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设备类型: SPIDER 可测量的脉冲宽度: 10 fs - 150 fs 波长范围: 450 nm - 900 nm 输入极化: Horizontal
APE的FC SPIDER(几个周期SPIDER)提供了低至5fs以下的超短激光脉冲的光谱和时间特性。FC Spider VIS覆盖红光和近红外范围以及可见光波长区域。这款高精度工具非常适合校准和监控宽带Ti:SA振荡器和带宽从30 nm开始的放大器链的性能。FC Spider VIS支持低至450nm的可见光谱区,适用于例如非线性光学参量放大器(NOPA)的表征。基于成熟的SPIDER*专利技术,使用无漂移标准具干涉仪和材料色散展宽器,FC SPIDER通过分析光谱干涉图直接测量光谱相位。结合同时测量的功率谱,完成了频谱和时间振幅和相位的实时计算和可视化。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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中心波长: 0.405um 输出功率: 1000mW
Ushio Opto Semiconductor(USHIO/OPNEXT激光二极管)提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G(1000mW,405nm)紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG,这是Ushio的一款新型单模405nm二极管,较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率,可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管,可用作光学仪器的光源,Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外,还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性,这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模式和9 mm封装。HL40033G是工业生物分析应用的理想选择,要求操作可靠,使用寿命长,输出功率稳定。