• 产品
  • 厂家
搜索

热门搜索：

  • L14G1 光电晶体管
    L14G1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14G1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G2 光电晶体管
    L14G2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14G2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G3 光电晶体管
    L14G3
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请联系我们。

  • L14N1 光电晶体管
    L14N1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14N1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流1 mA，功耗300至600 MW.有关L14N1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14N2 光电晶体管
    L14N2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14N2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流2 mA，功耗300至600 MW.有关L14N2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14P1 光电晶体管
    L14P1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14P1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流6.5 mA，功耗300至600 MW.有关L14P1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14P2 光电晶体管
    L14P2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light in Motion的L14P2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为13 mA，功耗为300至600 MW.有关L14P2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14U1 光电晶体管
    L14U1
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14U1是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14U2 光电晶体管
    L14U2
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的L14U2是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U2的更多详细信息，请联系我们。

  • QLTP660CPD 光电晶体管
    QLTP660CPD
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Miniature Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light In Motion的QLTP660CPD是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为1.5至1.8 mA，功耗为75 MW，波长（光谱灵敏度）为400至1200 nm.有关QLTP660CPD的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA156 光电晶体管
    QSA156
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA156是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA156的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA157 光电晶体管
    QSA157
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA157是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA157的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA158 光电晶体管
    QSA158
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA158是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA158的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA159 光电晶体管
    QSA159
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA159是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA159的更多详细信息，请联系我们。

  • PT204-6B 光电晶体管
    PT204-6B
    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂商：亿光电子
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V

    Ever Light的PT204-6B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6B的更多详细信息，请联系我们。

  • PT204-6C 光电晶体管
    PT204-6C
    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂商：亿光电子
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V

    Ever Light的PT204-6C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6C的更多详细信息，请联系我们。

  • PT2559B/L2/H2-F 光电晶体管
    PT2559B/L2/H2-F
    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂商：亿光电子
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V

    Ever Light的PT2559B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT2559B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

  • PT5529B/L2/H2-F 光电晶体管
    PT5529B/L2/H2-F
    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂商：亿光电子
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V

    Ever Light的PT5529B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT5529B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

  • LA PT28AP1 光电晶体管
    LA PT28AP1
    德国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light Avenue
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Phototransistor 集电极发射极电压（击穿）: 6 V 集电极暗电流: 3 to 50 nA 发射极集电极电压（击穿）: 1.5 V

    来自Light Avenue的LA PT28AP1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为570 nm.有关LA PT28AP1的更多详细信息，请联系我们。

  • SFH 3201 光电晶体管
    SFH 3201
    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂商：ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 to 70 V

    OSRAM的SFH 3201是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为170至250 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3201的更多详细信息，请联系我们。