FNPL-15S-2540-FP是CW半导体激光二极管。它采用标准SOT-148和TO-56封装，可选监控二极管以稳定功率输出，以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和TO-8封装。如有要求，可提供定制支架。

FNPL-5S-2000-FP是CW半导体激光二极管。它采用标准SOT-148和TO-56封装，可选监控二极管以稳定功率输出，以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和TO-8封装。如有要求，可提供定制支架。

FNPL-5S-2700-FP是工作波长为2700nm的连续半导体激光二极管。它采用标准TO-5.6和TO-9封装，可选监控二极管以稳定功率输出，而TO-5封装则集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。如有要求，可提供定制支架。

FOLD-405-12S-VBG-COL是单模半导体激光器405nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-405-25S-VBG是一种单模半导体激光器405nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-406-12S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出功率为12mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-406-25S-VBG-COL是单模半导体激光器406nm连续输出25mW的二极管。由于集成的VBG波长是固定的，并且光谱宽度非常窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-638-20S-VBG是一种单模半导体激光器638nm连续输出功率为20mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-638-32S-VBG是一种单模半导体激光器在638nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FOLD-640-20S-VBG是一种单模半导体激光器在640nm处具有20mW连续输出功率的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-640-32S-VBG是单模半导体激光器在640nm处连续输出功率为32mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

FOLD-780.25-80S-VBG是一种单模半导体连续输出功率为80mW的780.25nm激光二极管。到期的对于集成的VBG，波长是固定的，光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

FTLD-1200-05S是用MOCVD和LPE方法制备的1200nm-1270nm的GaInAsP/InP PBC量子阱激光器。FTLD-1200-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，具有高可靠性和ESD不敏感性。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1200-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1200nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1200-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1215-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1215-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-20S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1250-05S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1250-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1250-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1250-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。