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波长: 1064nm 平均值功率: 10W 重复频率: 1 - 100 kHz 空间模式: 2 脉宽: 10ns
SOL Laser系列是一款紧凑型风冷式DPSS纳秒激光器,功率高达40W,在1064nm时为2mJ,采用坚固、轻便的单单元设计,可轻松可靠地集成到微加工和打标应用中。SOL系列设计可用于1064nm和532nm,基于永久对准的单片光学谐振器,集成了24 VDC供电的驱动电子设备,具有集成/智能强制空气冷却。由于采用紧凑的单片设计,系统集成不需要光纤和其他精密电缆连接。新的电子接口允许用户根据较新的工业机器安全标准(EN13849)集成激光器,并通过RS232端口监控激光器状态。新版本的控制盒和新的专有软件接口可用于简化远程控制和监控。SOL激光器的高峰值功率和出色的光束质量使其成为较苛刻的工业和科学应用的理想光源。结构紧凑,对环境条件不敏感,易于操作,保证了卓越的操作灵活性和性能/成本比。
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波长: 532nm 平均值功率: 10W 重复频率: 0.001 - 100 kHz 空间模式: 1.5 脉宽: 10ns
SOL Laser系列是一款紧凑型风冷式DPSS纳秒激光器,功率高达40W,在1064nm时为2mJ,采用坚固、轻便的单单元设计,可轻松可靠地集成到微加工和打标应用中。SOL系列设计可用于1064nm和532nm,基于永久对准的单片光学谐振器,集成了24 VDC供电的驱动电子设备,具有集成/智能强制空气冷却。由于采用紧凑的单片设计,系统集成不需要光纤和其他精密电缆连接。新的电子接口允许用户根据较新的工业机器安全标准(EN13849)集成激光器,并通过ANRS232端口监控激光器状态。新版本的控制箱和新的专有软件接口可用于简化远程控制和监控。SOL激光器的高峰值功率和出色的光束质量使其成为较苛刻的工业和科学应用的理想光源。对环境条件的不敏感性和易操作性保证了卓越的操作灵活性和性能/成本比。
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波长: 1064nm 平均值功率: 20W 重复频率: 0.001 - 100 kHz 空间模式: 2.5 脉宽: 10ns
SOL Laser系列是一款紧凑型风冷式DPSS纳秒激光器,功率高达40W,在1064nm时为2mJ,采用坚固、轻便的单单元设计,可轻松可靠地集成到微加工和打标应用中。SOL系列设计可用于1064nm和532nm,基于永久对准的单片光学谐振器,集成了24 VDC供电的驱动电子设备,具有集成/智能强制空气冷却。由于采用紧凑的单片设计,系统集成不需要光纤和其他精密电缆连接。新的电子接口允许用户根据较新的工业机器安全标准(EN13849)集成激光器,并通过RS232端口监控激光器状态。新版本的控制盒和新的专有软件接口可用于简化远程控制和监控。SOL激光器的高峰值功率和出色的光束质量使其成为较苛刻的工业和科学应用的理想光源。结构紧凑,对环境条件不敏感,易于操作,保证了卓越的操作灵活性和性能/成本比。
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波长: 1064nm 平均值功率: 30W 重复频率: 0.001 - 100 kHz 空间模式: 1.5 脉宽: 7ns
SOL Laser系列是一款紧凑型风冷式DPSS纳秒激光器,功率高达40W,在1064nm时为2mJ,采用坚固、轻便的单单元设计,可轻松可靠地集成到微加工和打标应用中。SOL系列设计可用于1064nm和532nm,基于永久对准的单片光学谐振器,集成了24 VDC供电的驱动电子设备,具有集成/智能强制空气冷却。由于采用紧凑的单片设计,系统集成不需要光纤和其他精密电缆连接。新的电子接口允许用户根据较新的工业机器安全标准(EN13849)集成激光器,并通过ANRS232端口监控激光器状态。新版本的控制箱和新的专有软件接口可用于简化远程控制和监控。SOL激光器的高峰值功率和出色的光束质量使其成为较苛刻的工业和科学应用的理想光源。对环境条件的不敏感性和易操作性保证了卓越的操作灵活性和性能/成本比。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。