小于100 nA,阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管,并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源,消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装,并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

  • LDS-1570-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1567 to 1573 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    Laserscom的LDS-1570-DFB-2.5G-15/45是一款与光纤耦合的多量子阱激光二极管,工作波长为1570 nm,斜率效率为0.16 W/A.在SM光纤G.657.A1中,它在CW模式下的光输出功率高达15 MW,在脉冲模式下高达45 MW.该激光二极管需要大约1.4V的工作电压,并且具有大约8mA的阈值电流。它采用同轴电缆、带支架的同轴电缆或14针DIL,包括密封外壳中的监视器PD,是数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

  • QL63D43A/B 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 30 mA

    来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm,斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度,垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪、激光模块和条形码读取器应用。

  • QL84S6SL 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 835 to 855 nm 输出功率: 450 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息,请联系我们。

  • AFBR-S20N1N256 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Broadcom
    应用: Agricultural Analysis, Food Safety, Chemical Analysis, Quality Control, Petro-Chemical Analysis, Environmental Analysis, Biomedical Applications, Pharmaceutical Analysis, Process Control and Monitoring 测量技术: NIR Spectroscopy 探测器: Uncooled 256-pixel InGaAs Sensor

    Broadcom的AFBR-S20N1N256是一款近红外光谱仪,工作波长范围为950至1700 nm.它有一个未冷却的256像素InGaAs传感器阵列,具有30微米的入口狭缝,可提供具有高杂散光抑制的可靠测量。该光谱仪具有16位ADC,可提供12000:1的动态范围和大于10000的最大SNR.积分时间为4μs至5分钟,并可对波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱进行校准。该光谱仪可通过USB 2.0 Type-C、SPI和UART接口进行控制。AFBR-S20N1N256需要5 V直流电源,功耗为30 mA.它采用坚固紧凑的封装,尺寸为60 X 50 X 19 mm,并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪适用于农业分析、食品安全、化学分析、质量控制、石化分析、环境分析、生物医学应用、制药分析、过程控制和监测应用。

  • AFBR-S20T1WU 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Broadcom
    应用: Water quality analysis, Agricultural measurements, Biomedical applications, Chemical research, Color measurements, Counterfeit detection, Environmental analysis, Health and life science, Light measurements, Process control and monitoring 测量技术: UV Spectroscopy 光谱仪类型: Portable, Handheld 波长范围: 190 to 1000 nm 光谱分辨率: 2 to 5.5 nm

    Broadcom的AFBR-S20T1WU是一款光谱仪,工作波长为190至1000 nm.它的光谱分辨率高达5.5 nm,动态范围为850:1。该器件具有一个带16位ADC的2500像素检波器。可以对其进行校准,以测量存储在设备中的波长、灵敏度、非线性和多个暗光谱。该光谱仪具有20μm可变入射狭缝,295线/mm的光栅和0.10的数值孔径。AFBR-S20T1WU需要5V的直流电源,电流消耗为130 mA.它采用紧凑的圆柱形,尺寸为35.0 X 70.0 mm,并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪是水质分析、农业测量、生物医学应用、化学研究、颜色测量、防伪检测、环境分析、健康和生命科学、光测量以及过程控制和监测的理想选择。

  • AFBR-S20W2NI 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Broadcom
    应用: Light Analysis, Chemical Research, Raman Spectroscopy, Forensic Analysis, System Integration, Quality Control, Environmental Measurements, Process Control and Monitoring, Biomedical Applications 测量技术: NIR Spectroscopy 光谱仪类型: Modular 波长范围: 700 to 1030 nm 光谱分辨率: 0.5 nm

    Broadcom的AFBR-S20W2NI是一款光谱仪,工作波长为700至1030nm.它有一个3648像素的线性CCD探测器和一个16位ADC,其焦距为75 mm,光谱分辨率为0.5 nm.该光谱仪具有20μm可变入射狭缝,600线/mm光栅,数值孔径为0.10。它的动态范围为1500:1,曝光时间为3μs至17分钟。该光谱仪可以进行校准,以测量波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱。它具有32 MB的内部存储器,可通过USB 2.0高速接口进行控制。AFBR-S20W2NI需要5V的直流电源,并通过USB消耗200 mA.它采用紧凑型封装,尺寸为89.5 X 68 X 19.5 mm,并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪是光分析、化学研究、拉曼光谱、法医分析、系统集成、过程控制和监测、生物医学应用、质量控制和环境测量应用的理想选择。