• 激光二极管FNLD-05S-1260D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.260um 输出功率: 5mW

    FNLD-05S-1260D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1260nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-05S-1260D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1030X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.03um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1030X是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-100S-1030X是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-100S-1060X是一款采用SOT-148 9mm封装的CW单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1532/1550X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.532um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1532/1550X 0.1W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10M-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 10mW

    FNLD-10M-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管,采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10M-1060D是连续多模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1055D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.055um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1055D是一款1055nm激光二极管,MOCVD制备InGaAsP/GaAs单量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1055D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1270D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.270um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1270D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1270nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1270D是连续单模注入半导体激光器。它们采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1300D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S 1300D是一款CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1550D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1550D是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-30S-1035C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.035um 输出功率: 30mW

    FNLD-30S-1035C是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1035nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-30S-1035C是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-30S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 30mW

    FNLD-30S-1060D是用MOCVD方法制备的1035nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-30S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1014D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.014um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1014D是用MOCVD半导体激光器制作的1014nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1014D是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1022C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.022um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1022C是用MOCVD半导体激光器制备的1022nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1022C是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1030D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.030um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1030D是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1030D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1045D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.045um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1045D是用MOCVD半导体激光器制备的1045nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1045D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1053D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.053um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1053d是用MOCVD半导体激光器制作的1053nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1053D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1060D是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1060D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1070D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制备的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1070D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。