FAXD-975-6W-200-HHLW是一种多模半导体连续输出功率为6W的975nm激光二极管。发射极尺寸为200µm。它被封装在带窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。

FAXD-975-6W-200-XX是一款多模半导体激光器在975nm处具有6W连续输出功率的二极管。发射器大小为200µm。适用于各种光电子器件。应用程序。

FAXD-975-7.5W-FC200是一种光纤耦合多模连续输出功率为7.5W的半导体激光器975nm。它配备了内部热敏电阻，TEC和光电二极管，并适用于各种光电应用。

FAXD-980-250S-XX是一种单模半导体激光器980nm连续输出功率250 MW的二极管。它适用于各种光电应用。

FF-14YY-XXXS-BTF-FBG系列设计用于各种光放大器，例如用于光传输系统的拉曼放大器，尤其是密集波分复用（DWDM）系统。应变多量子阱激光二极管芯片与热电制冷器（TEC）、热敏电阻和PIN光电二极管集成在一个密封的14针蝶形封装中。双透镜系统将来自激光器芯片的圆形光有效地耦合到光纤，并使输出功率高达360mW。激光模块符合TelcordiaTM GR-468要求中所述的电信要求，并在ISOTM9001认证生产线上制造。

FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-850X-TEC是用MOCVD方法制备的AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。寿命在25°C时超过10000小时。FIDL-10S-850X-TEC是CW单模注入半导体激光二极管，采用TO-5外壳，内置监控光电二极管，可稳定输出功率和TEC。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-895X是895nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。25°C下的预期寿命超过50000小时。FIDL-10S-895X是CW单模注入半导体激光二极管与内置监控光电二极管，以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-920X是920nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-920X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-200S-850C是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-200S-850C是一种连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20M-770X是用MOCVD半导体激光器制作的770nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20M-770X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许使用激光二极管光谱设备以及各种光电系统。

FIDL-20S-650D是基于GaInAlP的650nm激光二极管MOCVD制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-650D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统的应用。

FIDL-20S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-20S-760X是760nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-760X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20S-770X是770nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-770X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20S-800A-N是800nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-800A-N是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20S-810X是810nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-810X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20S-830X是810nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光二极管制备的势阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-830X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-860X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。