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传感器类型: CMOS # 像素(宽度): 1440 # 像素(高度): 1080 像素大小: 3.45um 全帧速率: 60fps
成像源MIPI®CSI-2相机模块是工业嵌入式成像解决方案的完美选择。新产品系列包括各种紧凑型工业传感器模块和支持的平台。嵌入式目标平台的ISP允许直接执行后期处理任务,如去马赛克和色彩校正。对于需要更长电缆长度的应用,成像源采用FPD-Link®III协议的桥接解决方案。FPD-Link III网桥的电缆长度可达15米,并可通过一根紧凑型同轴电缆同时进行数据传输、控制通道和供电。成像源提供基于强大的嵌入式平台NVIDIA Jetson TX2的嵌入式系统解决方案。除了其强大的GPU外,它还拥有一个专用的ISP,可处理12个CSI-2摄像机通道,每个通道的速度高达1.5 GB/s,较多可同时处理6个摄像头流。此外,ISP完成诸如去噪、锐化、颜色校正和图像缩放操作的后处理任务。使用我们为成像源支持的平台预先构建的OpenEmbedded图像和层,立即开始开发您的嵌入式应用程序,或者为传感器配置创建您自己的图像。
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传感器类型: CMOS # 像素(宽度): 640 # 像素(高度): 480 像素大小: 6.9um 全帧速率: 120fps
成像源MIPI®CSI-2相机模块是工业嵌入式成像解决方案的完美选择。新产品系列包括各种紧凑型工业传感器模块和支持平台。嵌入式目标平台的ISP允许直接执行后期处理任务,如去马赛克和色彩校正。对于需要更长电缆长度的应用,成像源采用FPD-Link®III协议的桥接解决方案。FPD-Link III网桥的电缆长度可达15米,并可通过一根紧凑型同轴电缆同时进行数据传输、控制通道和供电。成像源提供基于强大的嵌入式平台NVIDIA Jetson TX2的嵌入式系统解决方案。除了其强大的GPU外,它还拥有一个专用的ISP,可处理12个CSI-2摄像机通道,每个通道的速度高达1.5 GB/s,较多可同时处理6个摄像头流。此外,ISP完成诸如去噪、锐化、颜色校正和图像缩放操作的后处理任务。使用我们为成像源支持的平台预先构建的OpenEmbedded图像和层,立即开始开发您的嵌入式应用程序,或者为传感器配置创建您自己的图像。
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传感器类型: CMOS # 像素(宽度): 3840 # 像素(高度): 2160 像素大小: 2um 全帧速率: 30fps
成像源MIPI®CSI-2相机模块是工业嵌入式成像解决方案的完美选择。新产品系列包括各种紧凑型工业传感器模块和支持平台。嵌入式目标平台的ISP允许直接执行后期处理任务,如去马赛克和色彩校正。对于需要更长电缆长度的应用,成像源采用FPD-Link®III协议的桥接解决方案。FPD-Link III网桥的电缆长度可达15米,并可通过一根紧凑型同轴电缆同时进行数据传输、控制通道和供电。成像源提供基于强大的嵌入式平台NVIDIA Jetson TX2的嵌入式系统解决方案。除了其强大的GPU外,它还拥有一个专用的ISP,可处理12个CSI-2摄像机通道,每个通道的速度高达1.5 GB/s,较多可同时处理6个摄像头流。此外,ISP完成诸如去噪、锐化、颜色校正和图像缩放操作的后处理任务。使用我们为成像源支持的平台预先构建的OpenEmbedded图像和层,立即开始开发您的嵌入式应用程序,或者为传感器配置创建您自己的图像。
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DLD 008系列激光二极管驱动器可为用户提供高达8 A的极其稳定的低噪声输出电流。库存中有3种不同的标准版本,输出电流分别为3 A、5 A和8 A。这些范围内的任何电流水平均可在板上手动调节,也可通过外部控制电压调节。所请求的操作模式,即恒定电流和相应的恒定功率,由控制端子上的简单焊桥定义。高达100%的调制深度对于脉冲调制和模拟调制都是可能的。以高信号完整性传输从DC到100kHz的频率分量。具有非常短的响应时间的可调电流限制提供了安装防止激光二极管损坏的单独且有效的防火墙的可能性。该驱动器采用5 V单电源供电,对电源质量没有特殊限制。此功能允许连接工作电压高达2.5 V的所有单个激光二极管。特殊驱动器版本支持多达5个激光二极管的串联连接。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。