气体传输红外光纤气体探头*气体中的在线透射光谱学*NIR-MIR光谱任何部分的高通量*灵活、坚固，适合工业应用*与任何光谱仪兼容FLEXISPEC®产品系列包括较新一代气体传输红外光纤探头，可与任何光谱仪或光度计配合使用。气体传输光纤探头的设计基于分叉光纤束。由于气体中的低中红外衰减，需要二过一（或多通）气室的准直光束设计以将光程长度增加到10–40cm。利用准直物镜和反射镜单元，很容易实现这一设计。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

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Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

镀铝的阶跃折射率多模光纤具有硅石-硅石光纤的所有优点。它们的透射率覆盖250至1200nm的光谱范围，并且在通常与石英玻璃反应的腐蚀性化学物质中也保持稳定。温度范围为-196oC至+400oC。当在高真空和恶劣环境条件下使用时，密封金属涂层光纤是较佳选择

与非密封和聚合物包层光纤（PCs）相比，镀铜的阶跃折射率多模光纤具有显著的改进，包括增加的机械强度和更大的抗疲劳性。它们的透射率覆盖250至1200nm的光谱范围，并且在通常与石英玻璃反应的腐蚀性化学物质中也保持稳定。工作温度范围为-196oC至+600oC。

密封的铝涂层阶跃折射率多模光纤具有二氧化硅光纤的所有优点。与非密封和聚合物包层光纤（PCs）相比，其他显著的改进包括增加的机械强度和更大的抗疲劳性。它们的透射率覆盖400至2200nm的光谱范围，并且在通常与石英玻璃反应的腐蚀性化学物质中也保持稳定。温度范围为-196oC至+400oC。当在高真空和恶劣环境条件下使用时，密封金属涂层光纤是较佳选择

与非密封和聚合物包层光纤（PCs）相比，镀铜的阶跃折射率多模光纤具有显著的改进，包括增加的机械强度和更大的抗疲劳性。它们的透射率覆盖400至2400nm的光谱范围，并且在通常与石英玻璃反应的腐蚀性化学物质中也保持稳定。工作温度范围为-196oC至+600oC。

ART Photonics金属涂层石英光纤非常适合在高温、真空和恶劣的化学环境中使用。这是由于在拉制过程中，金属直接与二氧化硅覆层的强机械粘合。-核心材料：纯硅-高OH-（λ=0.18–1.2μm）-低OH-（λ=0.35–2.5μm）-包层材料：氟化物掺杂熔融石英-标准数值孔径（NA）：0.22±0.02（全接收角25°）-可用数值孔径（NA）：-0.12±0.02（全接受角14°）-0.26±0.02（全接受角30°）-金属涂层材料：Al、Cu-湿度范围：高达100%-较小弯曲半径（长期）：200 X光纤外径-较小弯曲半径（短期）：100 X光纤外径-涂层材料：铝-标准纤芯直径：9μm-涂层厚度：15-150μm-较低工作温度：-270°C-较高工作温度：400°C-抗拉强度（短规格）：3.5–6 GPA-两点弯曲强度：>10GPa-静态疲劳参数：>100

ART Photonics金属涂层石英光纤非常适合在高温、真空和恶劣的化学环境中使用。这是由于在拉制过程中，金属直接与二氧化硅覆层的强机械粘合。-核心材料：纯硅-高OH-（λ=0.18–1.2μm）-低OH-（λ=0.35–2.5μm）-包层材料：氟化物掺杂熔融石英-标准数值孔径（NA）：0.22±0.02（全接收角25°）-可用数值孔径（NA）：-0.12±0.02（全接受角14°）-0.26±0.02（全接受角30°）-金属涂层材料：Al、Cu-湿度范围：高达100%-较小弯曲半径（长期）：200 X光纤外径-较小弯曲半径（短期）：100 X光纤外径-涂层材料：铝-标准纤芯直径：9μm-涂层厚度：15-150μm-较低工作温度：-270°C-较高工作温度：400°C-抗拉强度（短规格）：3.5–6 GPA-两点弯曲强度：>10GPa-静态疲劳参数：>100

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EO PH硅光电探测器，用于VIS至NIR光谱范围内的激光输出功率测量和低于0.1W的功率范围。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。