fiber【参数，厂家，图片，选型】-光电查

NECSEL GREEN NovaLum VHP Green 525

日本

分类：半导体激光器

厂商：牛尾

激光类型: Modulated 纤维类型: Single Mode 波长: 525nm 输出功率: 9000mW 纤维芯直径: 400um

Novalum VHP绿色激光模块在紧凑、易于集成的光纤耦合模块中产生高达9W的功率，标准寿命为20，000小时。400μm纤芯光纤传输是标准配置。

NECSEL RED NovaLum VHP Red 637

日本

分类：半导体激光器

厂商：牛尾

激光类型: Modulated 纤维类型: Single Mode 波长: 637nm 输出功率: 10000mW 纤维芯直径: 600um

Novalum VHP红色激光模块可产生高达10W的功率，标准寿命为20，000小时，采用紧凑、易于集成的光纤耦合模块。400μm纤芯光纤传输是标准配置。

NECSEL BLUE NovaLum VHP Blue 465

日本

分类：半导体激光器

厂商：牛尾

激光类型: Modulated 纤维类型: Single Mode 波长: 465nm 输出功率: 19200mW 纤维芯直径: 400um

Novalum VHP蓝色激光模块在紧凑、易于集成的光纤耦合模块中产生高达19.2W的功率，标准寿命为20，000小时。400μm纤芯光纤传输是标准配置。

neoVAN-xP光学放大器

德国

分类：激光器模块和系统

厂商：neoLASE

波长: 1064nm 平均值功率: 10W 重复频率: 0 - 10000 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 0.01ns

NEOVAN系列是一种OEM型固态激光放大器系统，用于提高几种应用的脉冲能量或平均输出功率。灵活的系统设计允许根据高可靠性和长寿命增益模块选择不同的功率和能量水平。超紧凑和接近单片的模块允许激光应用机器、科学激光器或低功率振荡器的轻松集成和成本效益升级。无论是用于微加工应用的高峰值功率短脉冲皮秒激光，还是用于引力波探测的单频辐射，NEOVAN放大器模块都将促进您的应用。虽然光纤耦合的高增益模块允许直接放大锁模振荡器、增益切换或窄线宽二极管，但标准自由空间模块将微芯片激光器缩放到高平均功率或高能量水平。

neoVAN-xS光学放大器

德国

分类：激光器模块和系统

厂商：neoLASE

波长: 1064nm 重复频率: 0 - 10000 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 0.01ns 脉冲间稳定性: 1%

NEOVAN系列是一种OEM型固态激光放大器系统，用于提高几种应用的脉冲能量或平均输出功率。灵活的系统设计允许根据高可靠性和长寿命增益模块选择不同的功率和能量水平。超紧凑和接近单片的模块允许激光应用机器、科学激光器或低功率振荡器的轻松集成和成本效益升级。无论是用于微加工应用的高峰值功率短脉冲皮秒激光，还是用于引力波探测的单频辐射，NEOVAN放大器模块都将促进您的应用。虽然光纤耦合的高增益模块允许直接放大锁模振荡器、增益切换或窄线宽二极管，但标准自由空间模块将微芯片激光器缩放到高平均功率或高能量水平。

镭射记号笔Nexgen

加拿大

分类：激光器模块和系统

厂商：World Star Tech

波长: 1064nm 输出功率: 8W 打标速度: 20mm/sec

世界上较小的光纤激光打标系统极小的高分辨率和精确利用革命性的光纤激光和扫描技术特殊材料的自由划线评定

PGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

PGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器

美国

分类：半导体激光器

厂商：Excelitas Technologies

激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。