FTLD-1620-01S-BTF是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-01S-BTF是连续单模注入半导体激光器。它采用蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1620-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1625-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1625-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1630-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1630nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1630-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

高掺杂（50%）铒YAG是一种众所周知的用于产生2940nm发射的激光源，通常用于医疗[1]（例如，美容皮肤磨削术）和牙科[2]（例如，口腔手术）应用，这是由于在该波长下强烈的水和羟基磷灰石吸收。研究了低掺杂（<1%）铒YAG作为一种有效的方法，通过2级共振泵浦方案产生高功率和高能量的1.6微米“人眼安全”激光发射。在这些系统中，光纤或二极管激光器泵浦~1.5微米4I15/2->4I13/2 4I15/2 4I13/2吸收带，其中斯塔克能级之间的非辐射耦合允许1.6微米激光发射，量子效率超过90%[3]。

掺杂三价镱（Yb3+）的晶体在紧凑、高效的二极管泵浦激光系统中显示出巨大的应用潜力。[1-4]Yb3+离子只有两个流形，基态2F7/2和激发态2F5/2，它们相隔约10，000cm-1。因此，Yb3+掺杂材料具有有利于高能量1µm激光系统的光谱和激光特性。特别地，Yb3+掺杂材料不应遭受浓度猝灭、上转换或激发态吸收。Yb3+离子还具有很长的能量存储寿命（通常是相同基质中Nd3+的三到四倍）和非常小的量子亏损，这减少了激光过程中的热量产生。在基质材料YAG的特定情况下，Yb3+的存储寿命为950µs，量子亏损仅为8.6%。Yb3+：YAG还具有940nm的宽泵浦线，其比Nd3+：YAG中的808nm泵浦线宽10倍，使得系统对泵浦二极管波长的热漂移不太敏感。这些材料特性与940nm长寿命InGaAs泵浦二极管的发展相结合，使该材料成为二极管泵浦高能激光器的优秀候选材料。据报道，基于SM的升级Yb3+：YAG激光器系统的CW输出功率超过430 W，[1]准CW输出功率为600 W，[4]光光效率为60%。[2]据报道，此类系统可在千瓦级的输出功率下进行缩放。掺杂Yb3+的YAG晶体可以从1%-100%的各种掺杂剂浓度获得（例如镱铝石榴石-YbAg）。

Moglabs LDL Littrow外腔二极管激光器是一种用于原子和量子物理高级应用的研究质量激光器。所有弹簧（包括挠性件）均已移除，以形成坚固、稳定且振动惰性的装置。光栅旋转和垂直对准是非耦合的，允许在整个二极管波长范围内进行简单调谐，而无需重新对准。当与MOGLABS二极管激光控制器一起使用时，可以实现高达40GHz的无跳模扫描范围和低于100kHz的线宽，具有宽范围的AR涂层和较便宜的无涂层二极管。较终用户很容易完成二极管的更换和重新校准。波长选择从368nm扩展到1620nm，功率高达250mW。

我们的紧凑型单相Lexel™Quantum 8 SHG氩离子激光器可提供229nm至264nm的真正连续波深紫外波长，输出功率高达50mW，以及457nm至528nm的可调谐可见光波长。借助我们独有的QuickSwitch技术，您可以在整个波长范围内轻松地从DUV切换到可见光可调输出。所有用户控制和系统参数均可通过我们采用较新32位ARM Cortex技术的新型USB iController触摸屏遥控器进行访问。

我们的标准Lexel™Quantum 9 SHG氩激光器提供从229nm到264nm的真正连续波深紫外线，输出功率高达200mW，以及从457nm到528nm的可调谐可见波长。借助我们独有的QuickSwitch技术，您可以在整个波长范围内轻松地从深紫外线切换到可调谐的可见光输出。所有用户控制和系统参数均可通过我们采用较新32位ARM Cortex技术的新型USB iController触摸屏遥控器进行访问。

Fairchild Lmaging的新型BSI sCMOS 3.0传感器定义了专业成像的下一个领域。BSI sCMOS 3.0 LTN4323是一款高性能传感器，具有市场领先的0.7E-RMS读取噪声。通过将极低的噪声与高量子效率的BSI工艺相结合，实现了出色的低光性能。LTN4323为当今科学、机器视觉和工业应用的成像专业人士提供所需的性能。

LUMICS LU0760M200激光二极管模块包含优化的基于GaAs衬底的量子阱高功率激光二极管。它专为客户的特定应用而设计，并提供特殊的FBG和光纤。通过我们正在申请专利的创新技术，实现了极其严格的可靠性要求。这包括精心设计、精确定义的制造和广泛的测试。鉴定包含一组光电、热和机械测试。每个激光二极管模块都是单独序列化的，以实现可追溯性，并与一组指定的测试数据一起装运。