• 激光二极管ftld-1210-20s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.210um 输出功率: 20mW

    FTLD-1210-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1210nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1210-20S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1215-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.215um 输出功率: 10mW

    FTLD-1215-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1215-20s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.215um 输出功率: 20mW

    FTLD-1215-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1215nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1215-20S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1240-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.240um 输出功率: 10mW

    FTLD-1240-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1240nm激光二极管。FTLD-1240-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1250-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.250um 输出功率: 5mW

    FTLD-1250-05S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1250-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1250-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.250um 输出功率: 10mW

    FTLD-1250-10S是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1250nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1250-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1260-20s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.260um 输出功率: 20mW

    FTLD-1260-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1260nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1260-20S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1275-25m 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.275um 输出功率: 25mW

    FTLD-1275-25M是用MOCVD和LPE方法制备的基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1275nm激光二极管。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1275-25M是一种连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1300-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 5mW

    FTLD-1300-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和低灵敏度。FTLD-1300-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监视器光电二极管和蝶形外壳,内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1300-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 10mW

    FTLD-1300-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1300nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1300-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1345-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.345um 输出功率: 10mW

    FTLD-1345-10S是基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1345nm激光二极管,采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1345-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1370-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.370um 输出功率: 5mW

    FTLD-1370-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1370-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.370um 输出功率: 10mW

    FTLD-1370-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1370nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1370-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1380-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.380um 输出功率: 10mW

    FTLD-1380-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1380nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1380-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1390-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.390um 输出功率: 5mW

    FTLD-1390-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1390nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1390-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1390-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.390um 输出功率: 10mW

    FTLD-1390-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1390nm激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1390-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1396-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.396um 输出功率: 5mW

    FTLD-1396-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1396nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1396-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1410-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.1410um 输出功率: 5mW

    FTLD-1410-05S是一种基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1410nm半导体激光器。FTLD-1410-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1430-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.430um 输出功率: 5mW

    FTLD-1430-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1430nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1430-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1430-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.430um 输出功率: 10mW

    FTLD-1430-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1430nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1430-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。