FNLD-50S-1082A是用MOCVD半导体激光器制备的1082nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S-1080A是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1090D是用MOCVD半导体激光器制备的1090nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S-1090D是一款连续单横模注入半导体激光器，内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S-1300D是连续单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S 1550D是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FOLD-405-12S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-405-25S-VBG是一种单模半导体激光器405nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-405-40S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-406-12S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-406-25S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-406-40S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率40mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-638-20S-VBG是一种单模半导体激光器638nm连续输出功率为20mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-638-32S-VBG是一种单模半导体激光器在638nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-638-9S-VBG是一种单模半导体激光器在638nm处具有9mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-640-20S-VBG是一种单模半导体激光器在640nm处具有20mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-640-32S-VBG是单模半导体激光器在640nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-640-9S-VBG是一种单模半导体激光器在640nm处具有9mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-656-35S-VBG是一种单模半导体激光器在656nm处具有35mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-658-35S-VBG是一种单模半导体激光器在658nm处具有35mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-660-35S-VBG是一种单模半导体激光器在660nm处连续输出功率为35mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-685-45S-VBG是一种单模半导体激光器685nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。