FNLD-05S-1260D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1260nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1260D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-100S-1030X是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-100S-1030X是一款连续单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-100S-1060X是一款采用SOT-148 9mm封装的CW单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10M-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10M-1060D是连续多模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1055D是一款1055nm激光二极管，MOCVD制备InGaAsP/GaAs单量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1055D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1060D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1060nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1270D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1270nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1270D是连续单模注入半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S 1300D是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-10S-1550D是一款连续单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-30S-1035C是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1035nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-30S-1035C是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-30S-1060D是用MOCVD方法制备的1035nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-30S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1014D是用MOCVD半导体激光器制作的1014nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1014D是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1022C是用MOCVD半导体激光器制备的1022nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1022C是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1030D是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1030D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1045D是用MOCVD半导体激光器制备的1045nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1045D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1053d是用MOCVD半导体激光器制作的1053nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1053D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1060D是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-50S-1060D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制备的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-50S-1070D是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。