FIDL-1000M-808D-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-1000M-808D-TO3光源是一种连续多模注入半导体激光二极管。采用TO-3外壳，内置TEC、热敏电阻和监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-1000M-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-808X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1000M-950X是950nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-950X光源是一种连续多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100M-660D是连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-670D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的670nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100M-670D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-830X是由MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-830X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-840X是连续单模注入。半导体激光二极管与内置监测光电二极管，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-680A是基于GaInAlP的680nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-680A是连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-830X是830nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-830X是一款连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-10S-905X是905nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-905X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-830X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-830X-TO3光源是连续多模式注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。光输出窗口是石英玻璃。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-15S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCV法制备多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-15S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-200S-850C是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-200S-850C是一种连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20S-650D是基于GaInAlP的650nm激光二极管MOCVD制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-650D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统的应用。

FIDL-20S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-20S-905X是905nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-905X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-20S-960X是960nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-960X是一款连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许使用光谱设备以及各种光电系统中的激光二极管。

FIDL-250M-1064X是InGaAs/GaAs单量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。