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  • OP555D 光电晶体管
    OP555D
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP555D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP555D的更多详细信息，请联系我们。

  • OP560A 光电晶体管
    OP560A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP560A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为6.6 mA.有关OP560A的更多详情，请联系我们。

  • OP560B 光电晶体管
    OP560B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP560B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP560B的更多详情，请联系我们。

  • OP560C 光电晶体管
    OP560C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP560C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）15 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）1.10 V，发射极集电极电压（击穿）2 V，导通状态集电极电流1.1 mA.有关OP560C的更多详情，请联系我们。

  • OP565A 光电晶体管
    OP565A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP565A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通集电极电流为6.6 mA.有关OP565A的更多详情，请联系我们。

  • OP565B 光电晶体管
    OP565B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP565B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP565B的更多详情，请联系我们。

  • OP565C 光电晶体管
    OP565C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP565C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通集电极电流为1.1 mA.有关OP565C的更多详情，请联系我们。

  • OP580DA 光电晶体管
    OP580DA
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.15 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP580DA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1µA，集电极发射极电压（饱和）1.7 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流10 mA.有关OP580DA的更多详细信息，请联系我们。

  • OP593A 光电晶体管
    OP593A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP593A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流3 mA.有关OP593A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP593B 光电晶体管
    OP593B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP593B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2至4 mA.有关OP593B的更多详情，请联系我们。

  • OP593C 光电晶体管
    OP593C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP593C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1 mA.有关OP593C的更多详情，请联系我们。

  • OP598A 光电晶体管
    OP598A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP598A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）25 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流7.5 mA.有关OP598A的更多详情，请联系我们。

  • OP598B 光电晶体管
    OP598B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP598B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为5 mA至10 mA.有关OP598B的更多详细信息，请联系我们。

  • OP598C 光电晶体管
    OP598C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP598C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.5 mA.有关OP598C的更多详细信息，请联系我们。

  • OP599A 光电晶体管
    OP599A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP599A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.35 mA.有关OP599A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP599B 光电晶体管
    OP599B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP599B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.2至3.85 mA.有关OP599B的更多详细信息，请联系我们。

  • OP599C 光电晶体管
    OP599C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP599C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.4至1.95 mA.有关OP599C的更多详细信息，请联系我们。

  • OP599D 光电晶体管
    OP599D
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP599D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2 mA.有关OP599D的更多详细信息，请联系我们。

  • OP705A 光电晶体管
    OP705A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP705A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.95至12 mA.有关OP705A的更多详情，请联系我们。

  • OP705B 光电晶体管
    OP705B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP705B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.65至7.25 mA.有关OP705B的更多详情，请联系我们。