FIDL-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S 1070D是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9毫米TOCAN和TO-3窗口封装，集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光学功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-850D是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-850D是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-880D是用MOCVD半导体激光器制作的880nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-880D是一款连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-895X是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-895X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-905X是用MOCVD半导体激光器制备的905nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-905X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-940X是用MOCVD半导体激光器制备的940nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-940X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-950X是一种CW单模注入半导体激光二极管与内置监测光电二极管，以稳定输出功率。这个激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-960X是用MOCVD半导体激光器制作的960nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-960X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-980X是用MOCVD半导体激光器制备的980nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs多量子阱通过MOCVD半导体激光二极管。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-1064X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-730X是730nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-730X是一款CW单模注入半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mmCAN封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-5S-740X是740nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-740X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-5S-750X是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-750X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-5S-750X-M是750nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-750X-M是一款采用SOT-148封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-5S-760X是760nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-760X是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-242 5.6mm封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。激光二极管适用于氧气检测以及其他各种光电系统。

FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付，内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

FIDL-5S-775C-N是775nm AlGaAs/GaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-775C-N是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-795X是795nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-795X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-800X是800nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-800X是一款CW单模注入半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-808X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。