• 激光二极管ftld-1440-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.440um 输出功率: 10mW

    FTLD-1440-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1440nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1440-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1450-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.450um 输出功率: 5mW

    FTLD-1450-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1450-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1450-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.450um 输出功率: 10mW

    FTLD-1450-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1450-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1510-13s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.510um 输出功率: 13mW

    FTLD-1510-13S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1510nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1510-13S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1517-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.517um 输出功率: 10mW

    FTLD-1517-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1517nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不灵敏。FTLD-1517-10S是CW单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳内置监控光电二极管和蝶形外壳内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1530-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.530um 输出功率: 10mW

    FTLD-1530-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1530-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1530-20s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.530um 输出功率: 20mW

    FTLD-1530-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1530-20S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1535-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.535um 输出功率: 10mW

    FTLD-1535-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1535nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1535-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1550-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 10mW

    FTLD-1550-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1550nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1550-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1550-15s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 15mW

    FTLD-1550-15S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1550nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1550-15S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1600-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.600um 输出功率: 5mW

    FTLD-1600-05S是基于AlInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-05S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1600-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.600um 输出功率: 10mW

    FTLD-1600-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1620-01s-btf 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.620um 输出功率: 1mW

    FTLD-1620-01S-BTF是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-01S-BTF是连续单模注入半导体激光器。它采用蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1620-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.620um 输出功率: 5mW

    FTLD-1620-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1625-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 5mW

    FTLD-1625-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1625-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 10mW

    FTLD-1625-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1630-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.630um 输出功率: 5mW

    FTLD-1630-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1630nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1630-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 5mW

    FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1650-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 10mW

    FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1660-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.660um 输出功率: 5mW

    FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。